您的位置： 专家智库 > >

李斌桥

作品数：45 被引量：101H指数：6
供职机构：天津大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇期刊文章
  • 13篇专利

领域

  • 25篇电子电信
  • 8篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 18篇图像
  • 13篇感器
  • 13篇传感
  • 13篇传感器
  • 11篇图像传感器
  • 10篇CMOS图像
  • 10篇CMOS图像...
  • 8篇电路
  • 6篇网络
  • 5篇集成电路
  • 4篇处理器
  • 3篇低功耗
  • 3篇多核
  • 3篇英文
  • 3篇噪声
  • 3篇上网
  • 3篇数字图像
  • 3篇特征点
  • 3篇图像质量
  • 3篇片上网络

机构

  • 44篇天津大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 45篇李斌桥
  • 21篇徐江涛
  • 19篇姚素英
  • 17篇史再峰
  • 12篇庞科
  • 5篇刘江明
  • 4篇李树荣
  • 4篇高静
  • 4篇周佳慧
  • 4篇高天野
  • 4篇李钊
  • 3篇聂凯明
  • 3篇曹清洁
  • 2篇朱天成
  • 2篇刘激扬
  • 2篇郭维廉
  • 2篇王阳元
  • 2篇郑云光
  • 2篇陈弘达
  • 2篇赵毅强

传媒

  • 5篇Journa...
  • 3篇电子技术应用
  • 3篇传感技术学报
  • 2篇光电子．激光
  • 2篇光学学报
  • 2篇天津大学学报
  • 2篇传感器与微系...
  • 1篇电视技术
  • 1篇电子学报
  • 1篇计算机工程
  • 1篇电源技术
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇计算机工程与...
  • 1篇电路与系统学...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微处理机
  • 1篇微电子学
  • 1篇南开大学学报...
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇电子设计工程

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 14篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
  • 3篇2006
  • 3篇2003
  • 2篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1991
共 45 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
用于数字图像传感器的脉冲宽度调制读出方法研究被引量：2
2015年
为提高数字像素图像传感器的动态范围,提出了一种具有自适应参考电压的脉冲宽度调制读出方法。该方法将像素阵列分成包含相同数目像素的像素块,通过参考电压产生模块使每个像素块的参考电压和像素块内光照强度相关,理论上这种结构能够将数字像素图像传感器的动态范围从48 d B提升至96 d B,实际仿真结果为88.16 d B。分析了像素分块内主要的噪声来源和参考电压产生模块的采样电容引入的偏差。采用65 nm CMOS工艺实现了4×4的像素块电路,在高光强和弱光强条件下分别将电路输出同理论计算值相比较,并分析了产生误差的原因。
刘慧颖李斌桥高志远姚素英
关键词：图像传感器脉冲宽度调制动态范围
用于众核处理系统的数据存储结构及数据访问方法
本发明涉及计算机技术领域，为解决众核处理器数据存储延迟大、传输效率低而导致的无法继续提升众核计算单元阵列并行计算效率的问题，提出一种用于众核处理系统的数据存储结构，给出用于所述的众核处理系统的数据存储结构的数据访问方法，...
史再峰刘江明庞科周佳慧姚素英李斌桥
文献传递
低噪声四管像素CMOS图像传感器设计与实现被引量：4
2009年
基于SMIC 0.18μm工艺设计了一种低噪声的四管像素结构.通过在像素内增加传输管和存储节点实现了相关双采样,可同时消除固定模式噪声和随机噪声;采用Pinned光电二极管技术大幅降低了表面暗电流.所设计像素尺寸为3.6μm×3.6μm,并将其应用于一款648×488像素阵列CMOS图像传感器,经流片测试,图像传感器信噪比可达42 dB,在25℃下表面暗电流为25 mV/s(转换成电压表示的).所设计的四管Pinned光电二极管像素结构相对于传统三管像素结构,具有较低的噪声和暗电流.
徐江涛李斌桥姚素英任张强
关键词：CMOS图像传感器随机噪声暗电流
高阶曲率补偿电流模式的CMOS带隙基准源被引量：2
2008年
为获得一个稳定而精确的基准电压，提出了一种适用于低电源电压下高阶曲率补偿的电流模式带隙基准源电路,通过在传统带隙基准源结构上增加一个电流支路，实现了高阶曲率补偿。该电路采用Chartered 0.35μm CMOS工艺，经过Spectre仿真验证，输出电压为800mV，在-40～85℃温度范围内温度系数达到3×10^-6℃^-1，电源抑制比在10kHz频率时可达-60dB，在较低电源电压为1．7V时电路可以正常启动，补偿改进后的电路性能较传统结构有很大提高．
李斌桥许延华徐江涛姚素英
关键词：CMOS带隙基准源高阶曲率补偿电流模式低电源电压
多处理器片上网络互连阵列尺寸的开发方法
本发明涉及多核处理器及片上系统、片上多核互联网络，为提供一种针对图像处理特定应用的MPSoC实现，对片上网络不同的互连尺寸进行对比和开发，从而找出最适合该应用的NoC阵列尺寸的开发流程。为此，本发明采取的技术方案是，多处...
姚素英庞科史再峰徐江涛李斌桥李钊
文献传递
用于高速CMOS图像传感器的电容复用型循环ADC
2013年
设计了一种用于高速CMOS图像传感器的列并行标志冗余位(RSD)循环式模/数转换器(ADC)。该ADC在每次循环中采样和量化输入信号同步进行,速度比传统的循环式ADC提高了1倍。利用电容复用技术,对于像素输出信号的相关双采样(CDS)操作和精确乘2运算,将仅使用1个运放和4组电容来实现,减小了芯片面积。通过0.18μm标准CMOS工艺完成了ADC电路设计和仿真。SPICE仿真结果表明,在4 MS/s的采样速度和1.8 V电源电压下,ADC的SNDR达到55.61 dB,有效位数为8.94 bit,功耗为1.34 mW,满足10 bit精度高速CMOS图像传感器系统的应用要求。
李斌桥刘浩阳徐江涛聂凯明徐新楠
关键词：CMOS图像传感器
缓解热点的片上网络拓扑结构
本发明属于集成电路领域，为实现以传统的2D‑Mesh拓扑的基础的新型二维拓扑结构，在不显著增加面积的情况下缓和网络中央的热点，减少拥塞几率，提升吞吐率，降低延时，缓解热点的片上网络拓扑结构，在包括R0‑R24共25个路由...
史再峰杨浩宇庞科李斌桥
文献传递
采用多核处理器进行可重构并行仿真的方法
2014年
文中对多传感器视觉信息处理算法进行分析,根据可重构处理器的并行计算参数模型提出了一种并行计算仿真的方法。多核处理器环境中,每个线程在独立的核上运行,线程间具有并发性。利用并发的线程模拟可重构阵列单元(PE)的运算方式,调用OpenMP设置多个线程并行执行,在多核计算机平台上模拟可重构处理器的计算过程。利用此方法能在没有具体的PE连接方案前,通过使用计算核模拟PE单元,将算法映射到多核处理器环境中。通过分析算法在多核计算机上的并发执行效率,来优化视觉信息算法在可重构阵列上的映射方案。
郭美菊史再峰李斌桥
关键词：可重构视觉信息处理多传感器
用于CMOS图像传感器的9位10MS/s低功耗流水线ADC(英文)被引量：2
2007年
提出了一个用于CMOS图像传感器的9位10MS/s、低功耗流水线ADC.为降低功耗,该设计通过采用低功耗、宽摆幅的带有增益增强结构的放大器以及将所有单元共用偏置电路的技术来实现.共用偏置技术需要仔细的版图设计和在电路中加入大的去耦合电容来实现.此外,设计中也采用电容阵列DAC来降低功耗.同时,为了增大信号处理范围,设计中还采用低阈值电压的MOS管.该ADC采用4M-1P的0.18μm CMOS工艺设计制造.对芯片的测试结果表明该设计的功耗仅为7mW,相对其他设计是相当低的.该ADC已经应用于30万像素图像传感器系统中,该系统已经流片、测试.
朱天成姚素英李斌桥
关键词：流水线ADC低功耗设计CMOS图像传感器
Monte Carlo法模拟亚微米GaAs MESFET直流特性被引量：3
1991年
用 Monte Carlo法模拟了亚微米 GaAs MESFET的直流特性.不同栅压下源漏电流与源漏电压的关系表明,器件具有较高的跨导.在栅下沟道区和栅漏之间的区域均有较强的电场,使得大量的电子在漏区进入能量较高的X带能谷.电子浓度的分布表明,电子的过冲过程主要发生在栅下沟道区,因而,在这一区域,电子的平均漂移速度较高.但在漏区由于电子处于有效质量大的X带能谷中,因此,在这一区域内,电子的平均漂移速度降低.
赵鸿麟李斌桥陈弘达
关键词：GAASMESFET蒙特卡罗法直流特性
全选 清除 导出
共5页<12345>
聚类工具0