蔡加法
- 作品数：54 被引量：54H指数：4
- 供职机构：厦门大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 具有刻蚀微孔结构的4H-SiC紫外光电探测器及制备
- 具有刻蚀微孔结构的4H‑SiC紫外光电探测器及制备，所述4H‑SiC紫外光电探测器包括P<Sup>+</Sup>层、吸收层和P层环形电极，还包括设于P层环形电极的内周的微孔，其从P<Sup>+</Sup>层刻蚀到达吸收层...
- 张峰付钊洪荣墩蔡加法陈厦平林鼎渠吴少雄吴正云
- 文献传递
- In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光性能被引量：4
- 2010年
- 利用金属有机物化学气相沉积系统在蓝宝石衬底上通过有源层的变温生长,得到In组分渐变的量子阱结构,从而获得具有三角形能带结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)(简称三角形量子阱结构LED).变温光致发光谱结果表明,相对于传统具有方形能带结构的量子阱LED(简称方形量子阱结构LED),三角形量子阱结构有效提高了量子阱中电子和空穴波函数的空间交叠,从而增加了LED的内量子效率;电致发光谱结果表明,三角形量子阱结构LED器件与传统结构LED器件相比,明显改善了发光峰值波长随着电流的蓝移现象.通过以上的结果比较,三角形量子阱结构LED比传统结构LED具有更高的发光效率.
- 朱丽虹蔡加法李晓莹邓彪刘宝林
- 关键词：金属有机物化学气相沉积INGAN/GAN多量子阱发光二极管内量子效率
- MgO(111)上ZnO薄膜的外延生长及其结构和光学特性
- 2013年
- 由于ZnO在光电器件的应用前景,其高质量薄膜的制备是研究热点之一。本文通过分子束外延生长法在MgO(111)单晶衬底上生长ZnO薄膜,表征了其结构和特性,探讨了不同生长条件对薄膜质量的影响。结果表明,先低温生长ZnO缓冲层,再高温生长ZnO薄膜,有望提高ZnO薄膜的质量。原位反射高能电子束衍射(RHEED)和异位的X射线衍射(XRD)分别测量出薄膜的面内结构和沿[0001]的单晶域高取向结构,并确定薄膜和衬底的外延关系为ZnO[01-10]//MgO[1-10]和ZnO[2-1-10]//MgO[11-2]。透射谱显示了ZnO的特征光学带隙。
- 杜达敏王惠琼周华李亚平黄巍徐建芳蔡加法崔琳哲张纯淼陈晓航詹华翰康俊勇
- 关键词：分子束外延反射高能电子衍射透射谱位错密度
- 一种高定向排列石墨烯片热界面材料制备方法
- 一种高定向排列石墨烯片热界面材料制备方法，涉及热管理技术领域。将0.5％～5％非氧化还原石墨烯片加入高分子基体中，并进行机械搅拌，超声分散，得分散体；在分散体中加入固化剂和催化剂，然后进行机械搅拌，搅拌时间≤1min，得...
- 张学骜程书建郭晓晓蔡加法林明源
- 文献传递
- 硅衬底硫化锌薄膜发光器件的研制被引量：6
- 2003年
- 用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用XRD、XPS技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差异,掺入的稀土元素铒呈三价,电致发光谱为Er3+的发光谱线,硅衬底硫化锌发光薄膜器件可与硅器件工艺兼容.
- 陈松岩曾明刚王水菊陈谋智蔡加法林爱清邓彩玲
- 关键词：硅衬底硫化锌薄膜发光器件电致发光谱半导体发光材料
- 4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究
- 2011年
- 利用光电流谱法研究了300 K到60 K温度范围内的p-i-n结构4H-SiC紫外光电探测器的暗电流及相对光谱响应特性。研究发现随着温度的降低,探测器的暗电流和相对光谱响应都逐渐减小;而且,反向偏压越高,暗电流减小的速率越大。在零偏压下,随着温度的降低,器件的相对光谱响应的峰值波长先向短波方向移动,后向长波方向移动,在60 K时移至282 nm附近;同时观察到探测器的相对光谱响应范围略有缩小。此外,我们对器件p、i、n各层产生的光电流随温度变化的机理进行讨论,提出了通过减少i层缺陷和适当减小n层掺杂浓度的方式来提高器件的相对光谱响应。
- 郑云哲林冰金张明昆蔡加法陈厦平吴正云
- 关键词：光电子学温度特性光电特性
- 4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟
- 2011年
- 应用ATLAS模拟软件,设计了吸收层与倍增层分离的(SAM)4H-SiC雪崩光电探测器(APD)结构。分析了不同外延层厚度和掺杂浓度对器件光谱响应的影响,对倍增层参数进行优化模拟,得出倍增层的最优化厚度为0.26μm,掺杂浓度为9.0×10^(17)cm^(-3)。模拟分析了该APD的反向Ⅳ特性、光增益、不同偏压下的光谱响应和探测率等,结果显示该APD在较低的击穿电压-66.4 V下可获得较高的倍增因子10~5;在0 V偏压下峰值响应波长(250 nm)处的响应度为0.11A/W,相应的量子效率为58%;临近击穿电压时,紫外可见比仍可达1.5×10~3;其归一化探测率最大可达1.5×10^(16)cmHz^(1/2)W^(-1)。结果显示该APD具有较好的紫外探测性能。
- 钟林瑛洪荣墩林伯金蔡加法陈厦平吴正云
- 关键词：光电子学APD光谱响应探测率
- 不同退火温度下金属/4H—SiC Schottky势垒高度的研究被引量：4
- 2005年
- 采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜(Ag,Cu,Ni,Cr)形成Schottky 接触,研究了不同温度退火对Schottky势垒高度的影响。通过对样品的I-V测试结果的拟合,得到各金属/4H-SiC Schottky接触的势垒高度以及理想因子。在反向偏压100V下,样品的反向漏电流小于10-10A,说明样品的反向特性良好。样品经过不同温度的退火后,发现Cu、Ni与4H-SiC的势垒高度(SBH)随退火温度的升高而提高,超过某一温度,其整流特性变差; Ag、Cr的SBH在退火后降低。SBH与金属功函数呈线性关系(Cr金属除外),斜率为0.11。
- 杨克勤陈厦平杨伟锋孔令民蔡加法林雪娇吴正云
- 关键词：光电子学4H-SIC退火
- 4H-SiC雪崩光电探测器中倍增层参数的优化模拟
- -SiC材料由于具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度大及热导率高等优点,在高温、高频、大功率及抗辐射器件等领域都有着广泛的应用潜力与良好的市场前景.目前,采用4H-SiC已经成功制备了不同结构的紫外光电探测器...
- 钟林瑛洪荣墩林伯金蔡加法吴正云
- 关键词：4H-SICAPD光增益探测率
- 双工作模式的4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法
- 双工作模式的4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测器件。探测器设有N<Sup>+</Sup>型4H-SiC衬底，在N<Sup>+</Sup>型4H-SiC衬底上依次设有第一N<Sup>-</Sup>型...
- 洪荣墩张明昆吴正云蔡加法陈厦平
