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王经纬

作品数:6 被引量:32H指数:3
供职机构:大连理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金辽宁省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇掺杂
  • 3篇光电
  • 3篇P型
  • 3篇P型掺杂
  • 3篇AG掺杂
  • 2篇P型ZNO
  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇底物浓度
  • 1篇性能研究
  • 1篇生物合成
  • 1篇水热
  • 1篇水热法
  • 1篇水热法制备
  • 1篇热法
  • 1篇作战
  • 1篇作战平台
  • 1篇作战效能
  • 1篇作战性能
  • 1篇效能评估方法
  • 1篇协同作战

机构

  • 6篇大连理工大学

作者

  • 6篇王经纬
  • 3篇孙景昌
  • 3篇边继明
  • 3篇梁红伟
  • 3篇杜国同
  • 2篇赵涧泽
  • 1篇曲媛媛
  • 1篇沈娥
  • 1篇马桥
  • 1篇周集体
  • 1篇李庆伟
  • 1篇张旭旺
  • 1篇李会杰
  • 1篇骆英民
  • 1篇刘紫嫣
  • 1篇张照婧
  • 1篇沈文丽
  • 1篇孙希明

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2015
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种基于熵权及主观经验赋权的协同作战效能评估方法
本发明属于协同作战效能技术领域,公开一种基于熵权及主观经验赋权的协同作战效能评估方法,对协同作战过程中单一作战平台和协同编队的探测性能、打击性能、电磁干扰性能、通讯性能、生存性能等五种关键作战性能进行评估。提出针对评估对...
张少卿夏卫国杨东岳李仲昆孙希明王经纬
稳定可靠p型ZnO薄膜的制备与光电性能研究
氧化锌是一种II-VI族直接带隙宽禁带化合物半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV,激子结合能高达60meV,具有优异的光学和电学特性,因此在短波长光电器件方面拥有巨大的潜在应用价值,在世界范围内被广泛的研究。 ...
王经纬
关键词:ZNO薄膜P型掺杂AG掺杂光电性能
文献传递
水热法制备Co掺杂ZnO纳米棒及其光学性能被引量:8
2010年
采用水热法在石英衬底上以Zn(CH3COO)2.2H2O和Co(NO3)2.6H2O水溶液为源溶液,以C6H12N4(HMT)溶液作为催化剂,在较低温度下制备了Co掺杂的ZnO纳米棒。采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所生长ZnO纳米棒的晶体结构和表面形貌进行了表征,考察了Co掺杂对ZnO纳米棒微观结构和对发光性能影响的机制。结果表明:Co掺杂的ZnO纳米棒呈六方纤锌矿结构,具有沿(002)面择优生长特性,Co掺杂使ZnO纳米棒的直径变细;同时室温光致发光(PL)谱检测显示Co掺杂ZnO纳米棒具有很强的近带边紫外发光峰,而与深能级相关的缺陷发光峰则很弱。本研究采用水热法在石英衬底上于较低温度下生长出了具有较高光学质量的Co掺杂ZnO纳米棒。
李庆伟边继明王经纬孙景昌梁红伟骆英民杜国同
关键词:ZNO纳米棒CO掺杂光致发光水热法
Ag掺杂p型ZnO薄膜及其光电性能研究被引量:8
2008年
采用超声喷雾热分解法在石英衬底上以醋酸锌水溶液为前驱体,以硝酸银水溶液为Ag掺杂源生长了Ag掺杂ZnO(ZnO:Ag)薄膜.研究了衬底温度对所得ZnO:Ag薄膜的晶体结构、电学和光学性质的影响规律.所得ZnO:Ag薄膜结构良好,在室温光致发光谱中检测到很强的近带边紫外发光峰,透射光谱中观测到非常陡峭的紫外吸收截止边和较高的可见光区透过率,表明薄膜具有较高的晶体质量与较好的光学特性.霍尔效应测试表明,在500℃下获得了p型导电的ZnO:Ag薄膜,载流子浓度为5.30×1015cm-3,迁移率为6.61cm2·V-1s-1.
王经纬边继明孙景昌梁红伟赵涧泽杜国同
关键词:P型掺杂
Ag掺杂对ZnO薄膜的光电性能影响被引量:15
2008年
采用超声喷雾热分解法在石英衬底上以醋酸锌水溶液为前驱体,以硝酸银水溶液为Ag掺杂源,以高纯O2为载气生长了Ag掺杂ZnO(ZnO∶Ag)薄膜。研究了Ag掺杂ZnO薄膜的表面结构、电学和光学性质。结果表明所得ZnO∶Ag薄膜表面结构良好,扫描电子显微镜(SEM)测试表明薄膜表面光滑平整,结构致密均匀;在室温光致发光(PL)光谱中检测到很强的近带边紫外发光峰;透射光谱中观测到非常陡峭的紫外吸收截止边和较高的可见光区透过率,表明薄膜具有较高的晶体质量与较好的光学特性;霍尔效应测试表明,在550℃下获得了p型导电的ZnO∶Ag薄膜。
王经纬边继明梁红伟孙景昌赵涧泽杜国同
关键词:P型掺杂
一株贪铜菌在还原Se(IV)合成硒纳米颗粒中的应用
一株贪铜菌SHE在还原Se(IV)合成硒纳米颗粒中的应用,属于微生物技术领域。菌株SHE能够在LB培养基中还原Se(IV)合成硒纳米颗粒,最优条件为pH8、温度30<Sup>o</Sup>C、底物浓度1.0mmol/L,...
曲媛媛李端行刘紫嫣沈娥马桥沈文丽张照婧王经纬厉舒祯李会杰张旭旺周集体
文献传递
共1页<1>
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