尹长松
- 作品数：20 被引量：33H指数：3
- 供职机构：武汉大学物理科学与技术学院物理系更多>>
- 相关领域：电子电信农业科学环境科学与工程理学更多>>
- 无平面结敏感区硅光电探测器
- 1997年
- 研制了在平面ＰＮ结内无敏感区的硅光电探测器，测量了这种新结构器件的光电转换特性，说明在一定的均匀光照下，器件的光电流也有一定的值。利用本文的分析模型，可以得到该器件的有效光敏面积，从而可以确定衬底材料中光生少子的扩散长度。
- 李晓军尹长松
- 关键词：光纤通信敏感区光电探测器
- 无平面结敏感区硅光二极管
- 1997年
- 研制了在平面ＰＮ结内无敏感区的硅光探测器，测量了这种新结构器件的光电转换特性，说明在光照下，器件的光电流不为零值．
- 尹长松李晓军谷增云王林
- 关键词：光敏二极管
- 硅光探测器紫外响应的改善被引量：2
- 1997年
- 利用透过二氧化硅层进行杂质扩散的方法，获得低表面浓度浅结深并具有漂移自建场的掺杂层，制作最佳厚度的光透射膜，使硅光敏二极管的紫外响应获得改善，得到在254nm波长下响应度达0．18A／W的结果．
- 尹长松朱晓刚
- 关键词：硅光探测器硅光电管
- 点状PN结中的光电转换
- 1997年
- 用N型硅单晶材料制作了点状PN结光电二极管 ,对二极管的光电参数进行了测量。若依平面结的受光面积计算 ,在同样的光辐射下 ,点状PN结光电二极管的光电流密度是常规面积光电二极管光电流密度的 2 0 0倍以上。分析表明 ,在光探测机制上不仅要考虑平面结范围内的光电转换 ,更要考虑平面结周边一个少数载流子扩散长度范围内的光电转换。利用点状PN结光照电流的测量 ,可以确定在衬底材料中光生少子的扩散长度。
- 尹长松黄黎蓉
- 关键词：半导体光电器件光敏二极管光电转换PN结
- 栅线防护报警仪
- 本实用新型为栅线防护报警仪，属于电子传感技术领域，用作安全保卫、警戒防护，栅线防护报警仪不仅具有防护障碍功能，而且具有可靠的报警功能，风雨雪雾无妨，高频无线电信号毫无影响，适用范围宽，成本低，使用维护方便。
- 尹长松
- 文献传递
- 多功能胎教仪
- 一种由胎教盒1、母子对话与胎音胎动探测筒6、连接线7、尿湿报信探测片8组成的多功能胎教仪，它的胎教盒1上设置有放音插座2、尿湿报信和报晓与防盗插座3、开关与音量控制旋钮4，胎教盒1内安装有电路板、电池和扬声器5。将胎教盒...
- 尹长松胡淑纯胡中立
- 文献传递
- 半导体光电探测器及进展被引量：6
- 1997年
- 半导体光电探测是半导体光电子学的重要部分，半导体光电探测器在光纤通信，红外遥感等领域有广泛的应用。本文介绍了几种最新的半导体光电探测器结构。
- 李晓军尹长松
- 关键词：半导体光电探测器光伏探测器多孔硅
- 无平面结敏感区及其栅控光探测器
- 1999年
- 研制了在平面结内无敏感区的光探测器,测量结果表明其光电流是显著的。在这种器件的基础上,研制了受栅极控制的无平面结敏感区光探测器,实验测量说明这种器件的光电流输出不仅依赖于受光信号,还受到栅极电压信号的控制。这种输出信号受到光与电信号双重控制的特性,扩大了光探测器件的应用领域。
- 尹长松李晓军
- 关键词：光探测器
- 间接耦合光探测器再分析被引量：1
- 1999年
- 再次分析了间接耦合光探测器耦合系数定义的自相矛盾,指出这种器件的耦合区实际上是表面耗尽区,或者是表面反型层区,并说明这种器件结构本质上是一种MOS场效应结构。
- 尹长松
- 关键词：电荷耦合器件
- 小面积PN结的光电特性被引量：3
- 1996年
- 用Ｐ型硅材料制作了小面积ＮＰ结光电二极管，测试了二极管的光电特性．若按杂质扩散区的受光面积计算，在同样的光照下，小面积光电二极管的光电流密度是常规面积光电二极管光电流密度的１００倍以上．究其原因，在于杂质扩散区周边一个少数载流于扩散长度范围内，光生载流子对光电流的贡献．因此，当杂质扩散区为一个点时，光敏感区的面积趋于恒定值πＬ，有效光吸收区体积趋于（ＺπＬ）／３．
- 尹长松黄黎蓉
- 关键词：PN结光电特性硅光电二极管二极管
