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聂国政

作品数：18 被引量：26H指数：2
供职机构：湖南科技大学物理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金湖南省自然科学基金湖南省教育厅科研基金更多>>
相关领域：理学电子电信文化科学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 7篇理学
  • 5篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇化学工程

主题

  • 5篇晶体管
  • 4篇晶体
  • 4篇薄膜晶体
  • 4篇薄膜晶体管
  • 3篇电子结构
  • 3篇有机薄膜晶体...
  • 3篇能谱
  • 3篇子结构
  • 3篇教学
  • 3篇光学
  • 3篇俄歇电子
  • 3篇俄歇电子能谱
  • 2篇电子转移
  • 2篇双层电极
  • 2篇金刚石薄膜
  • 2篇类金刚石
  • 2篇类金刚石薄膜
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性质
  • 2篇CUI

机构

  • 9篇湖南科技大学
  • 5篇中南大学
  • 3篇华南理工大学
  • 2篇湖南工业大学
  • 1篇西南大学

作者

  • 14篇聂国政
  • 5篇邹代峰
  • 4篇许英
  • 3篇杨兵初
  • 2篇钟春良
  • 2篇李雪勇
  • 2篇贾伟尧
  • 1篇唐京武
  • 1篇门高夫
  • 1篇彭俊彪
  • 1篇韩念梅
  • 1篇周仁龙
  • 1篇李宏建
  • 1篇黄笃之

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇高师理科学刊
  • 1篇湖南理工学院...
  • 1篇中南大学学报...
  • 1篇湖南文理学院...
  • 1篇湖南科技学院...
  • 1篇材料研究与应...
  • 1篇高考
  • 1篇中文科技期刊...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2011
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 1篇2005
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
固体物理课程教学改革
2015年
固体物理学是研究固态物质的微观结构及固体宏观物理特性的一门学科.它是物理、材料及电子类专业的一门应用基础课程,也是许多新兴电子、材料科学的基础.这些新兴的科技成果不断地完善固体物理学科的内容.
聂国政邹代峰许英
关键词：固体物理物理课程教学应用基础课物理课堂教学电子类专业
热处理对以Al_2O_3为绝缘层的并五苯薄膜晶体管性能的影响
2016年
采用阳极氧化法制备了Al_2O_3绝缘材料,并制备了以Al_2O_3为绝缘层的并五苯薄膜晶体管器件(OTFT)。Al_2O_3绝缘层经过10 min 350℃氢热处理后,OTFT迁移率比未经氢热处理的增大近20倍,且阈值电压降到了-7 V。Al_2O_3膜MIS结构电容—电压(C–V)特性的平带电压平移量数据表明,Al_2O_3膜经过热处理后,并五苯半导体与Al_2O_3绝缘体界面处以及绝缘体内缺陷态密度显著地降低,Al_2O_3绝缘层和并五苯半导体层之间的接触得到改善,这使得经热处理Al_2O_3膜的OTFT器件性能得到显著的改善。
聂国政唐京武许英
关键词：有机薄膜晶体管
CuI/Al双层电极的有机场效应晶体管被引量：2
2011年
制备了CuI/Al为源极和漏电极的并五苯基场效应晶体管.相对于纯金属(Al,Au)电极的晶体管,所研制的晶体管的迁移率、阈值电压VT、开关电流比Ion/Ioff等参数都有明显改善.研究发现,在Al电极与并五苯半导体之间引入CuI作为空穴注入层,能够明显降低Al电极与并五苯之间的空穴注入势垒.紫外-可见光谱和X射线光电子能谱数据表明,这种空穴注入势垒的降低源自并五苯和Al向CuI的电子转移.
聂国政彭俊彪周仁龙
关键词：有机场效应晶体管电子转移
类金刚石薄膜的电子结构及光学性质被引量：9
2006年
以直流磁控溅射制备了类金刚石薄膜,采用原子力显微镜(AFM)观察薄膜的表面形貌,采用俄歇电子能谱(AES)分析薄膜的化学键和电子结构。将参数D定义为俄歇电子能谱(AES)中最大正峰和最低负峰之间的距离,用俄歇电子能谱中的D值求得不同沉积气压条件下制备的薄膜的sp2键的百分含量和sp2键与sp3键比率。采用紫外可见光透射光谱(UV-Vis)分析了薄膜的光吸收特性和光学带隙。结果表明:沉积气压低于0.8 Pa时,sp2键的百分含量随沉积气压的增大而减小;薄膜的光学性质受光学带隙的直接影响。
杨兵初聂国政李雪勇
关键词：类金刚石薄膜光学性质电子结构俄歇电子能谱
内嵌CuO薄膜对并五苯薄膜晶体管性能的改善被引量：1
2015年
制备了基于内嵌氧化物铜(CuO)薄膜的并五苯薄膜晶体管器件.将3 nm CuO薄膜内嵌入到并五苯(pentacene)中,作为空穴注入层,降低电极与并五苯之间的空穴注入势垒.相对于纯并五苯薄膜晶体管器件,研制的晶体管的迁移率、阈值电压(VTH)、电流开关比(Ion/Ioff)等参数都有明显改善.X射线光电子能谱数据表明,这种空穴注入势垒的降低源自并五苯向CuO的电子转移.
聂国政邹代峰钟春良许英
关键词：有机薄膜晶体管CUO电子转移接触电阻
类金刚石薄膜的制备、电子结构及光学性能研究
本论文采用直流磁控溅射，以Ar、Ar与CH4或Ar与N2为工作气体溅射高纯石墨靶材制备了DLC及DLC：N薄膜。通过改变沉积基体的温度，溅射功率，沉积气压和和工作气体等实验参数，以使得到的碳膜呈现出不同的表面形貌和性能;...
聂国政
关键词：类金刚石薄膜电子结构光学带隙直流磁控溅射俄歇电子能谱
文献传递
N掺杂对非晶C薄膜的电子结构与光学性质的影响
2008年
用直流磁控溅射法制备了非晶C薄膜及N掺杂非晶C(a-C∶N)薄膜,用紫外-可见分光光谱仪、椭圆偏振仪、俄歇电子能谱(AES)等对薄膜进行了检测。结果表明:随源气体中N气含量的增加,透过率和折射率变小,而光学带隙先增大后减小;当薄膜中N的含量很少,N的掺入对sp3杂化C起稳定作用,使得薄膜光学带隙Eg增大。而较高量N的掺入抑制了sp3杂化C的形成,提高了薄膜中sp2键含量,使得薄膜光学带隙变小。参数D定义为俄歇电子能谱(AES)中最大正峰和最低负峰之间的距离,用俄歇电子能谱中的D值来计算薄膜的sp2键的百分含量,俄歇电子能谱(AES)表征也表明:较高量的N的掺入抑制了sp3杂化C的形成。所以应该考虑在较低N分压条件下掺N来改善非晶C薄膜的光学性能。
聂国政邹代峰杨兵初李宏建
关键词：光学性质俄歇电子能谱电子结构
La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3/SrFe_(12)O_(19)纳米复合体系的电性、磁性及磁电阻效应
2007年
La0.67Sr0.33MnO3/SrFe12O19复合体系的磁滞回线形状特征以及体系的剩磁增强,表明La0.67Sr0.33MnO3与SrFe12O19两相之间存在铁磁交换耦合作用.随SrFe12O19复合量的增加,体系的电阻率增大、低场磁电阻减小,并且出现了金属-半导体的转变,该转变温度低于La0.67Sr0.33MnO3的居里温度.
邹代峰聂国政贾伟尧
关键词：纳米复合体系电性磁性磁电阻交换耦合
退火工艺对基于InGaZnO薄膜晶体管性能的影响
2015年
铟嫁锌氧化物(IGZO)以其迁移率高、均匀性好、对可见光透明、制备温度低和成本低等优点被认为是金属氧化物薄膜晶体管(Thin-Film Transistor(TFT))理想的有源材料,采用磁控溅射法制备了基于Si O2绝缘层的IGZO-TFT器件。研究铟嫁锌氧化物有源层薄膜的前退火工艺(pre-annealing)和后退火工艺(post-annealing)对IGZO-TFT器件的电学性能的影响,其电学测试数据表明,相对于后退火工艺(post-annealing),前退火工艺处理的IGZO-TFT器件的展示了更高的场效应迁移率(3.5 cm2V-1s-1)和更好的开关比(107)。同时,十八烷基三氯硅烷(OTS)对改善Si O2绝缘层与铟嫁锌氧化物半导体有源层之间的界面接触效果显著。
聂国政黄笃之钟春良许英
关键词：金属氧化物薄膜晶体管退火表面修饰
有机薄膜晶体管制备和性能研究
有机薄膜晶体管(OTFT)是一种由有机半导体,金属电极和绝缘层组成的场效应器件,它是有机集成电路的核心部件。OTFT具有制备温度低、易实现大面积、制备工艺简单、低的成本和易弯曲的特点,因此它具有很强的吸引力。目前,有机薄...
聂国政
关键词：有机薄膜晶体管电子捕获
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