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王雪松

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院金属研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇真空
  • 2篇真空感应
  • 2篇真空感应炉
  • 2篇三元合金
  • 2篇铜铟镓硒
  • 2篇合金
  • 2篇感应炉
  • 1篇石英管
  • 1篇温度降
  • 1篇封管
  • 1篇镓

机构

  • 2篇中国科学院金...

作者

  • 2篇李明群
  • 2篇刘实
  • 2篇葛鹏
  • 2篇王雪松
  • 2篇熊良银
  • 2篇崔勇

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法
本发明的目的在于提供一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法，具体步骤为：将装有铜、铟、镓三种原料的石英坩埚放入真空感应炉中，抽真空，通入氩气，感应炉的真空度为20-30mmHg，逐渐升温到500-700℃，随后升温到900...
崔勇熊良银葛鹏李明群王雪松刘实
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一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法
本发明的目的在于提供一种铜铟镓硒四元半导体合金的制备方法，具体步骤为：将装有铜、铟、镓三种原料的石英坩埚放入真空感应炉中，抽真空，通入氩气，感应炉的真空度为20-30mmHg，逐渐升温到500-700℃，随后升温到900...
崔勇熊良银葛鹏李明群王雪松刘实
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