江李
- 作品数：11 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 大功率670nm半导体激光器的研制被引量：1
- 2005年
- 采用低压金属有机化学气相沉积生长了670nm激光器外延片,有源区采用单量子阱结构,阱区、垒区分别为InGaAsP和AlGaInP.利用该外延片制作了带无电流注入区的氧化物条形激光器.激光器腔长为900μm,电流注入区条宽为100μm,两端的无注入区宽度均为25μm.镀膜后器件的阈值电流为0.4A,输出波长670士2nm,最大输出功率为1100mW,水平、垂直发散角分别为8°,40°.表明该种结构可以提高器件的腔面光灾变功率.
- 林涛江李王俊谭满清刘素平韦欣王国宏马骁宇
- 关键词：半导体激光器金属有机化学气相沉积
- 卢瑟福背散射实验确定离子注入型半导体可饱和吸收镜研制过程中的注入剂量研究
- 2003年
- 通过测量卢瑟福背散射沟道谱和随机谱,掌握了一种可以对制作离子注入型半导体可饱和吸收镜过程中离子注入的剂量进行选择的方法。
- 王勇刚马骁宇江李林涛刘媛媛
- 关键词：半导体可饱和吸收镜离子注入
- 低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法
- 一种低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法，包含下述步骤：利用MOCVD方法，在高的生长温度下，在衬底上生长缓冲层；将反应室温度降低至低的生长温度；以及减小通入反应室的反应源V/III比，保持掺杂源流量以及其它...
- 江李林涛韦欣王国宏马骁宇
- 文献传递
- InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究被引量：1
- 2007年
- 介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT器件,发射极尺寸为1.5μm×10μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVCEO≥10V,截止频率,ft和最高振荡频率,fmax分别为50和55GHz;
- 蔡道民李献杰赵永林刘跳林涛江李马晓宇
- 关键词：INP自对准
- 铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法
- 一种铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器，其中包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一下包层，该下包层制作在缓冲层上；一下波导层，该下波导层制作在下包层上，起到光场限制作用；一有源区，该有源区制作在下波导层上，...
- 林涛江李陈芳刘素平潭满清王国宏韦欣马骁宇
- 文献传递
- 提高铟镓砷化合物半导体中n型掺杂浓度的方法
- 一种提高铟镓砷化合物半导体中n型掺杂浓度的方法，其特征在于，包含下述步骤：利用MOCVD方法，在655℃生长温度下，在磷化铟衬底上生长磷化铟缓冲层；将反应室温度降低至600℃的生长温度；以及减小通入反应室的反应源V/II...
- 江李林涛韦欣王国宏马骁宇
- 文献传递
- InP基长波长光发射OEIC材料MOCVD生长技术研究
- 光电子集成电路(OEIC)以其体积小、结构紧凑、寄生效应小以及低成本、低功耗的优点成为实现超大容量信息高速传输、处理、交换和存储的一条重要途径.作为OEIC的基础,如何优化其外延材料的性能是这一研究领域的关键问题之一.该...
- 江李
- 关键词：光电子集成电路异质结双极晶体管磷化铟
- 半绝缘衬底长波长半导体激光器及其制作方法
- 一种半绝缘衬底长波长半导体激光器，主要包括：P面电极部分和N面电极部分以及两者间的隔离沟道；其中，P面电极部分和N面电极部分主体包括：一半绝缘铟磷衬底；一低压金属有机化合物气相沉积法生长的激光器材料结构，该激光器材料结构...
- 林涛江李陈芳刘素平马骁宇
- 文献传递
- InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长被引量：1
- 2005年
- 为了生长制作器件所需的外延片 ,采用低压金属有机物化学气相沉积方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管 (HBT)结构、1 5 5 μm多量子阱激光二极管以及两者集成的光发射光电集成电路材料结构 .激光器结构的生长温度为 6 5 5℃ ,有源区为 5个周期的InGaAsP/InGaAsP多量子阱 (阱区λ =1 6 μm ,垒区λ =1 2 8μm) ;HBT结构则采用 5 5 0℃低温生长 ,其中基区采用Zn掺杂 ,掺杂浓度约为 2× 10 19cm-3 .对生长的各种结构分别进行了X射线双晶衍射 ,光致发光谱和二次离子质谱仪的测试 ,结果表明所生长的材料结构已满足制作器件的要求 .
- 江李林涛韦欣王国宏张广泽张洪波马骁宇李献杰
- 关键词：金属有机化学气相沉积光电集成电路异质结双极晶体管
- OEIC用HBT材料的MOCVD生长技术研究
- 在550℃的低温下,利用低压金属有机化学气相沉积（LP-MOCVD）方法在半绝缘InP衬底上生长出InP/InGaAs异质结双极晶体管（HBT）材料结构。通过低温生长提高了HBT基区p型掺杂浓度,达到2×1019cm-3...
- 江李林涛韦欣王国宏张广泽马骁宇李献杰
- 关键词：异质结双极晶体管铟镓砷磷化铟
- 文献传递
