程东方
- 作品数：35 被引量：78H指数：5
- 供职机构：上海大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学更多>>
- 高压功率集成电路中LDMOS的设计研究被引量：4
- 2004年
- 高压功率集成电路 ( HVPIC) ,是指将需要承受高电压 (达数百伏 )的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容 ,制作在同一块 IC芯片上。本文以器件模拟软件 MEDICI为工具 ,用计算机仿真的方法 ,研究了一种适用于高压功率集成电路的单晶结构的 LDMOS的设计问题 ,其中包括器件的 N阱掺杂浓度、衬底浓度、P反型层浓度和结深等主要参数对击穿电压的影响 ,重点分析了 N阱中 P型反型层与漏极 N+ 区距离 Lp 对器件耐压的影响 ,并分析了相应的物理意义。仿真结果表明 ,Lp 对器件耐压有明显的影响。通过优化设计对应于各个参数器件的击穿电压变高 ,并且受工艺参数波动影响较小 。
- 高海程东方徐志平
- 关键词：MEDICILDMOSRESURF
- 适用于智能功率IC的700v Double-Resurf Ldmos研究被引量：5
- 2007年
- 本文用Synopsys公司的TCAD工具-TWB(TAURUS WORK-BENCH)虚拟FAB进行研究设计了适用于智能功率集成电路的700v单晶扩散型Double-Resurf Ldmos。该高压管的生产工艺和标准的CMOS工艺完全兼容,只需要增加3张掩模板。通过优化工艺参数,用Medici仿真的最高耐压可以达到800v,导通电阻为16Ω,可以广泛应用于各种功率控制电路。
- 王书凯程东方徐志平沈文星
- 关键词：计算机辅助设计技术
- 一种新颖IP核复用SOC的DFT结构——BS-TW被引量：2
- 2005年
- 提出了一种基于IP复用SOC的新颖DFT结构———BS-TW(BoundaryScanTestWrapper),此结构把边界扫描单元作为IP的测试围绕单元,实现了测试并行化,并对测试进入机制TAM进行了优化设计。经验证,用BS-TW结构实现的DFT能同时实现IP复用SOC的低测试开销和高故障覆盖率的目标。
- 高辉程东方张金艺李娇赵存刚
- 关键词：TAM
- DC-DC转换器中功率沟槽MOSFET的优化设计被引量：2
- 2007年
- 利用工艺和器件模拟软件TSUPREM-4和MEDICI,研究了工艺参数对DC-DC转换器中的功率沟槽MOSFET的通态电阻Ron、栅-漏电容Cgd的影响以及栅-漏电荷Qgd在开关过程中的变化,指出了在设计和工艺上减小通态电阻Ron和栅-漏电容Cgd,提高器件综合性能的途径。
- 沈伟星冉峰程东方徐志平
- 关键词：通态电阻
- 用于电池电量测量的Delta-Sigma调制器设计被引量：3
- 2013年
- 为使模拟-数字信号转换芯片能直接用于各种电池电量测量的系统中而无需另加电压转换芯片,在应用于Delta-Sigma结构的ADC(模数转换器)的调制器设计中,使用0.35μm CMOS的集成电路工艺,采用二阶单环的电路结构,在5V供电的工作电压下可达到的电压测量范围为1.4V至4.2V,测量精度为12位.因而采用此Del-ta-Sigma调制器的ADC可直接用于多种电池种类的电量测量,且具有制作成本低廉的特点.
- 刘燕娟程东方
- 关键词：DELTA-SIGMA调制器模数转换器全差分运算放大器
- 一种嵌入式待机节能方法及装置
- 本发明涉及一种嵌入式待机节能方法及装置。本方法是将一个控制电路，一个电子开关和一个传感器通过配电插座或供电电缆等形式，嵌入到用电设备与市电之间；用控制电路、电子开关和传感器实现对用电设备待机状态的间歇式供电和同步检测。在...
- 程东方张齐冉峰沈伟星冯旭
- 文献传递
- 基于TCAD的低压沟槽MOSEFT栅漏电荷的研究被引量：1
- 2007年
- 对于低压功率沟槽MOSFET的开关性能,栅-漏电荷Qgd是一个重要的参数。本文利用数值模拟软件TCAD(器件与工艺计算机辅助设计),研究了氧化层厚度、沟道杂质分布、外延层杂质浓度及沟槽深度等参数对功率沟槽MOSFET的栅-漏电容Cgd的影响以及栅-漏电荷Qgd在开关过程中的变化,指出了在工艺设计上减小栅-漏电容Cgd,降低器件优值,提高开关性能的途径。
- 沈伟星冉峰程东方徐志平
- 一种硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路
- 本发明涉及一种硅基有机发光显示设备中的像素驱动电路。它是一个输入电连接行扫描线、列扫描线和数据线而输出电连接一个二极管的像素驱动电路，所述的像素驱动电路由一个二进制锁存器经电平转换电路连接一个恒流源像素驱动电路；所述的二...
- 冉峰杨云霞徐美华程东方沈伟星陈章进姚树建康希
- 文献传递
- 一个新LiNbO_3晶体探测器理论计算方法被引量：1
- 2000年
- 对一种新的用于超快电磁脉冲检测的晶体探测器，首次给出一个普遍情况下的理论计算方法，用此方法，不需要将任意辐射场下产生的折射率二次方程标准化，而可以在原主轴坐标系中直接将测量值△φ与辐射场强Ｅ。连系起来．根据辐射场在晶体中分布与超快脉冲群速度失配，还给出了探测器制作的尺寸要求。
- 王玉森程东方赵冷柱
- 关键词：晶体探测器LINBO3晶体
- 用TCAD进行IC新工艺的开发被引量：6
- 2006年
- 文章对集成电路工艺计算机辅助设计系统(TCAD虚拟FAB系统)做了简要介绍,指出了TCAD在新工艺开发中的地位,提出了利用TCAD进行新工艺开发的思想。以synopsys公司的TWB虚拟FAB系统为例,对TCAD用于新工艺的开发作了探讨,并给出了以此为平台进行700V高压BCD工艺设计的实例。
- 关彦青程东方王邦麟
