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张杰
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32
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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中国科学院知识创新工程
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相关领域:
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一般工业技术
轻工技术与工程
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合作作者
孔涛
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
程国胜
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
卫芬芬
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
黄荣
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
王龙
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿...
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相变存储器驱动电路及置位和复位方法
本发明提出一种相变存储器驱动电路,其包括相变电路、用于提供置位电流和复位电流的置位复位电路、用于提供读电流的读电路及控制操作电流脉冲时序的开关电路,所述相变电路、所述置位复位电路及所述读电路均一端连接所述开关电路、另一端...
程国胜
王龙
孔涛
卫芬芬
黄荣
张杰
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MnO阳极表面SEI结构及机械性能的原子力显微镜力谱表征
固态电解质中间相 (solid electrolyte interphase),也称SEI膜,是影响锂离子电池性能的重要因素之一,其结构与稳定性决定了锂离子电池的容量、循环寿命与安全性.因此研究SEI的详尽物理/化学性质...
张杰
汪锐
杨小成
卢威
吴晓东
王晓平
李泓
陈立桅
关键词:
SEI
AFM
一种相变存储单元及其制备方法
本发明公开了一种相变存储单元及其制备方法,包括自下而上依次设置的衬底、下电极、下绝热层、相变材料层、上绝热层和上电极,所述上电极还与所述相变材料膜电连接,其中,所述下绝热层具有主要由复数个四棱台状单元,特别是二氧化硅四棱...
孔涛
黄荣
张杰
卫芬芬
程国胜
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一种相变存储单元
本实用新型公开了一种相变存储单元,包括自下而上依次设置的衬底、下电极、下绝热层、相变材料层、上绝热层和上电极,所述上电极还与所述相变材料膜电连接,其中,所述下绝热层具有主要由复数个四棱台状单元,特别是二氧化硅四棱台组成的...
孔涛
黄荣
张杰
卫芬芬
程国胜
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多功能集成的纳米线阵列制备方法
本发明公开了一种多功能集成的纳米线阵列制备方法。该方法为:首先在纳米线阵列表面覆盖一层有机高分子溶液,真空环境下静置使有机高分子均匀渗透入纳米线之间,继而利用匀胶的方法得到平整的表面;然后使用干法去胶工艺处理表面,暴露部...
程国胜
孔涛
苏瑞巩
张琦
黄荣
刘永萍
张杰
卫芬芬
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相变存储器驱动电路及方法
本发明涉及一种相变存储器驱动电路及方法。本发明的相变存储器驱动电路,包括:普通脉冲源、控制开关、选通器、相变电阻和皮秒脉冲发生器,所述普通脉冲源、控制开关相连、皮秒脉冲发生器、选通器和相变电阻依次相连,所述皮秒脉冲发生器...
程国胜
王龙
孔涛
卫芬芬
黄荣
张杰
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相变存储器单元的制备方法、相变材料及相变存储器单元
本发明提供的相变存储器单元的制备方法,采用吸附有金纳米颗粒的衬底,以由锡粉末和碲化锗粉末组成的混合物作为蒸发源,将上述蒸发源与衬底置于水平管式炉内,在一定的条件下进行化学反应,得到沉积有锡掺杂碲化锗纳米线的衬底,将上述衬...
程国胜
张杰
孔涛
黄荣
卫芬芬
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相变存储器驱动电路及方法
本发明涉及一种相变存储器驱动电路及方法。本发明的相变存储器驱动电路,包括:普通脉冲源、控制开关、选通器、相变电阻和皮秒脉冲发生器,所述普通脉冲源、控制开关相连、皮秒脉冲发生器、选通器和相变电阻依次相连,所述皮秒脉冲发生器...
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相变存储器接触电极的制备方法及相变存储器接触电极
本发明提供的相变存储器接触电极的制备方法和相变存储器接触电极,在沉积有金属催化剂层的加热电极表面沉积石墨烯层,有效利用了石墨烯的高平整度,而且仅在覆盖有催化剂的加热电极表面进行沉积,无需进一步的平坦化工艺,工艺简单;同时...
孔涛
卫芬芬
黄荣
张杰
程国胜
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一种相变存储单元及其制备方法
本发明提供了一种相变存储单元,包括:衬底、下电极金属层、第一绝缘层、加热材料层、第二绝缘层、下相变材料层、上相变材料层和上电极金属层,还包括阻挡层,所述阻挡层设置于所述下相变材料层和所述上相变材料层之间,所述阻挡层的材料...
程国胜
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