潘峰
- 作品数：14 被引量：27H指数：4
- 供职机构：北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西理工学院科研基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程一般工业技术更多>>
- RF溅射稀土(La,Nd)掺杂ZnO薄膜的结构被引量：2
- 2008年
- 通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了未掺杂和镧、钕掺杂ZnO薄膜。XRD分析表明,ZnO薄膜具有c轴择优生长,镧、钕掺杂ZnO薄膜为自由生长的纳米多晶薄膜。用AFM观测薄膜的表面形貌,镧、钕掺杂ZnO薄膜表面形貌粗糙。
- 文军陈长乐潘峰
- 关键词：稀土掺杂ZNO薄膜X射线衍射分析原子力显微镜射频磁控溅射
- 厚层抗蚀剂光刻技术研究进展
- 2007年
- 厚层抗蚀剂光刻是一种制作深浮雕结构的微细加工技术。综述了近年来厚层抗蚀剂光刻技术的最新进展,从厚层抗蚀剂光刻工艺原理以及计算机模拟诸方面分析了该技术区别与传统光刻的一些特点,并对其应用的研究现状进行了总结,最后指出了进一步发展厚层抗蚀剂光刻技术的关键问题。
- 郭颖潘峰周平和王少华刘世杰
- 关键词：光刻模拟技术
- 掺杂ZnO薄膜的研究现状被引量：5
- 2008年
- ZnO薄膜的性质取决于不同的掺杂元素和不同的制备工艺。概述了掺杂ZnO薄膜的研究现状,分析了不同掺杂组分对ZnO薄膜的P型转变特性、发光特性以及铁磁性质的影响,认为稀土掺杂可能使ZnO薄膜产生新的发光特性,共掺杂技术可能是实现ZnO薄膜特性改变的新途径。
- 文军陈长乐潘峰吴小丽张修兴
- 关键词：ZNO薄膜P型掺杂稀土掺杂稀磁半导体
- 非傍轴高斯光束通过方环硬边光阑的传输特性研究被引量：5
- 2006年
- 利用矢量Rayleigh积分公式研究了非傍轴高斯光束通过方环硬边光阑的传输,得到了衍射场分布的解析表达式。和傍轴传输相比较,该结果具有更广泛的适用性。以桶中功率为光束质量评价函数,讨论了遮拦比、截断参数对远场光束质量的影响。结果表明,环形光阑的尺寸决定着非傍轴光束远场能量分布的集中程度,截断参数和遮拦比的增大都会导致非傍轴高斯光束衍射效应增强,从而远场能量发散。
- 周平和潘峰郭颖卢进军姚进斌王少华刘世杰
- 关键词：光束质量
- RF溅射钕掺杂ZnO薄膜工艺与结构研究被引量：3
- 2008年
- 通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了未掺杂和Nd掺杂ZnO薄膜,研究了衬底温度、氧分压以及Nd不同掺杂浓度等工艺参数对薄膜的影响。薄膜的结构和表面形貌通过XRD分析和AFM观测,表明制备的薄膜为ZnO∶Nd纳米多晶薄膜,其表面形貌粗糙,不同沉积条件对薄膜生长有很大的影响。在纯氩气氛中、衬底温度为300℃的条件下,ZnO∶Nd薄膜具有c轴择优取向。
- 文军陈长乐潘峰
- 关键词：ND掺杂ZNO薄膜X射线衍射分析原子力显微镜射频磁控溅射
- 磁控溅射法生长ZnO薄膜的结构和表面形貌特性被引量：5
- 2010年
- 采用射频磁控溅射方法,在Si(111)和玻璃基片上制备ZnO薄膜。研究衬底温度和基片类型对薄膜结构、表面形貌的影响。结果显示,所有ZnO薄膜沿c轴择优生长,同种基片类型上生长的薄膜,随着衬底温度升高,(002)衍射峰强度和表面粗糙度增高;相同衬底温度下生长的ZnO薄膜,Si基片上制备的薄膜(002)衍射峰强度和表面粗糙度小于玻璃片上的。基片类型影响薄膜应力状态,玻璃片上制备的ZnO薄膜处于张应变状态,Si基片上的薄膜处于压应变状态;对于同种基片类型上生长的ZnO薄膜,衬底温度升高,应力减小。Si衬底上、300℃下沉积的薄膜颗粒尺寸分布呈正态。
- 潘峰郭颖陈长乐文军
- 关键词：ZNO薄膜衬底温度表面形貌
- 湿法刻蚀熔石英斜坡陡度的研究被引量：1
- 2004年
- 用浸没的湿法刻蚀方法,以熔石英为基板刻蚀材料,用优化配方的HF刻蚀液进行刻蚀,研究了HF刻蚀一维光栅台阶的斜坡陡度.分析了台阶斜坡陡度的理论值,并给出了其实验结果值,最后分析了影响刻蚀斜坡陡度的一些因素.
- 周平和刘世杰郭颖潘峰卢进军
- 关键词：湿法刻蚀各向同性熔石英二元光学元件
- 大学物理课程教学改革与实践被引量：1
- 2010年
- 本文针对我校大学物理课程教学中存在的实践能力培养欠缺、课程考核方式单一和课程教学专业服务功能不够等问题,提出具体改革方案,并在教学过程中实施,结果显示改革效果良好。
- 潘峰
- 关键词：大学物理教学
- 衬底温度对Zn_(0.85)Mg_(0.13)Al_(0.02O)薄膜结构和发光特性的影响
- 2009年
- 采用射频磁控溅射方法,在Si(111)基片上制备出Zn0.85Mg0.13Al0.02O薄膜。X射线衍射(XRD)证实Zn0.85Mg0.13Al0.02O薄膜为单相六角钎锌矿结构,衬底温度从室温升高到500℃,薄膜沿c轴择优生长。原子力显微镜(AFM)测量显示薄膜表面粗糙度随衬底温度的升高由9.32nm增加到19.94nm。荧光光谱仪(PL)测量显示薄膜在397nm附近有强的紫光发射,在486nm处有弱的蓝光峰,随衬底温度的升高紫峰强度提高15倍。在可见光范围内,薄膜平均透过率随衬底温度的升高由75%增加到95%,薄膜光学带隙分别为3.18,3.18和3.19eV。分析表明紫峰来自于自由激子复合,蓝峰由俘获在施主能级Zn填隙中的电子与俘获在受主能级Zn空位中的空穴复合而产生发光。
- 潘峰陈长乐文军金克新罗炳成韩立安陈钊
- 关键词：衬底温度光致发光
- 用同步辐射X射线衍射技术分析GaN/Si外延膜的结构与应变
- 2011年
- 选用有AlN和AlGaN缓冲层的GaN/Si作为测试样品,采用同步辐射X射线衍射(SRXRD)技术对样品外延膜(GaN)的几何结构、晶格常量及其应变进行了分析.结果表明,同步辐射X射线衍射实验可以作为一种有效的技术手段,测试固体结构及应变.
- 丁斌峰潘峰法涛成枫锋姚淑德
