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张进

作品数:39 被引量:8H指数:2
供职机构:西安工业大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国防基础科研计划西安市科技计划项目更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 36篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇金属学及工艺
  • 4篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇机械工程
  • 2篇文化科学
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 10篇纳米
  • 10篇光学
  • 9篇离子束
  • 6篇等离子体
  • 6篇刻蚀
  • 6篇光学元件
  • 6篇半导体
  • 5篇大口径
  • 4篇导体
  • 4篇探测器
  • 4篇图形化
  • 4篇铌酸锂
  • 4篇离子束辐照
  • 4篇离子束刻蚀
  • 4篇光电
  • 4篇光学加工
  • 4篇半导体薄膜
  • 4篇畴结构
  • 3篇等离子
  • 3篇等离子体源

机构

  • 39篇西安工业大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 39篇张进
  • 29篇刘卫国
  • 22篇惠迎雪
  • 19篇周顺
  • 19篇陈智利
  • 8篇徐均琪
  • 8篇秦文罡
  • 7篇蔡长龙
  • 6篇杨利红
  • 6篇杨鹏飞
  • 6篇杨陈
  • 4篇阳志强
  • 4篇弥谦
  • 4篇毕倩
  • 3篇梁海锋
  • 3篇韩军
  • 3篇李世杰
  • 3篇张岩
  • 2篇孙雪平
  • 2篇熊涛

传媒

  • 1篇光子学报
  • 1篇应用光学

年份

  • 3篇2024
  • 5篇2023
  • 4篇2022
  • 2篇2021
  • 6篇2020
  • 6篇2019
  • 7篇2018
  • 5篇2017
  • 1篇2007
39 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用于测试半导体薄膜塞贝克系数的基片及制备和测试方法
本发明属于半导体材料测量设备领域,具体涉及一种用于测试半导体薄膜塞贝克系数的基片及制备和测试方法。其在抛光基底上沉积图形化的绝缘层,之后在图形化区域内填充热电阻电极、热电阻、测试电极及引线,电极和引线图形根据Seebec...
张进刘卫国惠迎雪周顺陈智利秦文罡
一种离子束辐照制备铌酸锂纳米点畴结构的方法和装置
本发明一种离子束辐照制备铌酸锂纳米点畴结构的方法和装置。本发明方法为:1)将待加工的铌酸锂样品固定在离子束刻蚀设备的样品台上,调整使离子束的入射角达到工作角度;调整使离子源的中心与工件中心重合;2)将离子束刻蚀设备抽至高...
陈智利刘卫国惠迎雪周顺张进杨利红毕倩唐黎
一种非球面离子束抛光方法
本发明涉及光学元件加工技术领域,具体涉及一种非球面离子束抛光方法。是在计算驻留时间时在不同的驻留点处使用不同的去除函数去计算。本发明可在线性三轴离子束加工设备上实现非球面修形,三轴加工系统控制相对较简单,成本低。本发明采...
陈智利刘卫国惠迎雪周顺张进陈鹏
文献传递
实现定点去除的聚焦离子束四级栅网系统及其方法
本发明涉及一种实现定点去除的聚焦离子束四级栅网系统及其方法。其采用三级球面栅网实现了宽束冷阴极离子源离子束的引出、整形及聚焦,可通过栅网球面半径的尺寸来调节离子束焦点的位置;通过改变栅网上小孔分布图形及尺寸大小来调节束斑...
刘卫国张进惠迎雪周顺陈智利秦文罡
文献传递
薄膜微结构的近红外透射诱导增强特性被引量:4
2019年
在SiNx薄膜中引入微金字塔结构,综合利用包含界面的薄膜光学微结构的折射、衍射与干涉现象,实现透反射的调控.通过单点金刚石切削与纳米压印、等离子体各向异性刻蚀技术相结合,将大面积、高效率、低成本的微结构制备方法推广至光学薄膜中,实现了多种尺寸的金字塔薄膜微结构的制备,结构单元尺寸可以在1.5~10μm之间进行调控.光谱特性检测结果表明,SiNx薄膜微金字塔结构阵列在近红外至长波红外波段,表现出超宽波段的减反射特性;在0.8~2.5μm的近红外波段,反射率低于1.0%;在3~5μm的中红外波段,反射率小于2.5%;在10~12μm长波红外波段,平均反射率低于5%;与传统的四分之一波长抗反射膜系相比,SiNx薄膜微金字塔结构阵列的减反射效果的实现,无需膜系设计时的折射率匹配,简化了膜系结构.研究发现SiNx薄膜微金字塔结构阵列的近红外透射诱导增强特性,高度为2~4μm的SiNx薄膜微金字塔结构阵列,均在2.1μm波长处出现明显的透射诱导增强效应,且高为4μm,底宽为8μm的微金字塔结构阵列的透射增强作用最为明显,透射率达到了96%以上.实验检测与仿真分析证明,透射增强的位置和强度由微结构的形貌尺寸及其结构比例关系决定.
葛少博刘卫国周顺杨鹏飞李世杰黄岳田孙雪平林大斌张进
关键词:薄膜微结构纳米压印
用于测试半导体薄膜塞贝克系数的基片及制备和测试方法
本发明属于半导体材料测量设备领域,具体涉及一种用于测试半导体薄膜塞贝克系数的基片及制备和测试方法。其在抛光基底上沉积图形化的绝缘层,之后在图形化区域内填充热电阻电极、热电阻、测试电极及引线,电极和引线图形根据Seebec...
张进刘卫国惠迎雪周顺陈智利秦文罡
文献传递
一种大口径光学元件的等离子体刻蚀方法
本发明公开一种大口径光学元件的等离子体刻蚀方法,该方法借鉴了射频磁控溅射镀膜技术中的射频反常辉光放电方式,可形成高密度大面积的等离子体,利用该装置耦合正交磁场的定向移动,可驱动等离子体产生定向的运动,实现光学元件表面由线...
惠迎雪刘卫国张进徐均琪边寒寒杨梦熊弥谦陈智利
文献传递
实现定点去除的聚焦离子束四级栅网系统及其方法
本发明涉及一种实现定点去除的聚焦离子束四级栅网系统及其方法。其采用三级球面栅网实现了宽束冷阴极离子源离子束的引出、整形及聚焦,可通过栅网球面半径的尺寸来调节离子束焦点的位置;通过改变栅网上小孔分布图形及尺寸大小来调节束斑...
刘卫国张进惠迎雪周顺陈智利秦文罡
文献传递
一种无栅聚焦束离子源
本发明属于等离子体技术领域,具体涉及一种无栅聚焦束离子源,包括底板、底板上的筒状外壳、筒状外壳中间设置的阳极、上磁靴和下磁靴,所述筒状外壳为中空的水冷外壳,所述阳极和上磁靴均为异形圆环,中间穿设置有异形中心磁靴,中心磁靴...
张进刘卫国惠迎雪梁海锋栗旭阳秦文罡蔡长龙
一种采用电子束蒸发技术制备Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>光电薄膜的方法
本发明属于一种光电薄膜制备技术领域,具体涉及一种采用电子束蒸发技术制备Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>光电薄膜的方法。本发明提供的技术方案是:通过Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
杨陈张进蔡长龙徐均琪
共4页<1234>
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