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利用空气作为绝缘介质的半导体纳米线电注入发光器件: 本发明公布了一种利用空气作为绝缘介质的半导体纳米线电注入发光器件，包括上、下电极层，在上、下电极层之间是P型(或N型)半导体层和置于其上的多根N型(或P型)半导体纳米线，半导体纳米线与半导体层的接触面构成PN异质结，且半...; 廖辉温培钧胡晓东; 文献传递

GaN基蓝紫半导体激光器量子阱显微结构的研究: GaN基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构。近年来，由于AlInGaN四元合金在半导体光电子器件中的应用有很大的潜力，所以越来越受到关注，尤其是在短波长的GaN基发光二极管(LED)和GaN基蓝紫激光二...; 廖辉; 关键词：半导体激光器显微结构激光二极管氮化镓铟镓氮

GaN基激光器多量子阱垒材料的研究被引量：1: 2009年; 在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/In-GaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器。同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明,相对于GaN垒材料,InGaN垒材料,AlInGaN四元合金垒材料更能改善多量子阱的晶体质量,提高量子阱的量子效率及降低激光器阈值电流。相关的机制为:组分调节合适的四元合金垒层中Al的掺入使得量子阱势垒高度增加,阱区收集载流子的能力增强;In的掺入能更多地补偿应力,减少了由于缺陷和位错所产生的非辐射复合中心密度;In的掺入还减小了量子阱中应力引致的压电场,电子空穴波函数空间交叠得以加强,使得辐射复合增加。; 陈伟华廖辉胡晓东李睿贾全杰金元浩杜为民杨志坚张国义; 关键词：GAN基激光器 ALINGAN

个人信用发展的经济因素研究: 市场经济的运行离不开信用。作为社会信用的核心内容,个人信用的发展在解决人们生产、生活的物资欠缺和社会交往方面发挥了重要作用,并成为拉动经济增长的重要因素之一。由于国内个人信用正式的市场化发展只有短短十余年,现阶段正面临着...; 廖辉

铟对GaN基激光器晶体质量的影响: 2008年; 利用高分辨X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对GaN基蓝紫半导体激光器中的n型AlGaN/GaN超晶格在铟背景下进行生长对器件的晶体质量的影响进行了研究分析。分别测量了(0002),(1011),(1012),(1013),(1014),(1015)和(2021)不同晶面的摇摆曲线。利用Williamson-Hall图对X射线衍射的试验结果进行了分析,进而研究了该器件中的线位错。分析表明,在铟背景下生长的n型AlGaN/GaN超晶格相对传统的AlGaN/GaN超晶格而言,可以大大降低GaN基蓝紫半导体激光器中的位错密度并获得较好的晶体质量。这一结论与利用原子力显微镜分析得到的结论完全一致。; 廖辉杨志坚张国义胡晓东; 关键词：超晶格 X射线衍射氮化镓

MOCVD生长的p型GaN薄膜中Mg掺杂的优化与分析(英文): 2008年; 通过优化Mg流量增强了MOCVD生长的GaN薄膜的p型电导并改善了晶体质量.Hall测量结果表明空穴浓度首先随着Mg流量的升高而升高,达到极大值后开始降低;迁移率始终随Mg流量的升高而降低.最优的样品在室温下空穴浓度达到4.1×1017cm-3,电阻率降至1Ω.cm.考虑施主型缺陷MGaVN的自补偿作用,计算了空穴浓度随掺杂浓度变化的曲线关系.计算结果表明自补偿系数随掺杂浓度的增大而增大;空穴浓度首先随掺杂浓度的增大而增加,在受主浓度为NA≈4×1019左右时达到极大值,之后随着掺杂浓度的增大而迅速降低.XRD数据表明在实验范围内晶体缺陷密度随着掺杂浓度的降低而降低.; 张晓敏王彦杰杨子文廖辉陈伟华李丁李睿杨志坚张国义胡晓东; 关键词：P型GAN 自补偿 MOCVD

三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构(英文)被引量：3: 2008年; GaN基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构。实验表明,采用InGaN/GaN三元和AlInGaN/GaN四元两种不同量子阱结构的激光二极管的发光性质和发光效率有明显差别,研究了这两种不同量子阱结构的显微特征。利用原子力显微镜表征了样品的(001)面;通过高分辨X射线衍射对两种量子阱结构的(002)面作ω/2θ扫描测得其卫星峰并分析了两种不同量子阱结构的界面质量;利用X射线衍射对InGaN/GaN和AlInGaN/GaN这两种量子阱的(002)、(101)、(102)、(103)、(104)、(105)和(201)面做ω扫描,进而得到其摇摆曲线。最后利用PL谱研究了它们的光学性能。通过这些显微结构的分析和研究,揭示了InGaN/GaN三元和AlInGaN/GaN四元两种不同量子阱结构宏观性质不同的结构因素。; 廖辉陈伟华李丁李睿贾全杰杨志坚张国义胡晓东; 关键词：ALINGAN INGAN 原子力显微镜

p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性: 2007年; 运用传输线方法(TLM)测量了p型GaN合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和p型GaN接触处的电流密度与电压(J-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析,进一步得出势垒高Φb=0.41eV,受主浓度Na=4×1019cm-3,能带弯曲Vi=0.26V,和EF-Ev:0.15eV.这些结果与理论值和其他实验结果符合得很好.; 王彦杰杨子文廖辉胡成余潘尧波杨志坚章蓓张国义胡晓东; 关键词：P-GAN 传输线

利用空气作为绝缘介质的半导体纳米线电注入发光器件: 本发明公布了一种利用空气作为绝缘介质的半导体纳米线电注入发光器件，包括上、下电极层，在上、下电极层之间是P型(或N型)半导体层和置于其上的多根N型(或P型)半导体纳米线，半导体纳米线与半导体层的接触面构成PN异质结，且半...; 廖辉温培钧胡晓东; 文献传递

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廖辉