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胡运明

作品数：13 被引量：17H指数：3
供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金辽宁省博士科研启动基金更多>>
相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇金属学及工艺
  • 7篇一般工业技术
  • 5篇理学

主题

  • 6篇形变
  • 6篇循环形变
  • 6篇铜双晶体
  • 4篇位错
  • 4篇位错结构
  • 4篇晶界
  • 3篇双晶
  • 3篇铜
  • 2篇扫描电镜
  • 2篇疲劳开裂
  • 2篇疲劳裂纹萌生
  • 1篇循环变形行为
  • 1篇铜单晶
  • 1篇铜单晶体
  • 1篇位错反应
  • 1篇结构特征
  • 1篇晶界强化
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体学
  • 1篇开裂行为

机构

  • 13篇中国科学院金...

作者

  • 13篇胡运明
  • 12篇王中光
  • 4篇张哲峰
  • 1篇李守新
  • 1篇李广义
  • 1篇苏会和
  • 1篇李小武
  • 1篇贾维平
  • 1篇陈道伦
  • 1篇宫波

传媒

  • 4篇金属学报
  • 3篇自然科学进展...
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇力学进展
  • 1篇"96中国材...
  • 1篇第九届全国疲...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 3篇1998
  • 5篇1997
  • 1篇1996
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
铜双晶体的循环应力-应变响应
2000年
比较了铜单晶体和多晶体疲劳行为的异同，提出了研究双晶体疲劳行为的必要性．总结了具有不同晶体取向和晶界的铜双晶体的疲劳行为的最新进展．利用平行晶界铜双晶体的取向因子和晶界影响区，总结了在循环载荷作用下的晶界强化模型．分析了垂直晶界铜双晶体循环塑性变形行为的特点，讨论了组元晶体取向对垂直晶界铜双晶体循环应力－应变曲线的影响．提出了提高单晶体和双晶体疲劳强度的控制因素．
张哲峰胡运明王中光
关键词：铜双晶体晶界强化
循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征
1999年
用扫描电子显微镜(SEM)观察了循环应变作用下[135]同轴非对称铜双晶体中的位错结构。结果表明,双晶晶界邻域的位错结构特征不同于远离晶界的区域,一是低应变幅下晶界旁有低密度位错区的形成,二是驻留滑移带结构接近晶界时发生畸变。
胡运明王中光
关键词：扫描电镜铜双晶体位错结构
垂直晶界和倾斜晶界Cu双晶的疲劳开裂行为及其机制被引量：2
1998年
用扫描电镜（SEM）研究了一种垂直晶界和两种倾斜晶界Cu双晶的疲劳开裂行为及其机制．这三种双晶组元晶体的取向均为[134]．结果表明，沿晶界的疲劳开裂是Cu双晶疲劳破坏的主要形式，但垂直晶界和倾斜晶界双晶疲劳裂纹萌生的机制有所不同．垂直晶界双晶沿晶疲劳裂纹主要由驻留滑移带撞击晶界而产生，而倾斜晶界双晶疲劳裂纹的萌生是由晶界两侧晶粒的滑移台阶而引起的应力集中所致．
胡运明王中光
关键词：晶界疲劳开裂
直接观察位错结构的扫描电镜电子通道衬度技术被引量：4
1997年
介绍了扫描电镜（SEM）电子通道衬度（ECC）技术．该技术可以很好地观察材料中位借结构，用这种技术观察受循环载荷作用的铜单晶中的典型位错结构，与常规的TEM方法观察结果基本一致．
胡运明陈道伦苏会和王中光
关键词：扫描电镜铜单晶体位错结构
铜双晶体的疲劳及其机制的研究
该论文对四种具有不同几何结构的铜双晶体的疲劳行为及其机制进行了系统的研究,旨在为认识多晶材料的疲劳行为提供实验基础和理论依据.
胡运明
关键词：循环形变位错反应位错结构
镶嵌晶粒和晶界对铜双晶体循环变形行为的影响被引量：1
1999年
比较了含镶嵌晶粒铜双晶体及其基体单晶体的循环变形行为，结果表明，双晶体的循环应力总是高于基体单晶体，结合表面滑移形貌和饱和位错组态，分别讨论了镶嵌晶粒和环绕晶界对双晶体循环变形行为的影响．
张哲峰胡运明王中光
关键词：铜双晶体晶界
Cu双晶的循环形变行为与疲劳裂纹萌生Ⅰ.循环形变行为和滑移形貌被引量：8
1997年
在切应变幅γpl≈1066×10-4至9．1×10-3s范围内，研究了四种Cu双晶的循环形变行为,实验结果表明，对于含两单滑移取向组元晶体的三种子行晶界双晶，其循环形变行为表现出和单滑移取向Cu单晶类似的特征，循环应力一应变（CSS）曲线上存在一平台区，但平台应力都高于单滑移取向Cu单晶的典型值（28MPa），且各有所差别对于含一单滑移和一双滑移组元晶体的垂直晶界双晶，CSS曲线上没有明显的平台，并且发现曲线与Cu多晶的CSS曲线非常类似表面形貌观察表明。
胡运明王中光
关键词：循环形变铜双晶
Cu双晶的循环形变行为与疲劳裂纹萌生Ⅱ.疲劳裂纹萌生与早期扩展被引量：4
1997年
用扫描电镜（SEM）观察了受应变疲劳载荷作用的Cu双晶的表面形貌，发现晶界是疲劳形变双晶最有利的裂纹萌生地点．在滑移带撞击晶界的地方，特别是在几条粗滑移带共同撞击晶界的地方观察到许多疲劳微裂纹；并且发现与平行晶界双晶相比，垂直晶界双晶中极有利于疲劳裂纹沿晶界作早期扩展一种PSB－GB疲劳裂纹萌生机制可用来解释这些沿晶疲劳裂纹的形成．
胡运明王中光
关键词：双晶铜循环形变
循环变形与疲劳损伤的晶体学效应
王中光张哲峰李小武李守新胡运明宫波贾维平李广义
为了揭示材料疲劳的物理本质，该项目一方面从双滑移和多滑移取向单晶体入手，研究晶体取向对单晶体疲劳行为的影响；另一方面考虑晶界对疲劳损伤的作用，选择双晶体和二晶体材料作为研究对象，系统地研究了晶体学取向和晶界在循环变形与疲...
关键词：
关键词：晶体学
Cu双晶的循环饱和位错结构——Ⅱ.迷宫位错结构
1998年
用透射电子显微镜(TEM)研究了受循环应变载荷作用的Cu双晶中的迷宫形态位错结构。实验表明,迷宫位错结构由两组相互垂直的(001)和(210)位错墙组成。其形成不仅与外加应变幅有关,而且取决于晶体中开动的滑移系统,与一组互相垂直的Burgers矢量的位错密切相关。
胡运明王中光
关键词：滑移系
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