舒永春
- 作品数：26 被引量：67H指数：5
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划长江学者和创新团队发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 半导体可饱和吸收镜实现超短高功率脉冲激光研究进展被引量：7
- 2007年
- 介绍了半导体可饱和吸收镜(SESAM)的基本结构及使用半导体可饱和吸收镜被动锁模固态激光器的基本原理。综述了利用半导体可饱和吸收镜被动锁模薄片式固态激光器及光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器,获得高平均输出功率超短脉冲的最新进展,并指出量子点半导体可饱和吸收镜的使用将加速超短高功率脉冲的发展。
- 舒强舒永春刘如彬陈琳姚江宏许京军王占国
- 关键词：激光技术半导体可饱和吸收镜被动锁模
- InAs/GaAs量子点形貌与光学性质研究
- 采用分子束外延技术,固定InAs淀积厚度为2.4ML,As压为5.1×10-7mbar,生长速度为0.1ML/s的情况下,在不同的生长温度下制备了InAs/GaAs量子点.在生长温度从480℃到535℃范围内,随温度升高...
- 姚江宏贾国治舒永春王占国
- 关键词：分子束外延原子力显微镜光致发光INASGAAS
- 文献传递
- AlAs/GaAs分布布拉格反射镜(DBR)的反射谱拟合与优化生长被引量：2
- 2005年
- 对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析,使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs/A lAs反射镜的反射率曲线。利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920nm和980nm的半导体多层膜DBR反射镜,分析了实验测得的反射谱与理论拟合曲线之间的差异及其产生原因,实现了材料的优化生长,获得了反射率大于99%、中心波长和带宽接近理论计算值的DBR材料。该DBR的反射谱拟合与优化生长研究可应用于VCSEL和VECSEL激光器。
- 张冠杰舒永春皮彪姚江宏林耀望舒强刘如彬王占国许京军
- 关键词：分布布拉格反射镜高反射率
- 调制掺杂GaAs/AlGaAs2DEG材料持久光电导及子带电子特性研究被引量：4
- 2006年
- 在掺Si的GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)结构中,得到μ2K=1·78×106cm2/(V·s)的高迁移率.在低温(2K)和高磁场(6T)的条件下,对样品进行红光辐照,观察到持久光电导(PPC)效应,电子浓度在光照后显著增加.通过整数量子霍尔效应(IQHE)和Shubnikov-de Haas(SdH)振荡的测量,研究了2DEG的子带电子特性.样品在低温光照后2DEG中第一子带和第二子带的电子浓度同时随电子总浓度的增加而增加;而且电子迁移率也明显提高.同时,通过整数霍尔平台的宽度对光照前后电子的量子寿命变短现象作了理论分析.
- 舒强舒永春张冠杰刘如彬姚江宏皮彪邢晓东林耀望许京军王占国
- 关键词：二维电子气量子霍尔效应
- Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料分子束外延的生长热力学(英文)
- 2011年
- 建立Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料的分子束外延生长热力学模型。该模型与实验材料InGaP/GaAs,InGaAs/InP及已发表的GaAsP/GaAs,InAsP/InP的数据吻合得很好。将晶格应变能△G及脱附对温度敏感这两个因素同时纳入热力学模型中,束流和生长温度直接影响合金组分,晶格应变能是合金组分的函数。热力学模型计算结果反映了束流和生长温度是生长过程中最主要的影响因素。讨论和分析了四元半导体材料InGaAsP/GaAs的热力学生长模型。
- 叶志成舒永春曹雪龚亮皮彪姚江宏邢晓东许京军
- 关键词：半导体材料热力学
- 苯封四聚苯胺/TiO_2/ITO薄膜电极光致界面电荷转移被引量：6
- 2005年
- 采用水解胶溶法和旋转涂膜法分别制备出TiO2纳米粒子溶胶和TiO2/ITO薄膜,采用浸泡法制备出苯封四聚苯胺(聚苯胺)/TiO2/ITO薄膜电极.利用表面光电压谱、光致循环伏安和光电流作用谱测定了TiO2的禁带宽度和表面态能级、聚苯胺的HOMO-LUMO能级宽度和双极化子能级,确定了聚苯胺/TiO2/ITO薄膜电极能带结构.进一步分析了聚苯胺/TiO2/ITO薄膜电极的光电转换特性及光致界面电荷转移的机理.
- 曹亚安孟庆巨宋庆舒永春赵俊岩姚江宏白玉白许京军
- 关键词：TIO2
- 高电子迁移率InP/InP外延材料的MBE生长(英文)
- 2005年
- 采用固态磷源分子束外延技术在InP(100)衬底上生长了高质量的InP外延材料.实验结果表明InP/InP外延材料的电学性质与诸多生长参数密切相关.根据霍耳测量结果,对生长条件和实验参数进行了优化,在生长温度为370℃,磷裂解温度为850℃,生长速率为0.791μm/h和束流比为2.5的条件下,获得了厚度为2.35μm的InP/InP外延材料.在77K温度下,电子浓度为1.55×1015cm-3,电子迁移率达到4.57×104cm2/(V.s).
- 舒永春姚江宏林耀望邢小东皮彪徐波王占国许京军
- 关键词：高电子迁移率
- 光抽运垂直外腔面发射激光器特性与研究进展被引量：4
- 2006年
- 介绍了光抽运半导体垂直外腔面发射激光器的结构特点、设计原理及其性能优势,综合评述该领域的最新研究进展,并探讨该类型激光器的发展前景和技术发展方向。
- 张冠杰舒永春刘如彬舒强林耀望姚江宏王占国许京军
- 关键词：光电子学垂直外腔面发射激光器光抽运超短脉冲
- 等径控制系统的改进及在光学级铌酸锂生长中的应用被引量：18
- 2004年
- 分析了提拉法晶体生长过程中影响滞后变化的因素 ,采用传统PID调节器和计算机辅助控制相结合的办法 ,解决了铌酸锂晶体生长过程中的精确等径控制问题 ,并在大直径铌酸锂晶体生长应用中取得了满意的效果。生长的 76mm直径的铌酸锂晶体 ,生长条纹问题得到很大改善 ,光学均匀性提高了一个量级以上。
- 孙军孔勇发李兵张玲刘士国黄自恒瓮松峰舒永春许京军
- 关键词：铌酸锂控制器
- 固态源分子束外延法生长InGaP/GaAs异质结构的热力学分析(英文)被引量：1
- 2010年
- 本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附。所得到的模型与现有实验结果匹配较好。该模型的实验结果表明在InGaP的生长过程中,生长温度,In/Ga束流比及合金组分之间的相互关系,同时也与实验数据相吻合。该模型对于其他气相沉积生长方式也具有一定的适用性。
- 曹雪舒永春叶志成皮彪姚江宏邢晓东许京军
- 关键词：INGAPGAAS
