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薄仕群

作品数：6 被引量：1H指数：1
供职机构：河北大学电子信息工程学院更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇晶体管
  • 3篇双极晶体管
  • 3篇硅双极晶体管
  • 2篇温度特性
  • 2篇温下
  • 2篇击穿电压
  • 1篇电流增益
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅发射极
  • 1篇信息存贮
  • 1篇增益
  • 1篇全息
  • 1篇发射极
  • 1篇FE
  • 1篇H

机构

  • 5篇河北大学
  • 1篇河北省科学院
  • 1篇中国科学院

作者

  • 5篇薄仕群
  • 3篇李彦波
  • 1篇林兆军
  • 1篇薄秀华

传媒

  • 2篇河北省科学院...
  • 1篇半导体情报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1998
  • 3篇1997
  • 1篇1996
共 6 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
低温下硅双极晶体管击穿电压的温度特性与分析
1997年
给出了从２００～１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释。
李彦波薄仕群张旭东
关键词：硅双极晶体管击穿电压
硅双极晶体管的低温h_(FE)
1997年
低温下hFE主要决定于发射效率γ和集电区倍增因子M．影响γ的是禁带收缩和基区费米能级．M则主要由中性杂质被碰撞电离而造成的电流倍增效应决定，并且这是一种自抑制效应，以上观点与实验结果基本相符合。
林兆军薄仕群
关键词：双极晶体管
低温下晶体管击穿电压的温度特性与分析
1997年
本文给出了从２００Ｋ到１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型。
薄仕群李彦波张旭东
关键词：晶体管温度特性
低温硅双极晶体管电流增益研究被引量：1
1998年
着重分析了多晶硅发射极对提高电流增益的作用和低温下集电区中性杂质碰撞电离引起的电流倍增效应。导出多晶硅发射极晶体管电流增益的表达式，很好地解释了实验结果。
李彦波薄仕群
关键词：硅双极晶体管多晶硅发射极
全息信息存贮记录
1996年
本文阐述了对全息存贮记录的改进方法，利用编振消光的原理，在实验光路中引入偏振装置，提高了对参考光斑和物光斑位置的分辨率，使参考光和物光光斑中心重合，达到了记录信息无遗漏现象的目的。
薄秀华薄仕群
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共1页<1>
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