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薄仕群
作品数:
6
被引量:1
H指数:1
供职机构:
河北大学电子信息工程学院
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相关领域:
电子电信
理学
机械工程
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合作作者
李彦波
河北大学通信与电子工程系
薄秀华
河北省科学院
林兆军
中国科学院半导体研究所
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低温下硅双极晶体管击穿电压的温度特性与分析
1997年
给出了从200~10K低温下,硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果,建立了理论模型,并对实验结果作出合理解释。
李彦波
薄仕群
张旭东
关键词:
硅双极晶体管
击穿电压
硅双极晶体管的低温h_(FE)
1997年
低温下hFE主要决定于发射效率γ和集电区倍增因子M.影响γ的是禁带收缩和基区费米能级.M则主要由中性杂质被碰撞电离而造成的电流倍增效应决定,并且这是一种自抑制效应,以上观点与实验结果基本相符合。
林兆军
薄仕群
关键词:
双极晶体管
低温下晶体管击穿电压的温度特性与分析
1997年
本文给出了从200K到10K低温下,硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果,建立了理论模型。
薄仕群
李彦波
张旭东
关键词:
晶体管
温度特性
低温硅双极晶体管电流增益研究
被引量:1
1998年
着重分析了多晶硅发射极对提高电流增益的作用和低温下集电区中性杂质碰撞电离引起的电流倍增效应。导出多晶硅发射极晶体管电流增益的表达式,很好地解释了实验结果。
李彦波
薄仕群
关键词:
硅双极晶体管
多晶硅发射极
全息信息存贮记录
1996年
本文阐述了对全息存贮记录的改进方法,利用编振消光的原理,在实验光路中引入偏振装置,提高了对参考光斑和物光斑位置的分辨率,使参考光和物光光斑中心重合,达到了记录信息无遗漏现象的目的。
薄秀华
薄仕群
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