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杜长运

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：深圳大学光电工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇电性质
  • 1篇氧化锡
  • 1篇有机发光
  • 1篇空穴
  • 1篇空穴注入
  • 1篇共掺
  • 1篇光电性质
  • 1篇发光
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇P型
  • 1篇SNO2薄膜
  • 1篇ITO
  • 1篇臭氧
  • 1篇臭氧处理

机构

  • 2篇深圳大学

作者

  • 2篇杜长运
  • 1篇曾鹏举
  • 1篇杨谢威
  • 1篇连加荣
  • 1篇廖巧生
  • 1篇牛憨笨
  • 1篇王智勇
  • 1篇杨瑞博
  • 1篇李庆青
  • 1篇偰正才
  • 1篇杨谢危

传媒

  • 1篇现代显示
  • 1篇2012中国...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Mg、F 共掺p型SnO2薄膜的光电性质研究
本文将Mg、F共掺SnO2，考察不同掺杂比例下对SnO2薄膜光电性质的影响，并探讨实现p-型非晶氧化物TFT的可行性。结果表明，采用Mg、F共掺杂SnO2，不仅能扩宽SnO2薄膜的光学带隙，同时随着掺杂量的增加，SnO2...
廖巧生李庆青王智勇杨瑞博杨谢威杜长运偰正才牛憨笨
关键词：半导体薄膜光电性质
文献传递
暴露空气对臭氧处理ITO表面效果的影响
2011年
文章研究了暴露空气对臭氧处理ITO表面效果的影响。结果表明,臭氧处理ITO表面显著提高了器件的空穴注入能力,暴露空气减弱了臭氧处理对空穴注入的提高效果。研究显示,暴露空气对臭氧处理效果的影响在于:不仅减小ITO表面功函数,导致空穴注入势垒重新增大,也将降低ITO表面能,减弱空穴注入层的粘附力,增加阳极界面接触电阻。
连加荣杨谢危杜长运曾鹏举
关键词：有机发光空穴注入臭氧处理
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