朱南昌
- 作品数：19 被引量：27H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- (CdTe—ZuTe)/ZnTe/GaAs(100)超晶格结构的X射线测定
- 1993年
- 用X射线衍射,并结合X射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法,对(CdTe-ZnTe)/ZnTe/GaAs(100)应变超晶格材料的结构进行了研究,得到了其结构参数和信息.
- 钟福民陈京一朱南昌李杰袁诗鑫
- 关键词：X射线衍射超晶格
- 白光快速退火注Si￣＋砷化镓的X射线双晶衍射谱
- 1995年
- 对注Ｓｉ￣＋的ＧａＡｓ样品（注入能量１８０ｋｅＶ、剂量５×ｌ０￣（１２）～１０￣（１５）ｃｍ￣（－２）采用白光快速退火，测量其χ射线双晶衍射谱并结合背散射，Ｈａｌｌ测量结果，分析了注入引起的应变及掺杂机理。根据电学测量结果用迁移率理论计算了补偿比．结果表明：ＧａＡｓ中Ｓｉ￣＋注入掺杂，在低剂量注入时，Ｓｉ的两性是影响激活率的主要原因；高剂量注入时，残留间隙Ｓｉ原子的存在是导致激活率低的主要因素。
- 顾宏夏冠群陈京一朱南昌沈鸿烈周祖尧
- 关键词：离子注入双晶衍射砷化镓白光
- 高完整Ge_xSi_(1-x)/Si应变超晶格的X射线双晶衍射研究
- 1991年
- 本文用X射线双晶衍射技术对分子束外延生长的Ge_xSi(1-x)/Si应变超晶格的结构参数进行研究,分别采用X射线运动学理论和动力学理论对超晶格的双晶摆动曲线进行计算模拟,得出超晶格的全部结构参数;并对这两种理论计算模拟的结果进行比较,发现这两种理论计算的结果基本一致,只是在细微结构上略有差别,对高完整Ge_xSi(1-x)/Si超晶格,用动力学理论计算的曲线更接近于实验曲线。
- 田亮光朱南昌陈京一李润身许顺生周国良
- 关键词：超晶格双晶衍射SI
- 半导体应变超晶格结构与界面的X射线双晶衍射研究被引量：6
- 1991年
- 本文应用X射线在畸变晶体中的动力学衍射理论,分析了超晶格衍射峰强度分布的规律,计算了应变超晶格中界面变化,层厚波动对双晶摇摆曲线的影响,并初步探讨了超晶格衍射峰之间的小峰消失以及衍射峰宽化的原因,研究表明,衍射峰强度分布依赖于超晶格周期中层厚、成份及应变的综合效果,界面和层厚波动将对摇摆曲线产生一定影响,而晶格弯曲是使衍射峰宽化的主要原因。
- 朱南昌李润身许顺生
- 关键词：超晶格X射线双晶衍射
- 不同生长温度下Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料结构的X射线双晶衍射研究被引量：2
- 1995年
- 本文通过Ｘ射线双晶衍射和双晶摇摆曲线的计算机模拟方法研究了在Ｓｉ（００１）上生长的Ｇｅ０．５Ｓｉ０．５／Ｓｉ应变层超晶格的结构及其完整性，结果表明：在３５０－５５０℃的低温生长条件下，可生长出较高质量的超晶棺材料，并且在３５０℃时质量最好．在这些样品的生长过程中界面上产生了不同程度的失配位错，并与生长温度有关．周期厚度有４％以内的波动，层与层之间有轻微的混元，观察到了超晶格卫星衍射峰的分裂现象，并进行了讨论．
- 朱南昌陈京一李润射许顺生周国良张翔九俞鸣人
- 关键词：超晶格材料双晶衍射
- （ZnSe／Cdse）ZnSe／GaAs（001）多量子阱材料的X射线双晶衍
- 1995年
- 给出了通过测量３条Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线计算多层外延材料各层成份、界面共格度及晶向偏角的方法，并对（ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ）ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（００１）多量子阱材料的结构、应变及界面进行了研究．结果表明：ＺｎＳｅ缓冲层与衬底之间的界面共格度接近干零，而多量子阱部分与缓冲层之间的界面接近完全共格，表明多量子阱结构有较好的结构完整性．缓冲层与衬底之间有晶向偏角，而多量子阱结构与缓冲层之间无晶向偏角．在复杂多量子阱材料的摇摆曲线上未见内周期的卫星衍射峰．多量子阱实际的生长厚度比设计厚度小２０％～３０％，说明生长过程中存在表面原子的逃逸，致使样品的不同部位存在组份、厚度的不均匀和局部的应变。还讨论了Ｘ射线衍射仪与双晶衍射仪在测定多量子阱结构时的差别．
- 朱南昌李润身陈京一彭中灵袁诗鑫
- 关键词：X射线双晶衍射多量子阱硒化镉
- X 射线双晶衍射在新材料研究中的应用被引量：3
- 1991年
- 本文介绍了 X 射线双晶衍射术的基本原理。描述了双晶衍射技术在半异体材料的离子注入、单层及多层异质结外延膜、应变超晶格等新型材料研究中的应用。给出了双晶衍射对 Si 中高能 B^+注入和 In_xGa_(1-x)As/GaAs 超晶格研究的实例。
- 朱南昌李润身陈京一
- 关键词：X射线双晶衍射半导体材料
- 外延层组分界面状况的X射线双晶衍射测定被引量：10
- 1995年
- 本文介绍了一种用Ｘ射线双晶衍射仪测定外延层与衬底界面状况并同时测定外延层点阵常数及组分的方法，只需测量三个衍射，并考虑了晶体表面偏离对称轴的影响．同时，引入了表征界面状态的界面共格因子，讨论了它的意义．实验结果表明：在测定大失配体系外延材料的组分时，同时测定外延层与衬底之间以及外延层与外延层之间的界面关系是必要的．
- 朱南昌李润身陈京一许顺生
- 关键词：外延层X射线双晶衍射
- 晶体表面畸变的X射线双晶衍射研究被引量：3
- 1990年
- 本文介绍了表面畸变的晶体中X射线动力学衍射分层模型的计算原理和通过计算机模拟双晶摇摆曲线获得畸变层信息的方法,讨论了不同的双晶排列方式对摇摆曲线和模拟计算的影响,分析了畸变层内应变、损伤分布与摇摆曲线的关系,并以B^+注入Si(100)晶片为例,给出了模拟结果。
- 朱南昌李润身陈京一许顺生
- 关键词：晶体X射线双晶衍射
- HgCdTe块晶不完整性的X射线双晶衍射研究
- 1995年
- 利用高精度Ｘ射线双晶衍射术，研究了碲熔剂法生长的Φ１５ｍｍ的Ｈｇ０．８Ｃｄ０．２Ｔｅ块晶片的结构不完整性，发现工艺大致相同的块晶晶体完整性差别十分明显，但它们的晶格不完整性沿径向的分布具有共同特征─呈Ｗ形，这表明晶格不完整性与晶体生长或退火处理过程中的应力场有关．
- 施天生朱南昌沈杰方家熊
- 关键词：HGCDTEX射线双晶衍射
