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杨云柯

作品数：3 被引量：12H指数：1
供职机构：清华大学航天航空学院更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇氮化镓
  • 2篇优化设计
  • 2篇数值仿真
  • 2篇流体力学
  • 2篇计算流体力学
  • 2篇仿真
  • 2篇MOCVD
  • 1篇数值模拟
  • 1篇气相
  • 1篇气相反应
  • 1篇金属有机物
  • 1篇CFD
  • 1篇GAN
  • 1篇值模拟

机构

  • 3篇清华大学

作者

  • 3篇杨云柯
  • 2篇高立华
  • 2篇陈海昕
  • 2篇符松

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇工程力学

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2005
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
MOCVD生产GaN气相、表面反应的数值模拟被引量：1
2007年
采用计算流体力学方法对生长GaN的立式行星结构金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应室中的流场、空间气相反应和载片表面沉积速率进行了三维数值模拟,研究了载片旋转、反应室高度、氨气流量和基座不同温度布局方式对反应产物浓度分布和载片表面沉积速率等物理参数的影响,并对主要运行参数提出了优化建议,例如采用较低反应室高度、基座中心附近采用较低温度等.
高立华杨云柯陈海昕符松
关键词：CFDGANMOCVD气相反应
喷淋式GaN-MOCVD反应室的CFD数值仿真及优化被引量：12
2007年
利用计算流体力学(CFD)方法对某型立式喷淋式金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应室流场进行了三维数值仿真,研究了影响MOCVD反应室流场结构的各工作参数(流量、温度、压力)的作用机制,并对试制中的MOCVD设备的几何结构及进气方式进行了改进,采用了圆弧形过渡拐角及泊肃叶型入口速度剖面,以形成稳定均匀的流场,从而保证氮化镓(GaN)的生长质量。
杨云柯高立华陈海昕符松
关键词：氮化镓MOCVD计算流体力学数值仿真优化设计
氮化镓-金属有机物化学气相沉积反应室流动的数值仿真
杨云柯
关键词：氮化镓计算流体力学数值仿真优化设计
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