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邱文彬

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：上海大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导体
  • 1篇氧化物
  • 1篇涂层导体
  • 1篇缓冲层
  • 1篇表面形貌

机构

  • 1篇上海大学

作者

  • 1篇蔡传兵
  • 1篇赵荣
  • 1篇邱文彬
  • 1篇范峰
  • 1篇刘志勇
  • 1篇李敏娟
  • 1篇鲁玉明

传媒

  • 1篇低温与超导

年份

  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
金属基底上氧化物缓冲层的外延生长及表面形貌研究被引量：1
2013年
采用直流反应磁控溅射在具有双轴织构的Ni-5%W基底上快速沉积了Y2O3种子层,随后外延生长GdxZr1-xOy(x=0.5,0.1)和YSZ三种阻挡层。研究表明,Y2O3能扩大和稳定后续薄膜的工艺窗口。X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析结果表明,三种薄膜c轴织构良好、表面平整致密,其中GSZ(x=0.5)具有最好的面内织构和表面形貌,面内半高宽(FWHM)5.8°,均方根粗糙度(RMS)1.6 nm。
邱文彬范峰赵荣李敏娟鲁玉明刘志勇蔡传兵
关键词：涂层导体缓冲层
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共1页<1>
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