王红娟
- 作品数：25 被引量：89H指数：6
- 供职机构：南阳师范学院物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：高层次人才科研启动基金河南省基础与前沿技术研究计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术理学电子电信电气工程更多>>
- 薄膜结构性能变化中的“温度临界点”被引量：8
- 2005年
- 本文先从理论角度说明了薄膜结构性能变化中存在“温度临界点”,然后借助于XRD、Ram an等测试仪器研究分析了S i薄膜、AZO薄膜在晶化过程、晶粒长大过程以及性能突变中的“温度临界点”。结果显示:薄膜结构性能变化中确实存在“温度临界点”;在“温度临界点”前后薄膜结构性能的变化规律曲线出现拐点。进而推论:薄膜的结构性能在随温度变化中“温度临界点”可能不止一个。
- 张丽伟卢景霄李瑞冯团辉靳锐敏张宇翔李维强王红娟
- 关键词：X射线衍射拉曼光谱
- 基于模糊控制的变参数PMLSM垂直运输系统的研究被引量：1
- 2009年
- 针对垂直运动永磁直线同步电动机在实际运行过程中电机参数的变化情况,建立了电动机的变参数数学模型,并把模糊控制策略引入到控制系统中,实现电机的三闭环控制。利用Matlab软件建立系统的整体仿真模型,仿真实验结果表明,和PI控制比较,引入模糊控制策略的系统具有良好的控制特性,有效地提高了永磁直线电动机垂直运输系统运行的稳定性和可靠性。
- 刘红钊王红娟吕晓东
- 关键词：变参数永磁直线同步电动机模糊控制器
- 操纵论视角下《大地》王逢振中译本研究
- 20世纪70年代至90年代，翻译研究逐步完成了从语言研究到文化研究的历史转向。研究者们逐步从文本内部研究的禁锢中解放出来，开始放眼于研究翻译外部的宏观世界。自此翻译被置身于更大的历史文化背景中考察，并且制约翻译活动的各种...
- 王红娟
- 关键词：中译本翻译策略
- 文献传递
- 磁控溅射法制备AZO薄膜的工艺研究被引量：17
- 2005年
- 用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响。结果表明:氧气和氩气的体积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);退火有利于薄膜结晶;低于400℃退火时,温度越高薄膜电阻越小,超过400℃后,真空中退火温度再升高电阻变化不大,而空气中退火温度再升高电阻反而变大。
- 张丽伟卢景霄段启亮王海燕李瑞靳锐敏王红娟张宇翔
- 关键词：无机非金属材料AZO薄膜磁控溅射法退火温度
- 基于相位恢复算法的单强度记录光学加密系统
- 2015年
- 在传统的双随机相位光学加密系统的基础上,提出一种新的单强度记录光学加密技术。在加密时,将原始图像置于4-f系统的输入平面上进行双随机相位光学加密,利用CCD等感光器件记录输出平面上的光强分布作为密文,该光学加密过程只需一次曝光,在解密时,利用相位恢复算法进行迭代计算就可以由密文恢复原始图像。由于解密过程采用数字方式,因此可以在解密过程中引入各种数字图像处理技术来抑制散斑噪声,进一步改善解密图像质量。通过一系列仿真实验,证明该光学加密系统可以实现对二值图像和灰度图像的光学加密,并且能够很好地抵御"已知明文攻击"、"选择明文攻击"等方法的攻击。理论分析和计算机仿真表明,该光学加密技术系统结构简单,实现方便,并且不易受到各种攻击,安全性较高。
- 王志鹏王红娟蒋华龙秦怡
- 关键词：双随机相位加密中值滤波安全性
- 低温快速热退火晶化制备多晶硅薄膜被引量：5
- 2006年
- 利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后放入特制的快速热退火炉中进行退火。利用X射线衍射仪(XRD)分析退火后的薄膜晶体结构,用电导率测试仪测试其暗电导率。研究结果表明,利用快速热退火晶化能够使非晶硅薄膜在较低温度下,在较短时间内发生晶化。
- 王红娟卢景霄刘萍王生钊张宇翔张丽伟陈永生
- 关键词：快速热退火非晶硅薄膜
- 陶瓷衬底上多晶硅薄膜太阳电池研究进展被引量：5
- 2006年
- 多晶硅薄膜太阳电池在提高电池效率和大幅度降低成本等方面具有极大潜力。陶瓷材料是高温路线制备多晶硅薄膜电池最常用的衬底材料之一。本文介绍了陶瓷衬底上多晶硅薄膜的制备方法及其电池结构和相关工艺,最后综述了当前该领域的最新研究进展。
- 刘萍杨仕娥王生钊王红娟张宇翔卢景霄
- 关键词：多晶硅薄膜太阳电池
- 利用快速热退火法制备多晶硅薄膜
- 2011年
- 为了制备多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火后的薄膜利用X射线衍射仪(XRD)和Raman测试仪分析其晶体结构,研究了退火温度、退火时间对非晶硅薄膜晶化的影响.
- 王红娟黄义定
- 关键词：PECVD非晶硅薄膜快速热退火
- 常规退火与光退火固相晶化的对比被引量：5
- 2005年
- 为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-S i:H)薄膜,把沉积的样品分别在850℃下用传统炉子退火3h、用光快速热处理(RTP)5m in,然后用Ram an、XRD和SEM分析对比,发现传统炉子退火后的晶粒分布不均匀,光退火后的晶粒分布均匀。XRD分析发现两种方法晶粒尺寸均为30nm左右。
- 靳锐敏卢景霄王海燕张丽伟王生钊刘萍王红娟
- 关键词：PECVD法非晶硅薄膜晶粒大小拉曼光谱XRDSEM
- H_2稀释在PECVD法制备微晶硅薄膜中的影响被引量：3
- 2006年
- 利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术,研究了H稀释度D=H 2/(H 2+SiH 4)对在玻璃和不锈钢衬底上低温制备微晶硅薄膜的晶化率、晶粒尺寸、薄膜质量等的影响。结果表明,随着硅烷浓度的降低,样品的晶化率、晶粒尺寸有所改变。当D=99%时,晶粒突然变大,晶化率显著提高。因此,我们认为此时的硅薄膜由非晶硅转化为微晶硅。
- 王生钊卢景霄王红娟刘萍陈永生张丽伟杨仕娥郜小勇
- 关键词：PECVD微晶硅薄膜
