您的位置： 专家智库 > >

费武雄

作品数：23 被引量：38H指数：4
供职机构：信息产业部电子第五研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信核科学技术航空宇航科学技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 2篇核科学技术
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇理学

主题

  • 11篇偏置
  • 6篇偏置条件
  • 6篇总剂量
  • 5篇双极晶体管
  • 5篇晶体管
  • 5篇剂量率
  • 5篇NPN双极晶...
  • 4篇退火
  • 4篇总剂量辐照
  • 3篇低剂量
  • 3篇低剂量率
  • 3篇电离辐照
  • 3篇转换器
  • 3篇模数转换
  • 3篇模数转换器
  • 3篇辐照效应
  • 2篇单粒子
  • 2篇单粒子效应
  • 2篇退火效应
  • 2篇总剂量辐射

机构

  • 18篇中国科学院新...
  • 15篇中国科学院研...
  • 4篇信息产业部电...
  • 2篇中国科学院微...
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇华南理工大学
  • 1篇新疆医科大学...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 23篇费武雄
  • 15篇陈睿
  • 14篇兰博
  • 14篇李茂顺
  • 12篇崔江维
  • 11篇赵云
  • 9篇郑玉展
  • 9篇王义元
  • 9篇任迪远
  • 8篇陆妩
  • 5篇余学峰
  • 5篇高博
  • 4篇郭旗
  • 3篇王志宽
  • 2篇杨永晖
  • 2篇卫平强
  • 2篇李豫东
  • 2篇何承发
  • 2篇刘刚
  • 1篇王晓晗

传媒

  • 7篇原子能科学技...
  • 3篇核技术
  • 3篇核电子学与探...
  • 3篇电子产品可靠...
  • 1篇微电子学
  • 1篇航天器环境工...

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2015
  • 1篇2012
  • 5篇2011
  • 10篇2010
  • 4篇2009
共 23 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应被引量：1
2011年
在不同偏置条件下,对基于互补双极工艺生产的电流反馈运算放大器(CFA)进行了高低剂量率下的电离辐射效应研究。研究发现,在不同偏置条件下,器件损伤差异明显。在零偏条件下,器件在低剂量率下损伤显著增强,表现为低剂量率损伤增强效应(ELDRS);在小工作电压下辐照时,器件损伤较小,且不同剂量率之间损伤差异不明显;而在大工作电压下辐照时,器件在高剂量率下的损伤明显大于低剂量率下的损伤,在随后的室温退火中,又恢复到与低剂量率损伤相当的程度,表现为时间相关效应。结果表明,双极器件是否具有ELDRS效应与实验偏置条件有重要关系。
王义元陆妩任迪远郑玉展高博陈睿费武雄
关键词：电离辐射电流反馈运算放大器偏置
不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响
对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件(基-射结反向偏置、正向偏置和零偏置)的电离辐射实验。结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异。基-射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著。而...
费武雄陆妩任迪远郑玉展王义元陈睿李茂顺兰博崔江维赵云王志宽杨永晖
关键词：NPN双极晶体管低剂量率偏置电离辐照
文献传递
不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应被引量：3
2010年
对10位CMOSADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与加电偏置相比,零偏下0.25Gy/s(Si)剂量率辐照时的辐射损伤更严重。并对其损伤机理进行了初步探讨。
陈睿陆妩任迪远郑玉展王义元费武雄李茂顺兰博崔江维
关键词：模数转换器偏置条件
国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性
2010年
对国产工艺的部分耗尽SOIMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照效应及其可靠性进行了研究。结果表明:辐照引入的氧化物陷阱电荷是阈值电压漂移的主要因素;背栅对总剂量辐照更为敏感,但在背栅特性漂移未超出一定范围的情况下,依然是正栅氧化层质量决定了器件的抗辐照性能;界面态陷阱电荷的散射作用降低了器件的源漏饱和电流;总剂量辐照后器件的常规可靠性可能会降低。
崔江维余学峰刘刚李茂顺兰博赵云费武雄陈睿
关键词：总剂量辐照效应退火效应可靠性
变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用被引量：7
2010年
对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地评估不同工艺的NPN双极晶体管低剂量率的辐照损伤。对实验现象的机理进行了分析。
费武雄陆妩任迪远郑玉展王义元陈睿李茂顺兰博崔江维赵云王志宽杨永晖
关键词：NPN双极晶体管
直接数字式频率合成器辐射效应敏感性分析被引量：2
2015年
从直接数字式频率合成器(DDS)的结构出发,对DDS器件的时钟产生单元、相位累加与相位幅度转换器和数模转换器进行了总剂量效应、单粒子效应的敏感性分析。分析认为:辐照前后DDS输出的无杂散动态范围,以及关断功耗是总剂量相对较为敏感的参数;单粒子效应对DDS输出波形的影响为频率改变、相位改变和幅度改变,以及造成输出信号出现毛刺现象,进而影响器件在系统中的功能。
卢向军王晓晗罗宏伟王小强费武雄孙宇吕宏峰刘焱
关键词：直接数字式频率合成器总剂量效应单粒子效应
新型PAGAT聚合物凝胶剂量计的磁共振成像研究被引量：1
2011年
使用丙烯酰胺、明胶、交联剂、除氧剂和甲醛等在常氧条件下制备出一种新型的PAGAT聚合物凝胶剂量计。实验结果表明:剂量计的磁共振横向弛豫率随吸收剂量的增加而增大,经计算,得出了剂量计的探测下限;剂量计样品的批均匀性好于3.2%,且剂量响应在0.05～1.00Gy/s之间基本与剂量率无关。此外,使用该剂量计对异质界面剂量分布的测量结果以及剂量增强效应进行了分析。
赵云何承发刘艳杨进军卫平强兰博崔江维费武雄李茂顺王飞
关键词：磁共振成像
正常工作状态与零偏置JFET输入运算放大器的辐射损伤被引量：1
2010年
对处于正常工作和零偏置状态的JFET输入运算放大器,进行了高低剂量率辐射试验。结果表明,工作状态影响JFET运放电路的辐射效应和辐射损伤。正常工作状态下,JFET输入运算放大器表现出时间相关效应,而零偏置状态下则具有低剂量率损伤增强效应。高剂量率或低剂量率辐射情况下,正常工作的JFET输入运放电路参数退化大于或小于零偏置状态。高剂量率辐射会在JFET输入运放的基本单元双极晶体管产生氧化物正电荷和界面陷阱。从氧化物正电荷和界面态与工作状态的关系方面,对JFET运放电路的退化行为进行了解释。
郑玉展陆妩任迪远王义元陈睿费武雄
不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应
对10 位CMOS ADC7910 在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异.高剂量率辐照时,相比加电偏置,零偏条件下的辐射损伤更严重.文中对其...
陈睿陆妩任迪远郑玉展王义元费武雄李茂顺兰博
关键词：模数转换器偏置条件
大容量抗辐射加固SRAM器件单粒子效应试验研究被引量：2
2018年
针对宇航用大容量SRAM器件抗单粒子效应性能的试验评估需要,利用重离子加速器对抗辐射加固32 M Bulk CMOS工艺SRAM和16 M SOI CMOS工艺SRAM进行了单粒子效应模拟试验研究,获得SRAM器件单粒子效应特性并进行在轨翻转率预估;对单粒子翻转试验中重离子射程的影响,不同SEU类型的翻转截面差异,在轨翻转率预估的有关因素等进行了分析讨论。结果表明,这2款抗辐射加固SRAM器件都达到了较高的抗单粒子效应性能指标。试验结果可以为SRAM器件的单粒子效应试验评估提供参考。
余永涛陈毓彬水春生王小强冯发明费武雄
关键词：单粒子效应抗辐射加固BULKCMOS工艺CMOS工艺
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0