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尚乃贵

作品数：5 被引量：12H指数：2
供职机构：香港城市大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 3篇理学

主题

  • 3篇金刚石薄膜
  • 2篇碳纳米材料
  • 2篇碳片
  • 2篇显微结构
  • 2篇膜材料
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米薄膜材料
  • 2篇纳米材料
  • 1篇电镜
  • 1篇电镜观察
  • 1篇多晶铜
  • 1篇扫描电子显微...
  • 1篇金刚石
  • 1篇基片
  • 1篇刚石
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇SEM

机构

  • 3篇中国科学技术...
  • 2篇香港城市大学

作者

  • 5篇尚乃贵
  • 3篇廖源
  • 3篇方容川
  • 2篇孟祥敏
  • 2篇李述汤
  • 2篇王冠中
  • 2篇叶祉渊
  • 2篇李振声
  • 2篇马玉蓉
  • 1篇常超
  • 1篇易波
  • 1篇陈金松
  • 1篇薛剑耿
  • 1篇乐德芬
  • 1篇崔景彪
  • 1篇吴气虹
  • 1篇邵庆益
  • 1篇王代冕
  • 1篇牛晓滨
  • 1篇揭建胜

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇电子显微学报

年份

  • 2篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1998
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
碳片组成的纳米薄膜材料显微结构研究
本文利用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨电子显微镜(HREM)对一组由无序的碳片组成的纳米薄膜进行了详细的研究,旨在深入了解碳纳米材料在精细结构.
孟祥敏尚乃贵李振声I.Bello李述汤
关键词：碳纳米材料电镜观察显微结构
文献传递
计算机编程控制CVD金刚石膜生长系统的研制与应用被引量：3
2001年
在863"九五”计划期间,我们研制成功"计算机编程控制CVD金刚石膜生长系统”,并用此设备在无人值守的情况下,生长出毫米级金刚石和金刚石/硅碳氮多层膜,证明该设备安全可靠,性能优良.
方容川常超廖源叶祉渊薛剑耿王冠中马玉蓉尚乃贵牛晓滨王代冕吴气虹揭建胜
关键词：金刚石薄膜
碳片组成的纳米薄膜材料显微结构研究
2002年
孟祥敏尚乃贵李振声I.Bello李述汤
关键词：纳米薄膜材料显微结构碳纳米材料扫描电子显微镜SEM
金刚石薄膜在多晶铜和磷脱氧铜基片上的生长被引量：9
1998年
分别采用９９．９９％的多晶铜片和９９．９５％的磷脱氧铜片作为沉积金刚石薄膜的基片，通过热丝化学汽相沉积法在两种基片上都获得了大面积、自支撑的多晶金刚石膜．使用高分辨率光学显微镜、扫描电子显微镜、Ｒａｍａｎ光谱和Ｘ射线衍射比较分析了两种铜基片上的金刚石膜．脱氧铜上的金刚石膜质量并不亚于多晶铜上的金刚石膜，而且它的成核密度、生长速率以及应力都高于多晶铜上金刚石膜的同类参数．
韩祀瑾陈金松方容川尚乃贵邵庆益乐德芬廖源叶祉渊易波崔景彪
关键词：多晶铜金刚石薄膜生长
原位光发射谱研究横向偏压金刚石薄膜生长过程
2000年
利用热丝ＣＶＤ方法研究了横向偏压对金刚石薄膜成核和生长的影响．实验表明，随着偏流的增加，金刚石在光滑硅衬底上的成核密度得到显著提高，最高可达 １．１×１０８ｃｍ－２．，但是横向偏压不利于金刚石薄膜的生长．原位光发射谱研究发现，横向偏流的增加提高了原子氢和ＣＨ基团的浓度，导致衬底表面非晶碳层的形成，这可能是造成横向偏压促进金刚石成核却不利于金刚石薄膜生长的主要原因．
廖源尚乃贵李灿华王冠中马玉蓉方容川
关键词：金刚石薄膜
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