王军华
- 作品数：34 被引量：14H指数：2
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- 相关领域：理学一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 钙钛矿/绝缘体陶瓷复相的渗流效应
- 2006年
- 将用溶胶-凝胶法得到的La0.67Ca0.33MnO3(LCMO)微粉与ZrO2的颗粒进行复合,制备了(LCMO)x/(ZrO2)1-x渗流复合体系。当LCMO的体积份数为40%时,复合体系达到渗流阈值,此时材料在低温下的磁电阻得到显著增强。77 K时在10 mT的磁场下,(LCMO)0.4/(ZrO2)0.6的磁电阻比为7.8%,相对于LCMO增加了712%。
- 王军华
- 关键词：庞磁电阻渗流阈值稀土掺杂
- Nb^(5+)的掺杂对La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3磁性和传输性的影响被引量：2
- 2007年
- 将用溶胶-凝胶法制备的La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)微粉与(Nb2O5)x/2粉在1100℃下混合烧结,形成了具有钙钛矿结构的锰氧化物与LaNbO4的复合体系,x是掺入的Nb5+离子与母体材料的摩尔比。在x=0.07的样品中得到最大电阻率为23.74Ω.cm,比LSMO高三个数量级。Nb5+离子的掺杂使样品的低场磁电阻(LFMR)和高场磁电阻(HFMR)效应都有所增强。77 K下,0.1 T和1 T磁场下在x=0.07样品中分别得到24%和33.8%的磁电阻效应,是LSMO样品的2倍和1.7倍。室温下x=0.05样品的磁电阻最大,为9%。其中,LFMR来源于颗粒晶界处电子的自旋相关隧穿及散射作用,而HFMR来源于表面层的自旋非共线结构。
- 王军华黄宝歆原晓波王成建刘宜华梅良模
- 关键词：庞磁电阻效应
- 一种半导体激光器窄脉冲驱动电路及其工作方法
- 本发明涉及一种半导体激光器窄脉冲驱动电路及其工作方法。该半导体激光器窄脉冲驱动电路，包括外部电源接口电路、窄脉冲产生电路和MOSFET脉冲驱动电路；外部电源接口电路分别为窄脉冲产生电路和MOSFET脉冲驱动电路供电。通过...
- 程文雍王晓倩王军华
- 文献传递
- 取代嘌呤-9-乙酰氨基异羟肟酸类组蛋白去乙酰化酶抑制剂及制备方法和应用
- 本发明公开了一种取代嘌呤-9-乙酰氨基异羟肟酸类组蛋白去乙酰化酶抑制剂及其制备方法和应用，化合物具有如通式I的结构。本发明的化合物对于HDAC有较强的抑制活性，可预防或治疗因组蛋白去乙酰化酶表达异常导致的相关哺乳动物疾病...
- 方浩王军华杨新颖徐文方易凡
- 文献传递
- 新型嘌呤类化合物的设计、合成及抗肿瘤活性研究
- 嘌呤是一类重要的细胞成分,参与生物体内的新陈代谢过程、生命过程中的能量转移、核酸合成以及多种生化反应,具有广泛的生物活性,作为生化工具、诊断治疗试剂被广泛应用,使得人们对于多功能嘌呤衍生物的生物活性产生浓厚兴趣。而嘌呤为...
- 王军华
- 关键词：抗肿瘤CDKHDAC
- 吡咯烷类Bcl-2蛋白小分子抑制剂化合物及其制备、药物组合物与制药用途
- 本发明涉及一种吡咯烷类Bcl-2蛋白小分子抑制剂化合物及其制备、药物组合物与制药用途。该化合物具有通式I的结构，本发明还提供该化合物的制备方法。活性筛选实验显示该化合物对Bcl-2抗凋亡蛋白成员和多种肿瘤细胞增殖具有抑制...
- 方浩孙凤娥陈明鲁王军华易凡
- 文献传递
- 制备条件和退火处理对Fe_x/(In_2O_3)_(1-x)颗粒膜结构、磁性及巨磁电阻的影响
- 2003年
- 用射频溅射法成功制备了金属/半导体型颗粒膜Fex(In2O3)1-x。实验结果表明样品的微结构、磁性和巨磁电阻效应受制备条件(如本底真空度、衬底温度、溅射电压等)以及热退火处理的强烈影响。较高的衬底温度有利于基体In2O3的晶化和Fe颗粒的成长。适当的热退火能促使Fe颗粒生长,使晶格畸变减小,从而改善膜的微结构。室温下,磁性测量表明样品具有超顺磁性,符合朗之万方程。高温退火后,颗粒的大小已超过单畴粒子的临界尺寸,引起矫顽力下降。
- 黄宝歆刘宜华王军华张林张汝贞梅良模
- 关键词：微结构超顺磁性巨磁电阻退火
- 一种晶体激光预处理与点对点损伤测试装置及测试方法
- 本发明涉及一种晶体激光预处理与点对点损伤测试装置及测试方法，属于激光预处理与损伤测试领域。本发明包括亚纳秒激光脉冲对待测样品晶体的激光预处理和纳秒激光脉冲对待测样品晶体预处理点的在线损伤阈值测试。通过测试装置中的半波片、...
- 程文雍王军华李晓芳杨厚文李大振
- 文献传递
- 一种避免透镜紫外激光损伤的装置及方法
- 本发明涉及一种避免透镜紫外激光损伤的装置及方法，激光器产生的基频光经倍频晶体倍频，倍频光和剩余的基频光直接经聚焦透镜聚焦，在光束会聚的过程中通过拼接晶体和频产生紫外激光，从而避免了熔石英透镜的紫外激光辐照。所述方法主要解...
- 程文雍王军华杨厚文
- 文献传递
- 金属掺杂对In2O3薄膜光学性质的影响
- 2006年
- 研究了射频溅射法制备的金属／半导体类型颗粒膜的光学特性。通过样品透射谱分析，发现金属Fe的掺杂使半导体In2O3的带间跌迁由直接跃迁变为间接跃迁；随Fe所占体积份数的增加，局域态尾变宽，带隙变窄。这是由于掺入Fe颗粒后。母体材料与金属颗粒的界面处表面态增多，以及母体材料的非晶化引起的。
- 王军华
- 关键词：颗粒膜局域态
