徐筱乐
- 作品数：13 被引量：14H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划江苏省高技术研究计划项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>
- 砷化镓射频开关复合介质包封退火技术
- 对手机用砷化镓射频开关制作工艺中的离子注入及其退火技术进行了实验,认为φ76mm砷化镓圆片经光片注入Si离子后包封40nm SiO+60nm SiN进行快速退火的工艺方法先进,表面物理性能好,重复性和均匀性好,成品率高,...
- 钮利荣徐筱乐蒋幼泉杨端良
- 关键词：离子注入
- 文献传递
- GaAs MMIC中钝化层的质量监测技术研究
- GaAs MMIC由GaAs衬底上多种材料结合构成.由于器件结构,工艺过程和材料特性等原因.在器件结构中存在一定的材料应力,应力对器件的性能、可靠性以及制造工艺成品率均有不同程度的影响.通过对GaAs MMIC钝化介质膜...
- 徐筱乐贾洁黄云高建峰
- 关键词：化学气相沉积单片集成电路氮化硅薄膜
- 文献传递
- 100nm GaAsMHEMT器件研制
- 2012年
- 应用电子束直写技术成功制作了栅长100nm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As GaAs MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件T形栅尺寸与工艺,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT饱和电流达到460mA/mm,夹断电压-0.8V,在Vgs为-0.23V时的最大非本征跨导gm为940mS/mm,截止频率ft达到220GHz,最大振荡频率fmax大于200GHz。
- 康耀辉徐筱乐高建峰陈辰
- 关键词：T形栅截止频率
- 电子束蒸发速率对Ti/GaAs肖特基势垒特性的影响被引量：2
- 2015年
- 通过在不同的速率下蒸发相同厚度的Ti金属薄膜,研究电子束蒸发速率对Ti膜表面形貌和性能的影响。试验表明随着Ti蒸发速率的提高,薄膜表面没有明显差别,但薄膜的结构变得致密,相同厚度下金属薄膜方阻变小,Ti金属间结合更紧密。同时在研究中发现不同速率蒸发的Ti膜能在一定范围内影响GaAs器件势垒高度,可以在同等条件下通过Ti蒸发速率调整来获得合适的肖特基势垒,因此Ti蒸发速率是制作GaAs器件肖特基势垒的关键因素之一。
- 邹鹏辉黄念宁王彦硕高建峰林罡徐筱乐
- 关键词：电子束蒸发肖特基势垒
- SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的ICP通孔刻蚀被引量：3
- 2008年
- 利用ICP对研制的SiC衬底上Al GaN/GaN HEMT刻蚀获得了深度为50μm的接地通孔.器件通孔制作前首先用机械研磨的方法将衬底减薄至50μm,在背面蒸发Ti/Ni并电镀Ni至3μm作为刻蚀阻挡层;之后利用SF6/O2混合气体的电感耦合等离子体对SiC衬底进行了刻蚀;最后将Cl2和BCl3混合气体的ICP刻蚀技术运用于Al GaN/GaN外延材料的刻蚀,完成了深度为50μm的Al GaN/GaN HEMT通孔制作,通孔侧壁具有一定的斜率,适合良好的金属覆盖以形成器件正面和背面的连接.这一技术非常适合Al GaN/GaN HEMT及其单片集成电路的研制.
- 任春江陈堂胜柏松徐筱乐焦刚陈辰
- 关键词：碳化硅六氟化硫半导体器件
- GaAlAs/GaAs平面波导串联矩形谐振腔滤波器的研究被引量：5
- 2004年
- 基于四端口谐振腔滤波理论 ,采用二维时域有限差分法 (2D -FDTD)数值仿真了矩形谐振腔的滤波特性 ,分析了串联谐振腔的个数与滤波特性的关系 ;设计和制作了GaAlAs/GaAs平面波导四串联矩形谐振腔滤波器 ,获得其滤波特性 ,测试结果通带半宽约为 1 0nm ;
- 蔡纯刘旭肖金标马长峰陈麟丁东张明德孙小菡徐筱乐陈堂胜李拂晓
- 关键词：波分复用平面波导器件光滤波器时域有限差分法
- 砷化镓射频开关复合介质包封退火技术
- 对手机用砷化镓射频开关制作工艺中的离子注入及其退火技术进行了实验,认为φ76mm砷化镓圆片经光片注入Si离子后包封40nm SiO<,2>+60nm SiN进行快速退火的工艺方法先进,表面物理性能好,重复性和均匀性好,成...
- 钮利荣徐筱乐蒋幼泉杨端良
- 关键词：离子注入
- 文献传递
- 手机用GaAs SPDT开关的全离子注入技术被引量：1
- 2002年
- 对移动通信用单刀双掷开关制作工艺中的 Ga As全离子注入技术进行了实验比较和讨论 ,认为 76mmGa As圆片经光片注入 Si离子后包封 40 nm Si O2 +60 nm Si N进行快速退火再进行 B离子注入隔离和器件制作的工艺方法先进、工艺简便、表面物理性能好、产品成本低、重复性和均匀性好、成品率高及器件性能优良。
- 钮利荣徐筱乐蒋幼泉杨端良
- 关键词：离子注入SPDT开关砷化镓
- 环形谐振腔GaAlAs/GaAs四端口滤波器的仿真与实验研究被引量：4
- 2005年
- 基于四端口谐振腔滤波理论,采用时域有限差分法(2D FDTD)对环行谐振腔的滤波特性进行数值仿真,仿真结果给出多模干涉(MMI)耦合长度与滤波特性的关系.所制作的两种GaAlAs/GaAs平面波导环形谐振腔窄带滤波器的测试结果与仿真结果符合较好.
- 蔡纯刘旭肖金标丁东张明德孙小菡徐筱乐陈堂胜李拂晓
- 关键词：环形谐振腔多模干涉滤波器平面波导端口
- 高温超导台阶结的研究
- 在铝酸镧衬底上研制了高温超导台阶结.采用金属转移剥离技术及离子铣技术在铝酸镧衬底上刻蚀出坡度角大于70°陡直台阶.结的特性与SNS结类似.9.5GHz的微波辐照下出现Shapiro台阶.观察到结的高频响应有一温度窗口.
- 曹春海杨名杨森祖徐筱乐尤立星吉争鸣康琳许伟伟吴培亨
- 关键词：高温超导
- 文献传递
