徐伟军
- 作品数：55 被引量：66H指数：5
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术政治法律更多>>
- 彩色平板等离子体显示器(PDP)用基板玻璃被引量：12
- 1999年
- 本文分析了普通钠钙玻璃不能作为大面积彩色ＰＤＰ基板玻璃的原因，指出大面积ＰＤＰ最终应用的基板玻璃必将是与现已开发应用的、与彩色ＰＤＰ相关材料匹配的，但其应变点温度高于彩色ＰＤＰ制造过程中最高热处理温度的玻璃，同时提出了一种在ＰＤＰ制造过程中减小普通钠钙玻璃热变形的方法。最后从浮法玻璃的制造方法和特点出发，指出彩色ＰＤＰ制造工艺中，应特别区分浮法玻璃的正反面。
- 卜忍安王文江徐伟军
- 关键词：钠钙玻璃热变形应力PDP
- 纳秒脉冲宽度对介质阻挡放电图像对比度的影响被引量：1
- 2006年
- 采用4.7、7.6和10.6 ns 3种不同宽度的高压脉冲,对硬币进行了介质阻挡放电照相(DBDP)。结果表明,介质阻挡放电图像的对比度明显与脉冲宽度有关,脉冲宽度越窄,图像的对比度越高;反之,脉冲宽度越宽,图像对比度越差。对DBDP的分析表明,外电压施加在硬币上后,与放电电流脉冲对应的时间滞后与放电间隙有关。采用放电时间滞后的观点,就纳秒脉冲宽度对介质阻挡放电图像对比度的影响进行了合理的解释。
- 翁明徐伟军郑华
- 关键词：图像对比度介质阻挡放电纳秒脉冲
- 脉冲参数对指纹放电成像质量的影响被引量：2
- 2004年
- 利用介质阻挡放电照相的原理,成功实现了对人体指纹的提取。在静态法提取指纹过程中,记录了在3种脉冲宽度(2ns,3μs,1ms)下放电的指纹图像。放电空间电场分布的分析表明,随着脉冲宽度的增加,正离子在介质层上的累积使得放电空间的电场趋于均匀,导致指纹放电强度在空间的均匀化,从而使指纹成像的分辨率下降。采用较高幅度的ns脉冲放电时,发现了指纹放电中存在丝状放电的痕迹。进一步的实验表明,即使在放电空间不存在介质时,也能观测到良好质量的指纹放电图像。研究结果表明,采用较小幅度的ns脉冲放电技术,不仅提高了指纹图像的清晰度,而且也实现了大气中的辉光放电。
- 翁明徐伟军郑华
- 关键词：指纹提取介质阻挡放电大气压辉光放电脉冲宽度指纹图像
- 包含浮动电极的交流等离子体显示屏
- 本发明公开一种包含浮动电极的交流等离子体显示屏，包括前玻璃板和后玻璃板。前玻璃板由玻璃板、两组维持放电电极、主浮动电极、隔离浮动电极、介质层和介质保护层构成。后玻璃板由玻璃板、寻址电极、障壁、荧光粉构成。将前玻璃板与后玻...
- 王建琪胡文波徐伟军郑德修
- 文献传递
- 一种用于电子倍增器快速精确装配的工装及装配方法
- 本发明公开了一种用于电子倍增器快速精确装配的工装及装配方法，工装夹具包括：第一调整片、第二调整片和第三调整片。第一调整片有4个插片和2个凹槽；第二调整片有6个插片和8个凹槽；第三调整片有7个插片和7个凹槽。装配方法为：首...
- 吴胜利吴荣荣徐伟军刘碧野李洁胡文波贠新团
- 文献传递
- 高压快速脉冲放电成像技术的实验研究被引量：5
- 1998年
- 本文建立了一套高压快速脉冲放电成像系统，在该系统上，分别研究了脉冲持续时间和脉冲强度对成像清晰度的影响。研究结果表明，为获得清晰的放电成像，采用纳秒脉冲放电技术是关键。成像清晰度的提高，为脉冲放电成像技术在工程上的应用奠定了基础。
- 翁明徐伟军郑德修钟建兔
- 关键词：气体放电纳秒脉冲
- 介质阻挡放电照相机理的研究被引量：3
- 2001年
- 讨论了介质阻挡放电照相的物理过程 ,并建立了相应数学模型。在此基础上得出了介质阻挡放电照相的衬度曲线 ,以此探讨了介质阻挡放电照相的机理 ,并用实验对此进行了验证。论文工作是对Kirlianphotography和coronadischargepho
- 翁明徐伟军郑华郑德修
- 关键词：介质阻挡放电气体放电物理机制数学模型
- 感光性浆料法制作PDP电极的工艺被引量：3
- 2003年
- 对利用感光性浆料制作ACPDP电极的工艺进行了研究,获得了良好结果,并对研究中遇到的一些问题进行了分析和讨论。
- 范玉锋张剑锋王文江徐伟军赵志明
- 关键词：PDP厚膜
- 一种用于电子倍增器快速精确装配的工装及装配方法
- 本发明公开了一种用于电子倍增器快速精确装配的工装及装配方法，工装夹具包括：第一调整片、第二调整片和第三调整片。第一调整片有4个插片和2个凹槽；第二调整片有6个插片和8个凹槽；第三调整片有7个插片和7个凹槽。装配方法为：首...
- 吴胜利吴荣荣徐伟军刘碧野李洁胡文波贠新团
- 文献传递
- 宽气压范围空气中微波击穿电场的计算公式被引量：1
- 2018年
- 为了简便快捷地计算微波击穿电场,依据电子扩散模型的基本理论,结合气体放电的基本参量,应用特征扩散长度的概念,给出了适合于规则结构微波部件的击穿电场的计算方法。为避免各种气体参数的不确定性对计算准确度的影响,对等效直流电场与特征扩散长度之间的实验关系进行了拟合,并根据等效直流电场的定义,得出了一个适用于较高气压范围的击穿电场计算表达式。为了将该计算表达式扩展到更低的气压范围,综合考虑了电子扩散模型和基于二次电子发射现象的真空微放电机理,引入了一个合理形式的等效扩散长度,进一步给出了适合于更广气压范围的微波击穿电场的计算表达式,计算结果更符合A.D.Macdonald的实验结果。
- 刘婉翁明殷明徐伟军王芳曹猛
- 关键词：气体放电微波二次电子发射
