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童强

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：北京航空航天大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇压电薄膜
  • 2篇压电双晶片
  • 2篇ZNO压电薄...
  • 2篇MOCVD
  • 2篇ZNO薄膜

机构

  • 2篇北京航空航天...

作者

  • 2篇林煌
  • 2篇张跃
  • 2篇张阳
  • 2篇童强
  • 2篇袁洪涛

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 2篇2004
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
MOCVD制备定向生长ZnO压电薄膜
采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积(A-MOCVD)的方法,在普通多晶黄铜基片上制备ZnO薄膜.薄膜的SEM、XRD结果表明ZnO沿C轴取向垂直生长在基片上.综合分析ZnO自身晶体生长习性,提出了ZnO薄膜在普通多...
林煌袁洪涛童强张阳张跃
关键词：ZNO薄膜MOCVD压电双晶片
文献传递
MOCVD制备定向生长ZnO压电薄膜
2004年
采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积(A-MOCVD)的方法,在普通多晶黄铜基片上制备ZnO薄膜.薄膜的SEM、XRD结果表明ZnO沿C轴取向垂直生长在基片上.综合分析ZnO自身晶体生长习性,提出了ZnO薄膜在普通多晶铜表面的生长模型.并将ZnO薄膜制备成压电双晶片元件,在光学显微镜下能观察到元件尖端产生了很大的位移量,结果表明高定向性ZnO薄膜具有优异的压电特性.该压电器件使得传统的小变形双晶片元件的数学模型失效,有必要建立新型大变形双晶片物理、数学模型.
林煌袁洪涛童强张阳张跃
关键词：ZNO薄膜MOCVD压电双晶片
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