时文华
- 作品数：16 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学机械工程更多>>
- 应用于WLAN的SiGe HBT高频功率特性的优化
- 2007年
- 高频大功率HBT作为无线和射频通信PA中的重要器件,其设计和制作也越来越受到关注.高频大功率SiGe HBT的设计目的是在一定的工作频率下维持一个高的击穿电压和大的电流密度以实现大的输出功率.器件的设计参数需要进行折中优化.文中模拟计算了两个单元叉指结构的SiGe HBT的高频特性和在5GHz工作频率下的功率特性与发射区掺杂浓度、厚度、基区Ge组分大小以及收集区的掺杂特性等参数之间的关系,并对模拟结果进行了分析和探讨.给出了一些具有指导意义的结论,为高频大功率HBT的设计提供了很好的参考.
- 薛春来时文华成步文姚飞王启明
- 关键词：SIGEHBT高频大功率
- Ge/Si(001)多层纳米岛材料的快速热退火特性
- 2006年
- 通过X射线双晶衍射、光致发光谱等手段,系统研究了Ge/Si(001)多层纳米岛材料的快速热退火特性.研究表明:退火过程中纳米岛区的Ge/Si原子互扩散作用比浸润层区强烈;并且随着退火时间增加,这种互扩散作用加大,晶体质量下降,影响材料性能.而在800℃退火12s,材料保持了较小的Ge/Si原子互扩散水平和较高的晶体质量,并且经硼离子注入后的样品在这一条件退火后,超过50%的杂质原子可被激活.
- 时文华罗丽萍赵雷左玉华王启明
- 关键词：SI退火离子注入
- Ge/Si纳米岛材料与器件研究
- 硅(Si)基器件与集成电路在微电子领域占据了绝对的主导地位，而随着技术的进步以及人们对设备性能的不断追求，硅基纳米电子器件以及硅基光电子材料与器件已经成为人们的研究热点。作为Si衬底上自组织生长得到的三维岛状结构，Ge/...
- 时文华
- 具有平顶响应的窄带热光可调谐法布里－珀罗滤波器
- 一种具有平顶响应的窄带热光可调谐法布里－珀罗滤波器，包括：一基片；一第一布拉格反射镜，该第一布拉格反射镜制作在基片上，该第一布拉格反射镜是滤波器的下反射镜；一腔体，该腔体制作在第一布拉格反射镜上，该腔体是滤波器的腔体，决...
- 左玉华蔡晓赵雷时文华成步文余金中王启明
- 文献传递
- SiGe共振腔增强型探测器的制备(英文)被引量：2
- 2004年
- 利用 SOI材料的埋层二氧化硅的自停止特性 ,成功制作了具有高反射底镜的共振腔增强型 Si Ge探测器 .底镜沉积于 EPW腐蚀液腐蚀形成的背孔内 ,在 1.2～ 1.5 μm范围内 ,反射率高达 99% .探测器的共振峰在 1.344 μm,光响应为 1.2 m A/ W.与普通结构的探测器相比 ,文中所报道的探测器光响应有 8倍的增强 .
- 李传波毛荣伟左玉华成步文时文华赵雷罗丽萍余金中王启明
- 关键词：RCE探测器SOISIGE
- 在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法
- 本发明提出了一种在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在Si基片上生长Si缓冲层，改善衬底晶体质量；(2)降低生长温度，生长Ge浸润层；(3)中断10～40秒，抽走反应气体；(4)...
- 时文华李传波王容伟罗丽萍王启明
- 文献传递
- 偏振差分反射光谱研究半导体材料的平面内光学各向异性被引量：2
- 2006年
- 介绍了偏振差分反射光谱的原理,并结合半导体材料平面内光学各向异性的来源,总结了偏振差分反射光谱作为一种重要的表面、界面分析技术在半导体材料研究中的应用,并分析指出其在Si基材料电光改性研究中将会起到重要作用。
- 赵雷陈涌海左玉华王海宁时文华
- 关键词：半导体
- 基于无线功率放大器应用的多指结构SiGe HBT(英文)
- 2007年
- 采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT.器件表现出了良好的直流和高频特性,最大电流增益β为214.BVCEO为9V,集电极掺杂浓度为1×1017cm-3,厚度为400nm时,BVCBO为16V.在直流偏置下IC=30mA,VCE=3.0V得到fT和fmax分别为18.0GHz和19.3GHz,1GHz下最大稳定增益为24.5dB,单端功率增益为26.6dB.器件采用了新颖的分单元结构,在大电流下没有明显的增益塌陷现象和热效应出现.
- 薛春来时文华姚飞成步文王红杰余金中王启明
- 关键词：SIGEHBT高频
- 硅基近红外探测器研究进展被引量：2
- 2005年
- 介绍了近年来在硅基近红外探测器方面所取得的最新进展,分析并讨论了各种吸收区材料以及器件结构,并对其发展与应用进行了展望。
- 时文华王启明
- 关键词：硅基探测器近红外键合锗硅
- 应用于WLAN的SiGe HBT高频功率特性的优化
- 高频大功率HBT作为无线和射频通讯PA中的重要器件,其设计和制作也越来越受到关注.高频大功率SiGe HBT的设计目的是在一定高的工作频率下维持一个高的击穿电压和大的电流密度以实现大的输出功率.器件的设计参数需要进行折中...
- 薛春来时文华成步文姚飞王启明
- 关键词：高频大功率
- 文献传递
