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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 3篇优化设计
  • 2篇电力半导体
  • 2篇电力半导体器...
  • 2篇少子寿命
  • 2篇晶闸管
  • 2篇快恢复二极管
  • 2篇功率
  • 2篇二极管
  • 2篇非对称晶闸管
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体器件
  • 2篇大功率
  • 1篇软恢复
  • 1篇数学模型
  • 1篇功率二极管
  • 1篇N+
  • 1篇PIN
  • 1篇KV
  • 1篇大功率二极管

机构

  • 5篇北京京仪椿树...
  • 2篇西安理工大学

作者

  • 5篇尹启堂
  • 2篇安涛
  • 2篇王彩琳
  • 2篇李玉柱
  • 1篇邢毅
  • 1篇史姝岚

传媒

  • 2篇中国电器工业...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电力电子

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
6.5 kV非对称晶闸管的优化设计与工艺研究
本文简述了非对称晶闸管的结构特点及其工作原理,分析了非对称晶闸管的关键结构参数对其特性的影响,以及结构参数之间的相互制约关系,对6.5kV非对称晶闸管进行了特性模拟与优化,给出优化设计的纵向结构参数。并研究了非对称晶闸管...
尹启堂王彩琳
关键词:电力半导体器件非对称晶闸管优化设计
文献传递
300-500A/600-2500V快(软)恢复二极管
尹启堂李玉柱史姝岚
项目主要研究内容是实现IGBT模块的“伴侣”芯片-快(软)恢复二极管FRD的产业化,建设一条工艺先进、质量可靠的FRD芯片生产线,实现FRD芯片的加工及系列产品的封装。解决的主要技术问题包括:产品结构设计、工艺路线和流程...
关键词:
双基区大功率快恢复二极管的研究
本文首先提出了在采用Vb=94ρn0.7数学模型,设计双基区P+PINN+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中,引入η=xm-w1=0.25数学模型的方法;以及硅片扩铂和电子辐照技术,共同控制基区少子寿命及分布新技...
尹启堂安涛邢毅李扬
关键词:少子寿命快恢复二极管数学模型大功率二极管优化设计
文献传递
双基区大功率快恢复二极管的研究被引量:2
2010年
提出了在采用VB=94ρ0n.7数学模型设计双基区p+pinn+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中引入η=Wi/Xm=0.25数学模型的方法。采用Si片扩铂和电子辐照共同控制基区少子寿命及分布,并利用该设计方法对ZKR1 000 A/2 600 V结构参数进行了优化设计。对设计参数进行了实验验证,结果表明,器件参数满足设计指标,达到国外同类产品水平。说明该设计方法及各种参数的选取是正确的,寿命控制技术是有效的。为p+pinn+结构二极管设计与制造提供了一种具有重要的指导意义和参考价值的新方法。
尹启堂李玉柱安涛邢毅
关键词:软恢复少子寿命
6.5kV非对称晶闸管的优化设计与工艺研究
2010年
本文简述了非对称晶闸管的结构特点及其工作原理,分析了非对称晶闸管的关键结构参数对其特性的影响,以及结构参数之间的相互制约关系。对6.5kV非对称晶闸管进行了特性模拟与优化,给出优化设计的纵向结构参数。并研究了非对称晶闸管的制作工艺,样品测试结果表明,6.5kV非对称型晶闸管的设计参数和制作工艺方案是合理可行的。
尹启堂王彩琳
关键词:电力半导体器件非对称晶闸管优化设计
共1页<1>
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