朱凌妮
- 作品数：21 被引量：53H指数：6
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技重点实验室基金中国科学院战略性先导科技专项更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程金属学及工艺更多>>
- 基于循环退火的Si诱导量子阱混杂研究(特邀)被引量：1
- 2022年
- 腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一。为制备高功率和高可靠性半导体器件,初步探索了Si杂质诱导量子阱混杂技术,并将其应用于975 nm半导体激光器件的非吸收窗口制备工艺。采用循环退火方式,研究了不同条件下Si杂质诱导量子阱混杂的效果,当退火温度为830℃,退火时间为10 min,循环次数为3次时,达到最大波长蓝移量59 nm。分别在800℃5次10 min和830℃3次10 min退火条件下制备了非吸收窗口。与普通器件相比,制备非吸收窗口的器件阈值电流增大,斜率效率下降,工作电流大于10 A后器件斜率效率降低,电流-工作电流曲线呈现饱和趋势。相较之下,800℃5次10 min条件下对应的器件性能相对较好。工作电流达到15 A后普通器件失效,而制备了非吸收窗口的器件则在电流大于20 A后仍可正常工作,腔面光学灾变损伤阈值提高了33.0%以上。
- 王予晓朱凌妮仲莉祁琼祁琼李伟刘素平
- 关键词：半导体激光器量子阱混杂硅退火
- 半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置
- 一种半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置，其中方法包括以下步骤：将划有解理线的晶片放入解理腔，解理腔根据解理线，解理得到至少一个bar条；将至少一个bar条传送至钝化腔，以对每一个bar条的两个腔面钝化；将上述至少...
- 王鑫赵懿昊朱凌妮王翠鸾刘素平马骁宇
- 文献传递
- 一种半导体二极管阵列侧面泵浦2μm激光模块
- 本发明是一种半导体二极管阵列侧面泵浦2μm激光模块，属于激光技术领域。本发明由半导体二极管阵列、2μm激光晶体、半导体二极管阵列热沉、激光晶体热沉和热沉反射面组成。半导体二极管阵列输出的泵浦光进入2μm激光晶体并被其吸收...
- 高春清林志锋高明伟王然张云山朱凌妮
- 文献传递
- 对915nm InGaAsP/GaAsP初次外延片量子阱混杂的研究被引量：6
- 2022年
- 高输出功率和长期可靠性是高功率半导体激光器得以广泛应用的前提,但高功率密度下腔面退化导致的光学灾变损伤(COD)制约了激光器的最大输出功率和可靠性。为了提高915 nm InGaAsP/GaAsP半导体激光器的COD阈值,利用金属有机物化学气相沉积设备来外延生长初次样片。探讨了量子阱混杂对初次外延片发光的影响。此外,使用光致发光谱测量了波峰蓝移量和发光强度。实验结果表明,在退火温度为890℃、退火时间为10 min条件下,波峰蓝移量达到了62.5 nm。对初次外延片进行量子阱混杂可得到较大的波峰蓝移量,且在退火温度为800~890℃、退火时间为10 min的条件下峰值强度均保持在原样片峰值强度的75%以上。
- 何天将井红旗朱凌妮刘素平马骁宇
- 关键词：激光器高功率半导体激光器快速热退火量子阱混杂
- 基于SiO_2薄膜的915nm半导体激光器的无杂质空位诱导量子阱混合研究被引量：8
- 2018年
- 为了提高915nm半导体激光器腔面抗光学灾变的能力,采用基于SiO_2薄膜无杂质诱导量子阱混合法制备符合915nm半导体激光器AlGaInAs单量子阱的非吸收窗口.研究了无杂质空位诱导量子阱混合理论及不同退火温度、不同退火时间、SiO_2薄膜厚度、SiO_2薄膜折射率、不同盖片等试验参数对制备非吸窗口的影响,并且讨论了SiO_2薄膜介质膜的多孔性对无杂质诱导量子阱混合的影响.实验制备出蓝移波长为53nm的非吸收窗口,最佳制备非吸收窗口条件为退火温度为875℃,退火时间为90s,SiO_2薄膜折射率为1.447,厚度为200nm,使用GaAs盖片.
- 王鑫赵懿昊赵懿昊朱凌妮马骁宇马骁宇
- 关键词：半导体激光器量子阱混杂
- Si杂质扩散诱导InGaAs/GaAs(P)量子阱混杂研究被引量：1
- 2022年
- 腔面光学灾变损伤是制约半导体激光器输出功率以及可靠性的主要因素之一,量子阱混杂技术是最常用的解决腔面灾变性光学损伤的方法。为了制备高功率、高可靠性半导体激光器单管器件,对Si杂质诱导量子阱混杂工艺进行了探索。本文使用Si介质层作为扩散源,采用管式炉高温退火的方法进行Si杂质扩散诱导量子阱混杂研究。实验并分析了介质膜厚度、退火条件、量子垒材料、牺牲层材料等因素对InGaAs/GaAs(P)量子阱蓝移量的影响。实验发现,量子阱和量子垒的混杂效果随着扩散时间以及退火温度增加而增大,且对温度尤其敏感。当退火条件为780℃、10 h时,InGaAs/GaAsP结构的波长蓝移量达到70.5 nm,量子垒为GaAsP时比GaAs有更好的促进蓝移效果。相同外延结构下,InGaP牺牲层结构相比AlGaAs牺牲层有更大的波长蓝移。
- 王予晓朱凌妮仲莉孔金霞孔金霞刘素平
- 关键词：量子阱混杂半导体激光器
- 高性能半导体激光器与探测器材料外延技术的研究与应用
- 马骁宇熊聪刘素平仲莉林楠孔金霞李伟祁琼王翠鸾朱凌妮井红旗张海艳李秀芳罗泓倪羽
- MOCVD外延生长技术是半导体激光器和探测器最核心、最关键的技术，外延材料生长的质量和器件的外延结构会直接影响到器件各项光电参数性能。如何能有效的降低材料生长过程中产生的缺陷，提高材料的均匀性，获得晶体质量完美的零缺陷材...
- 关键词：
- 关键词：半导体激光器探测器
- 一种电镀夹具及其使用方法
- 本公开提供了一种电镀夹具，包括：一下片，用于放置待镀铟件，中间有一第一矩形方口，第一矩形方口的第二长边上设置有电极，第一矩形方口的第一长边上设置有一导轨，用于支撑待镀铟件；一中片，所述中片为L形，所述L形的长边对应所述下...
- 刘素平孔金霞朱凌妮刘启坤马骁宇
- 文献传递
- 大功率半导体激光器真空解理装置
- 本发明提供了一种大功率半导体激光器真空解理装置，涉及半导体解理技术领域。该装置包括：框架；解理托装置，设于框架上，用于承托待解理的半导体外延片，其中，半导体外延片的P面预先制备有多道划痕；解理台装置，设于框架上，用于放置...
- 刘素平朱凌妮孔金霞熊聪马骁宇
- LD抽运单块非平面环形腔单频激光器被引量：13
- 2009年
- 报道了激光二极管(LD)抽运单块非平面环形腔(NPRO)Nd:YAG激光器和LD抽运单块键合晶体非平面环形腔Tm:YAG激光器实现单频运转的实验结果。采用LD抽运的单块非平面环形腔Nd:YAG激光器,分别获得了1.876 W和616 mW的1064 nm和1319 nm的单频激光输出,对应的光-光转换效率分别为53.4%和19.2%。采用LD抽运单块键合晶体非平面环形腔Tm:YAG激光器,获得了878 mW的2μm单频激光输出,光-光转换效率为18.8%。为了减小2μm激光器的热效应,采用一种新型的YAG+Tm:YAG+YAG键合单块非平面晶体结构形式并取得了良好的效果。
- 高春清高明伟林志锋张云山张秀勇朱凌妮
- 关键词：激光器非平面环形腔
