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S钝化GaAs(100)表面的电子特性: 2002年; 用TB LMTO方法研究单层的S原子在理想的GaAs(1 0 0 )表面的化学吸附 ,对GaAs(1 0 0 )表面是Ga 和As 中断两种情况分别进行考虑 .计算了S原子在不同位置的吸附能、吸附体系与清洁的GaAs(1 0 0 )表面的层投影态密度 ,以及电子转移情况 .结果表明 ,两种情况下S原子都是桥位吸附最稳定 ,S Ga相互作用比S As稍强 ,S钝化GaAs(1 0 0 ); 马丽危书义汪建广; 关键词：化学吸附钝化相互作用

Mn在Si(100)表面化学吸附电子结构的研究: 2002年; 用TB—LMTO方法研究单层Mn原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附 .计算了Mn原子在不同位置的吸附能 .结果表明 ,Mn原子在C位 (四重位 )吸附最稳定 ,在Mn/Si(10 0 )界面存在Mn、Si混合层 .; 危书义马丽戴现起汪建广; 关键词：MN SI(100)表面化学吸附电子结构

Magnetism and Stability of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga_(1-x)Fe_x)As被引量：1: 2004年; Magnetism and the stability of (Ga 1-xFe x)As are investigated using the first principles LMTO-ASA band calculation by assuming supercell structures.Four concentrations of the 3d impurities are studied (x=1,1/2,1/4,and 1/8).The results show the effect of varying Fe concentration on the magnetic and stable properties.; 危书义闫玉丽王天兴夏从新汪建广; 关键词：MAGNETISM STABILITY

Au钝化Si(100)表面的电子特性: 2003年; 用TB -LMTO方法研究单层的Au原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附。计算了Au原子在不同位置的吸附能 ,吸附体系与清洁Si(10 0 )表面的层投影态密度 ,以及电子转移情况。结果表明 ,Au原子在吸附面上方的A位 (顶位 )吸附最稳定 ,Au钝化Si(10 0 )表面可以取得明显的钝化效果 ,这一结论与实验事实相符合。; 危书义汪建广马丽; 关键词：化学吸附钝化

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汪建广