赵志刚
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学技术物理学院更多>>
- 发文基金：西安应用材料创新基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- ^(60)Co γ射线辐照对肖特基二极管1/f噪声的影响
- 2008年
- 在肖特基二极管(Schottky barrier diode,SBD)辐照损伤机理和总剂量效应分析的基础上,利用1/f噪声的迁移率涨落和载流子数涨落模型,深入研究辐照损伤对器件1/f噪声的影响.研究结果表明,辐照诱生新的界面态,改变界面态密度分布,进而调制了肖特基势垒高度,增大表面复合速度是引起器件性能退化主要原因,也是1/f噪声剧烈增加的主要原因.正因为如此,噪声与器件退化存在相关性,即噪声拟合参数B越大,偏离标准值越多,器件可靠性越差,抗辐照能力越低,在辐照环境下工作越容易失效.由此可知,1/f噪声特性可以用作SBD辐照损伤机理的研究工具,并有可能用于SBD抗辐射加固的无损评估.
- 杨丽侠杜磊包军林庄奕琪陈晓东李群伟张莹赵志刚何亮
- 关键词：肖特基二极管^60COΓ射线界面态
- 功率MOS器件抗辐照能力无损评价方法研究
- 功率MOS器件，特别是VDMOS器件与现在高度发展的超大规模集成电路(VLSI)工艺相容，发展迅速，已经成为电力电子器件发展的主流。同时，它在航空、航天、核电、军事电子等辐照环境中应用非常广泛。为了保证使用的可靠性并且降...
- 赵志刚
- 关键词：功率MOS器件电离辐照
- 文献传递
