李悰
- 作品数：7 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第三十八研究所更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金江苏省自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 进口塑封集成电路键合点分层现象的识别被引量：1
- 2017年
- 进口塑封集成电路在军用电子设备中普遍使用,但由于采购渠道的限制,产品质量参差不齐,如何甄别有潜在风险的产品尤为重要。在本文中,我们报道了一起案例:通过补充筛选试验无法鉴别产品的潜在缺陷,但在进行破坏性物理分析时,通过X射线检查、金相显微和扫描电子显微检查发现引脚处键合点存在分层,分为上、下两层。进一步的我们通过电子能谱对分层的键合点和键合丝分别进行了成分分析,发现下层键合点材料成分为Au,而上层键合点和键合丝均为Cu。该案例可为同类产品的鉴别工作提供参考。
- 李悰许彦鑫何宏平
- 关键词：破坏性物理分析键合点
- 低杂散接收光控波束形成系统及基于LabVIEW的显控软件设计
- 2024年
- 针对微波光子接收相控阵雷达存在杂散干扰的问题,本文提出了一种一维光控波束接收系统,该系统采用子阵划分的方式,改进了系统的杂散水平。同时编写了一套基于LabVIEW的显控软件,通过实时微调激光器波长并监测杂散水平来自动优化系统杂散,经过实验验证,杂散得到有效抑制。
- 戴泽璟王鹏李悰张静田朝辉王凯
- 关键词：微波光子LABVIEW低杂散四波混频
- nc-Ge/SiNx多层膜材料的可调控非线性光学特性
- 2016年
- 采用等离子体增强化学气相沉积和后退火的方法制备了纳米锗/氮化硅(nc-Ge/SiN_x)多层薄膜。借助Raman光谱仪对其微结构进行表征,测得样品的晶化率大于46%。由样品的光吸收谱可知,nc-Ge的尺寸越小,其光学带隙越大。利用Z扫描技术对样品的非线性光学特性进行研究,以波长为1 064 nm、脉宽为25 ps的锁模激光作为激发光,测得样品的非线性折射率系数在10^(-10)cm^2/W数量级。实验结果表明,通过改变nc-Ge的尺寸可以使材料的非线性光学折射率由自散焦转变为自聚焦特性,而负的非线性折射率系数可归因于两步吸收产生的自由载流子散射效应。当激发光强增大时,在锗层厚度为6 nm的多层膜中同时存在两步吸收过程和饱和吸收过程。两种非线性光学吸收过程之间的竞争是样品呈现不同非线性光学特性的主要原因。
- 李悰张培姜利英陈青华闫艳霞姜素霞
- nc-Ge/SiNx多层膜的非线性光学性质
- 纳米硅基的光放大器,波长转换器和全光开光等光电子器件的研究已经取得了一定的进展,但现有的纳米硅材料的三阶非线性折射率系数仍然较小,这就限制了其在非线性光学器件中的应用。与Si材料相比,半导体Ge具有很多独特的性质:更小的...
- 张培李悰姜利英李青华闫艳霞姜素霞
- 文献传递
- 雷达微波功率管引脚失效仿真分析与优化
- 2017年
- 针对微波功率管在温度循环试验中出现的引脚脱落故障,通过力学仿真进行故障复现和失效机理分析,确定了功率管底座与盒体材料的热膨胀系数不匹配,以及连接方式不合理是造成引脚失效的主要原因。在不改变器件材料的前提下,提出了将功率管与盒体的连接方式从焊接改为螺钉连接的优化设计方案。通过仿真和试验验证,证明了该优化方案能有效解决引脚失效问题。
- 胡子翔王志海邓友银李悰
- 关键词：微波功率管热膨胀系数
- 超薄氢化非晶锗膜的结构与光电性质被引量：3
- 2011年
- 通过PECVD制备出了不同厚度的a-Ge∶H膜,采用Raman光谱对样品进行了结构表征,由椭圆偏振光谱仪得到样品的厚度和光学常数,并计算了样品的光学带隙。由变温电导率分析了薄膜的电学输运性质,结果表明,载流子的传输机制为扩展态电导。进而利用变温PL谱研究了薄膜的发光性能,发现其发光峰在1.63μm处;随着膜厚的减小,峰位和峰形都有改变,且强度明显提高。进一步分析发现,随着膜厚的减小非辐射复合跃迁的激活能增大,从而导致辐射复合过程增强。
- 李悰徐骏林涛李伟李淑鑫陈坤基
- 关键词：光学带隙光致发光
- nc-Ge/SiN_x多层膜的光致发光特性
- 2017年
- 通过将a-Ge∶H/a-SiN_x多层膜进行氧化,制备了nc-Ge/SiN_x多层膜。观察到了室温下的强烈可见光发射,发光波长为500nm。通过分析,排除了与量子限制效应有关的光发射机制,也排除了与Si和N相关的缺陷产生的复合机制,认为该发光源于氧化后的a-SiN_x介质层中带尾态之间的辐射复合,最有效的激发能量约为介质层的带隙。
- 李悰许彦鑫何宏平
- 关键词：光致发光
