董显平
- 作品数：71 被引量：114H指数：5
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金“上海－应用材料研究与发展”基金上海市基础研究重大（重点）项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺电气工程理学更多>>
- 退火处理对ITO和ITO：Zr薄膜性能的影响被引量：3
- 2008年
- 利用磁控溅射在室温条件下沉积ITO薄膜和ITO:Zr薄膜,对比研究在空气中退火处理对ITO和ITO:Zr薄膜性能的影响。结果表明,Zr的掺杂促进了(400)晶面的取向,随着退火温度的升高,薄膜表面颗粒增大,表面粗糙度有所降低。室温下Zr的掺杂显著改善了薄膜的光电性能,随着退火温度的升高,ITO和ITO:Zr薄膜的方阻都表现为先降后升的趋势,ITO:Zr薄膜在较低的退火温度下可见光透过率就可达到80%以上,直接跃迁模型确定的光学禁带宽度Eg呈现了先升后降的变化。ITO:Zr薄膜比ITO薄膜显示了更高的效益指数,揭示了ITO:Zr薄膜具有更好的光电性能。
- 张波董显平徐晓峰赵培吴建生
- 关键词：ITO薄膜磁控溅射退火处理光电性能
- 晶界添加DyF_3对烧结NdFeB磁体磁性能和耐腐蚀性影响
- 2017年
- 通过晶界添加DyF_3制备烧结(Nd_(0.8)Pr_(0.2))_(15.5)Fe_(bal)B_6磁体,利用扫描电镜、电化学腐蚀和磁性能测试,研究了烧结NdFeB磁体的微观组织及其对磁性能和耐腐蚀性能的影响。结果表明,添加0.5%~1%的DyF_3可提高磁体的矫顽力和腐蚀电位,并且当极化曲线的阳极部分电位相同时,其具有较小的极化电流密度,从而达到改善NdFeB磁体耐腐蚀性能的目的。此外,添加DyF_3的磁体显微组织研究表明,F元素进入晶界相形成ROF相,与磁性能和耐腐蚀性能改善有关。
- 徐芳董显平
- 关键词：NDFEB永磁材料磁性能
- 低镍含量AFA耐热钢中纳米析出相的调控及对蠕变抗力的影响
- 张澜庭赵冰冰董显平孙锋
- 双靶共溅射制备Zr掺杂ITO薄膜的方法
- 一种薄膜技术领域的双靶共溅射制备Zr掺杂ITO薄膜的方法。本发明首先将质量分数90％In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和质量分数10％SnO<Sub>2</Sub>的均匀混合物制成ITO板材，将ITO...
- 张波董显平吴建生
- 文献传递
- DD100 单晶合金高温慢拉伸断裂行为研究被引量：1
- 1998年
- 对ＤＤ１００单晶合金［００１］，［２２１］和［１１１］三个结晶取向在不同环境下高温时慢应变拉伸断裂行为进行了研究，比较了它们在真空和空气环境下力学性能以及断口特征，初步讨论了其断裂机理。该单晶在结晶取向和试验条件相同时，空气中试样比真空中试样的强度值相差甚少，而延性则差得多。
- 郁金星董显平周灿栋张源虎袁福河周龙江李铁藩孙传琪李其娟吴昌新刘泽尧
- 关键词：环境影响单晶合金合金
- 高矫顽力及低剩磁温度敏感性的烧结钕铁硼磁体及制备
- 本发明涉及一种高矫顽力及低剩磁温度敏感性的烧结钕铁硼磁体的制备方法。将Dy‑Co合金扩散片作为烧结钕铁硼磁体的扩散源，在高于Dy‑Co合金熔点的温度下保温，将熔融的Dy‑Co合金液沿着晶界扩散到钕铁硼磁体内部，在晶粒边缘...
- 陈夫刚张澜庭张铁桥王静温宏远郑延董显平
- 一种高温用石英管的清洗方法
- 本发明提供一种高温用石英管的清洗方法，所述方法为使用金属氟化物粉末高温分解产生的氟气清洁石英管管壁。金属氟化物高温分解出氟气，利用氟气的活泼性使之带走石英管内壁上的残留物，与石英管长期使用后挥发在内壁的残留物结合成气体被...
- 郑延张澜庭温宏远陈夫刚张铁桥董显平
- 文献传递
- 薄膜材料及器件耐腐蚀性能的电阻变化率检测方法
- 一种薄膜材料及器件耐腐蚀性能的电阻变化率检测方法，将薄膜试样的测试表面浸泡在所配制模拟海洋性气候环境的腐蚀介质溶液中，试样在腐蚀过程中，与腐蚀介质接触表面的微观组织状态发生变化或发生腐蚀剥离，造成该尺寸区域材料有效导电层...
- 张玉勤董显平吴建生
- 文献传递
- Cr掺杂对Cu/Si(100)薄膜体系的微观结构及电阻率的影响被引量：4
- 2007年
- 利用简易合金靶在Si（100）衬底磁控溅射制备Cu、Cu-1．19％Cr和Cu-2，18％Cr薄膜，研究Cr对Cu薄膜在300-500℃真空退火前后的结构和电阻率的影响。X射线衍射分析表明：Cu及Cu（Cr）薄膜均呈现Cu（111）和Cu（200）衍射峰，并且Cu（Cr）薄膜一直保持较强的（111）织构。原子力显微分析表明：Cu薄膜在500℃退火时，薄膜与硅基底发生明显的互扩散，薄膜表面的致密度及平整度下降：而Cu（Cr）薄膜在退火时保持较高的致密度，Cr显著提高Cu／Si薄膜体系的热稳定性。Cu（Cr）薄膜的电阻率随温度升高先减小而后增加，在400℃及500℃退火30min后分别达到最小值2．76μΩ·cm和2．97μΩ·cm，与纯Cu膜相近（2．55μΩ·cm）。Cu（Cr）薄膜退火电阻率的大幅度减小与薄膜晶粒尺寸的增加以及Cr的扩散有关。适量的Cr掺杂和合理的退火工艺使得Cu（Cr）合金薄膜在高温互连材料方面具有很大的应用前景。
- 王新建刘嘉聪洪波姜传海董显平
- 关键词：织构电阻率
- 提高CoSi<Sub>2</Sub>薄膜热稳定性的方法
- 一种提高CoSi<Sub>2</Sub>薄膜热稳定性的方法，用于材料制备技术领域。本发明通过共溅射制备具有CoSi<Sub>2</Sub>成分的非晶薄膜，并且通过共溅射在薄膜中添加元素Zr，利用Zr不溶于CoSi<Sub...
- 程凡雄姜传海董显平吴建生
- 文献传递
