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李胜华
作品数:
1
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供职机构:
上海交通大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张桂成
中国科学院上海冶金研究所上海微...
史智华
中国科学院上海冶金研究所上海微...
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史智华
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张桂成
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李胜华
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电子科学学刊
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1篇
1990
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γ辐照对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响
1990年
本文研究了γ辐照对光通信用1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响,结果表明:在辐照剂量1×105—1×107rad范围内,辐照前后器件的光功率和电带宽未发生明显变化;当辐照剂量>1×107rad后,器件的光功率下降,电带宽上升。器件在辐照前后的l-V特性和EL图象未发生变化。用少子寿命的变化度(τ/τ0)讨论了有关结果。
张桂成
史智华
李胜华
关键词:
异质结
发光管
INGAAS/INP
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