李巧芬
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
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- 发文基金：国家自然科学基金高等学校学科创新引智计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信航空宇航科学技术化学工程更多>>
- 第一性原理研究PDP放电单元MgO保护层各种空缺对二次电子发射系数的影响被引量：6
- 2009年
- 基于密度泛函理论的第一原理赝势法,研究了PDP放电单元中MgO保护层在形成氧空缺后的电子结构的变化。通过对能带结构和态密度分布的计算,可以看到MgO形成氧空缺后在禁带中引入了能级。本文计算了完整MgO以及含F、F+、F2+空缺的MgO晶体,得到不同能带结构和态密度分布,同时计算了相应的二次电子发射系数。结果表明空缺的形成,可有效提高二次电子发射系数,其中形成F空缺的MgO晶体的二次电子发射系数最大。
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- 关键词：第一性原理空缺
- 浅谈附载体铜箔剥离层专利技术的发展被引量：1
- 2019年
- 附载体铜箔在将极薄铜层贴合至基板后通过剥离层与载体分离时,剥离层能够减弱载体的剥离强度、且确保该强度的稳定性,实现印制电路板导体图案的微间距化。本文对附载体铜箔中剥离层技术从专利角度进行了梳理,并结合具体专利展示了附载体铜箔中的剥离层技术的发展脉络。
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- PDP放电单元Si掺杂MgO保护层二次电子发射系数理论研究被引量：3
- 2010年
- 采用基于密度泛函理论的原子轨道展开方法的第一性原理计算了Mg1-xSixO体系的电子结构、用SIESTA软件包计算了Mg1-xSixO体系的晶胞结构,体系基态总能,确定了MgO的最优晶格常数。同时,计算了Mg1-xSixO的能带结构、态密度、分波态密度等。针对采用氖氙混合气体的PDP放电单元,分析了Si掺杂对MgO晶体的电子结构以及氖离子和氙离子二次电子发射系数的影响。结果表明,掺入微量的Si(掺杂浓度小于0.06)可提高MgO保护层氖离子和氙离子的二次电子发射系数,其中氙离子的二次电子发射系数的提高尤为显著。同时由分析结果表明,Si掺杂量存在最优化值为0.0185。
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- 关键词：等离子体平板显示
- 基于GW+BSE第一性原理PDP保护层材料Mg_(1-x)Zn_xO激子光谱研究
- 2015年
- Mg O薄膜被认为是等离子体显示器件中介质保护膜的最理想材料。本文基于密度泛函理论的第一性原理,研究了掺锌Mg O保护层材料的特性。通过计算不同掺锌浓度下Mg1-xZnxO复合材料的电子结构,分析相应的能带结构和波态密度分布,并在此基础上通过求解Bethe-Salpeter方程计算相应的动态介电函数,以及激子光谱,激子谐振强度和激子束缚能。结果表明:随着掺锌浓度的增加,Mg1-xZnxO复合材料的禁带宽度和激子束缚能均逐渐减小,激子光谱发生红移。说明Mg O掺杂锌后一方面有利于提高保护层材料的二次电子发射效率降低其着火电压;另一方面有利于提高外逸电子发射,减小等离子体显示器件的寻址jitter,从而增强放电的稳定性。
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- 关键词：第一性原理二次电子发射
- MgO激子束缚能—第一性原理GW-BSE研究被引量：1
- 2013年
- 采用第一性原理计算了MgO的电子结构和激子光谱。通过解贝塞尔方程,得到MgO的吸收光谱,同时计算了MgO的激子束缚能。由计算结果知MgO中存在强烈的激子效应,激子束缚能约83 meV。在室温条件下,由于MgO的激子束缚能大于热能,因此激子效应可能对等离子平板显示单元的放电性能产生重要影响。本文还研究了不同布里渊k点密度下的MgO激子光谱,研究结果可帮助理解MgO晶体中激子的物理性质。另外暗激子则被认为是MgO暴露在真空紫外等离子辐射后另一可能的外电子发射源。
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- 关键词：第一性原理BSE
