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赵超亮

作品数:11 被引量:9H指数:2
供职机构:哈尔滨工业大学更多>>
发文基金:国家科技支撑计划中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 4篇籽晶
  • 3篇氮化
  • 3篇导热
  • 3篇云母带
  • 3篇粘合
  • 3篇粘合剂
  • 3篇缺陷密度
  • 3篇高导热
  • 2篇单晶
  • 2篇氮化铝
  • 2篇电机
  • 2篇预烧
  • 2篇预烧结
  • 2篇云母
  • 2篇填充型
  • 2篇填料
  • 2篇氢冷
  • 2篇坩埚
  • 2篇晶格
  • 2篇晶格失配

机构

  • 6篇哈尔滨工业大...
  • 5篇哈尔滨理工大...
  • 2篇哈尔滨电机厂...

作者

  • 11篇赵超亮
  • 5篇韩杰才
  • 4篇刘立柱
  • 4篇翁凌
  • 4篇宋波
  • 4篇张幸红
  • 3篇金镇镐
  • 3篇张宇民
  • 3篇张化宇
  • 2篇王诚
  • 2篇杨旭
  • 2篇赫兟
  • 1篇金雷
  • 1篇元泉
  • 1篇银颖
  • 1篇丁军
  • 1篇宋波
  • 1篇杨旭

传媒

  • 1篇绝缘材料
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2015
  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用于AlN晶体生长的图形化衬底
用于AlN晶体生长的图形化衬底,涉及一种用于AlN晶体生长的图形化衬底。解决现有采用籽晶制备大尺寸AlN晶体的方法中,AlN籽晶成本高,SiC籽晶高温易分解影响AlN晶体质量的问题。图形化衬底是在衬底上嵌入均匀排布的图形...
韩杰才宋波赵超亮张幸红张化宇张宇民
文献传递
一种AlN晶体的制备方法
一种AlN晶体的制备方法,它涉及一种晶体的制备方法。本发明要解决现有采用PVT法制备AlN单晶的方法中,异质籽晶与AlN晶体的晶格失配较大,得到AlN晶体缺陷密度高的问题。方法:一、将AlN粉末置于坩埚中、将籽晶固定在坩...
韩杰才宋波赵超亮张幸红张化宇张宇民
文献传递
粉体填充型高导热云母带用粘合剂的制备方法
粉体填充型高导热云母带用粘合剂的制备方法。目前,我国汽轮发电机在向高压大容量发展,而空冷发电机与传统的水、氢冷电机相比,具有结构简单、制造成本低、安全可靠、便于维护等许多优点,受到越来越多的用户青睐。本发明包括四步:第一...
刘立柱赵超亮翁凌杨旭金镇镐王诚
文献传递
高导热云母胶制备工艺研究被引量:1
2012年
采用无机纳米氮化铝粉体填充改性环氧树脂,获得所需的高导热云母胶。针对氮化铝粉体的表面改性、粉体掺杂方式对云母胶导热系数的影响进行了系统分析。经导热系数测试,确定了粉体的表面改性工艺,得到了最佳的粉体分散工艺。
刘立柱赵超亮翁凌杨旭赫兟
关键词:高导热填料
锰基反钙钛矿型氮化物的制备方法
锰基反钙钛矿型氮化物的制备方法,它涉及反钙钛矿型氮化物的制备方法。它要解决现有反钙钛矿型氮化物制备方法反应时间长,制备方法较复杂的问题。制备方法:一、碱金属氮化物、锰粉与金属单质粉磨碎混合,压制成片;二、混合料压片放入反...
韩杰才宋波银颖元泉金雷赵超亮
文献传递
导热填料对云母胶导热系数的影响研究
2011年
通过添加导热填料对云母胶进行改性,制备出具有较高导热性的胶粘剂。通过测试胶粘剂的导热系数、介电性能,电绝缘性能,系统研究了导热填料的用量、粒径、形状、晶型、种类等因素与胶粘剂导热系数的对应关系。结果表明,导热填料的最佳用量为32%(体积分数);云母胶的导热系数均随着所掺杂粉体粒径的增大而提高;相比于微孔形SiO2,球形SiO2对云母胶导热系数提升较高;在相同条件下,5μmBN和α-Al2O3能最大程度地提高云母胶热导率;相比于γ-Al2O3,α-Al2O3对云母胶导热系数提升较高。
赵超亮刘立柱翁凌丁军金镇镐赫兟
关键词:高导热填料胶粘剂
一种AlN晶体的制备方法
一种AlN晶体的制备方法,它涉及一种晶体的制备方法。本发明要解决现有采用PVT法制备AlN单晶的方法中,异质籽晶与AlN晶体的晶格失配较大,得到AlN晶体缺陷密度高的问题。方法:一、将AlN粉末置于坩埚中、将籽晶固定在坩...
韩杰才宋波赵超亮张幸红张化宇张宇民
文献传递
粉体填充型高导热云母带用粘合剂的制备方法
<B>粉体填充型高导热云母带用粘合剂的制备方法。目前,我国汽轮发电机在向高压大容量发展,而空冷发电机与传统的水、氢冷电机相比,具有结构简单、制造成本低、安全可靠、便于维护等许多优点,受到越来越多的用户青睐。本发明包括四步...
刘立柱赵超亮翁凌杨旭金镇镐王诚
文献传递
氮化铝晶体生长技术的研究进展被引量:6
2012年
氮化铝(AlN)是一种重要的宽带隙(6.2eV)半导体材料,在高温、高频、大功率电子器件、光电子器件、激光器件等半导体器件中有着良好的应用前景。物理气相传输法(PVT)是制备AlN体单晶最有效的途径之一,目前,美国Crystal IS公司、俄罗斯N-Crystals公司在该领域处于领先地位,可以制备出直径为2inch(5.08cm)的体单晶。为了获得大尺寸、高质量的AlN晶体,需要不断寻找合适的籽晶材料。从最早的SiC籽晶,发展到近年来的AlN籽晶、SiC/AlN复合籽晶,加上不断改进的PVT工艺条件,少数研究机构已经可以获得直径跨度大、缺陷密度低的AlN晶体。近两年,高品质的AlN晶体也已成功应用于紫外LED的研制。
赵超亮宋波张幸红韩杰才
关键词:氮化铝籽晶
氮化镓和氮化铝晶体及纳米结构的合成与力学性质表征
氮化镓(GaN)是一种典型的宽禁带半导体材料,由于其具有高热导率,高饱和电子迁移率,室温禁带宽度为 3.39 eV,在大功率高温集成电路中具有重要应用。在 III 族氮化物中,氮化铝(AlN)具有相对较宽的带隙(6.2 ...
赵超亮
关键词:晶体氮化镓氮化铝半导体材料力学性质
共2页<12>
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