王雪霞
- 作品数：5 被引量：17H指数：3
- 供职机构：山东大学空间科学与物理学院更多>>
- 发文基金：山东大学自主创新基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 氧分压对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响被引量：3
- 2014年
- 室温下,利用射频磁控溅射技术在p型<100>硅衬底上,不同氧分压下制备了铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)。结果表明,不同氧分压的IGZO薄膜呈非晶态;随着氧分压的增大其光学带隙先增大后减小;IGZO TFT场效应迁移率先增大后减小,器件由耗尽型转变为增强型。当氧分压为7.47%时,IGZO TFT电学性能最好,场效应迁移率为4.44 cm2/(V·s),亚阈值摆幅的值是2.1 V/decade,电流开关比大于105。
- 刘媛媛童杨王雪霞王昆仑宋淑梅杨田林
- 关键词：射频磁控溅射氧分压光学带隙IGZOTFT
- 高迁移率非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备与特性研究被引量：6
- 2013年
- 由于铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜具有高迁移率和高透过率的特点,它作为有源层被广泛的应用于薄膜晶体管(TFT).本文利用磁控溅射方法制备了TFT的有源层IGZO和源漏电极,用简单低成本的掩膜法控制沟道的尺寸,制备了具有高迁移率、底栅结构的n型非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT).利用X射线衍射仪(XRD)和紫外可见光分光光度计分别测试了IGZO薄膜的衍射图谱和透过率图谱,研究了IGZO薄膜的结构和光学特性.通过测试IGZO-TFT的输出特性和转移特性曲线,讨论了IGZO有源层厚度对IGZO-TFT特性的影响.制备的IGZO-TFT器件的场效应迁移率高达15.6cm2·V-1·s-1,开关比高于107.
- 李帅帅梁朝旭王雪霞李延辉宋淑梅辛艳青杨田林
- 关键词：薄膜晶体管有源层
- 溅射功率对氮化锌薄膜特性的影响被引量：2
- 2013年
- 在玻璃衬底上通过磁控反应溅射法,利用纯金属Zn靶,在N2-Ar等离子体氛围中制备出氮化锌薄膜。X射线衍射谱表明氮化锌具有(4 0 0)择优取向,反方铁锰矿结构。研究了溅射功率对氮化锌薄膜结构、电学及光学性质的影响。
- 杨田林贾绍辉刘先平宋淑梅李延辉辛艳青王雪霞
- 关键词：结构特性电学特性光学特性
- 磁控溅射法制备非晶IGZO透明导电薄膜被引量：6
- 2013年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了IGZO薄膜,研究了IGZO薄膜的性质和制备工艺条件。重点研究了射频功率对IGZO薄膜的结构特性、光电特性的影响以及厚度对薄膜电阻率的影响。制备的IGZO薄膜最高品质因子为1.94×10-3Ω-1,对应的薄膜电阻率和透过率分别为2.6×10-3Ω·cm和87.2%。
- 梁朝旭李帅帅王雪霞李延辉宋淑梅杨田林
- 关键词：IGZO非晶薄膜透明导电膜
- a-IGZO TFT制备工艺和性能的研究
- 薄膜晶体管/(TFT/)作为平板显示的核心组成部分,任何有源矩阵的平板显示都依赖于TFT的控制和驱动。目前应用于显示器的开关元件仍为非晶硅TFT、多晶硅TFT等,但随着大尺寸液晶显示器和有源有机发光二极管的发展,这些TF...
- 王雪霞
- 关键词：薄膜晶体管磁控溅射有源层
- 文献传递
