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邹萍

作品数:30 被引量:167H指数:8
供职机构:四川大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金科技型中小企业技术创新基金四川省杰出青年学科带头人基金更多>>
相关领域:理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 26篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 16篇理学
  • 7篇化学工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇机械工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇医药卫生
  • 1篇电气工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇农业科学

主题

  • 6篇电子辐照
  • 5篇VO
  • 5篇MGAL
  • 4篇陶瓷
  • 4篇透明陶瓷
  • 4篇退火
  • 4篇活性剂
  • 4篇表面活性
  • 4篇表面活性剂
  • 3篇衍生物
  • 3篇液晶
  • 3篇液晶性
  • 3篇色心
  • 3篇水解
  • 3篇离子注入
  • 3篇晶体
  • 3篇碱性
  • 3篇光谱
  • 3篇光学
  • 3篇芳烃

机构

  • 30篇四川大学
  • 1篇平顶山工学院
  • 1篇中国核工业集...
  • 1篇西昌师范高等...

作者

  • 30篇邹萍
  • 13篇林理彬
  • 11篇卢勇
  • 10篇何捷
  • 6篇卢铁城
  • 4篇李启麟
  • 4篇皇起中
  • 4篇曾宪诚
  • 3篇王茜
  • 3篇魏孝强
  • 3篇秦自明
  • 3篇甘荣兵
  • 3篇王鹏
  • 2篇黄宁康
  • 2篇陈民助
  • 2篇王鹏
  • 2篇朱达川
  • 2篇涂铭旌
  • 2篇王治国
  • 2篇李艳

传媒

  • 4篇四川大学学报...
  • 3篇高等学校化学...
  • 3篇功能材料
  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇原子能科学技...
  • 2篇全国第十届大...
  • 1篇Journa...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇中国激光
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇化学研究与应...
  • 1篇高分子材料科...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇激光杂志
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 3篇2002
  • 6篇2001
  • 5篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1996
  • 3篇1995
  • 1篇1993
30 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
金红石(TiO_2)单晶体生长及制备条件的研究被引量:7
1998年
以TiO2超微粉为原料,采用焰溶法制备了金红石单晶体,并在不同的退火温度下,对晶体进行了氧化退火研究,利用紫外-可见分光光度计、红外谱仪等分析测试手段对晶体的光吸收性质进行了测试,此外,本文对微粉性状、生长气氛等对晶体生长的影响进行了探讨。
卢铁城林理彬邹萍
关键词:金红石单晶体二氧化钛晶体生长
改变VO_2薄膜光学性能的低注量电子辐照方法被引量:1
2001年
利用能量为 0 8MeV ,注量为 10 12 /cm2 的低注量电子束辐照VO2 薄膜 ,发现低注量电子辐照显著提高VO2 光学性能的温度响应速度 ,并引起薄膜相变过程中的热滞回线宽度变窄 ,但没有对相变温度点造成明显影响 ;通过对比辐照前后样品 370~ 90 0nm的吸收和透射性能 ,表明辐照后吸光度下降、透射率增加 ,在相变过程中四方相附近出现透射、吸收特性的非稳变化现象 ;利用X射线衍射 (XRD)及拉曼光谱对辐照前后样品进行分析 ,显示低注量电子辐照引起薄膜结构的变化 。
卢勇林理彬邹萍何捷卢铁城
关键词:电子辐射光学特性氧化钒薄膜
聚苯硫醚砜的热老化被引量:4
2004年
采用热分析的方法对高性能材料聚苯硫醚砜(PPSS)在氮气气氛和空气气氛中的热老化寿命进行了研究。通过Kissinger方法分别求得材料在氮气中的活化能为E=214.24kJ/mol,在空气中的活化能E=258.64kJ/mol,由Coats-Redfern法确定了材料在氮气和空气中热分解的第一个阶段都为一级反应,并根据Dakin提出的经验关系式作出老化寿命曲线,由此得出聚苯硫醚砜(PPSS)在氮气气氛和空气气氛中使用十年的上限温度为254℃和388℃。
王华东杨杰邹萍龙盛如杜宗英
关键词:聚苯硫醚砜热老化热分解反应活化能
有液晶性的杯[4]芳烃衍生物的合成及性质研究(Ⅱ)
近年来,杯芳烃因特殊的疏水功能和选择性配合金属离子的特性以及易于通过母体杯芳烃合成具有各种特性的杯芳烃衍生物而得到广泛应用,被称为第三代超分子的客体分子。已有不少文章报道了杯芳烃及其衍生物对金属离子的络合作用及发光的敏化...
敖波魏孝强邹萍彭强李龙章解勇谢明贵
关键词:液晶性杯[4]芳烃衍生物
文献传递
高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究被引量:3
2004年
报道了分别采用剂量为 1× 1 0 1 6 ,1× 1 0 1 7,5× 1 0 1 7和 1× 1 0 1 8cm- 2的高剂量 Ge离子注入 ,不需退火即可在 Si O2中直接形成 Ge纳米晶的新现象 .采用掠入射 X射线衍射和激光喇曼谱等实验手段对样品进行了物相分析 .结果表明 ,高剂量 Ge离子注入可在 Si O2 薄膜中直接形成 Ge纳米晶 (nc- Ge) ;非晶态 Ge向晶态 Ge发生相变的阈值剂量约为 1× 1 0 1 7cm- 2 ,离子注入直接形成的 nc- Ge内部具有较大压应力 ,随着注入剂量的提高 ,nc- Ge的尺寸和含量均有提高 .对纳米晶形成机理的研究认为 ,在 Ge离子注入剂量达到阈值 ,此时膜中 Ge非晶态团簇浓度达到饱和甚至过饱和 ,新入射的 Ge离子把动能传递给膜中的非晶态 Ge原子 ,使其部分析出并团聚形成能量最低且最稳定的
曾颖秋卢铁城沈丽如李恒杨经国邹萍林理彬
关键词:离子注入
MgAl_2O_4透明陶瓷中电子辐照诱导缺陷退火行为研究被引量:3
2002年
用能量为1.7MeV,束流强度0.7μA·cm-2,总注量6.3×1016cm-2的电子辐照镁铝尖晶石透明陶瓷,并对辐照后的样品进行等时退火,利用UVVIS和PAT测试,表明通过电子辐照样品在237nm和370nm处产生吸收带,它们主要是F心及V型色心。通过退火可以使F心及V型色心吸收峰消除,但F心的消除温度要高于V型色心,且其在退火过程中形成F聚心,F聚心随F心聚集增加其峰位将向紫外移动。
何捷林理彬王鹏卢勇邹萍王治国甘荣兵
关键词:电子辐照光学材料
1.7MeV电子束在VO_2热致相变薄膜中引起的结构和光电性能的变化被引量:8
2001年
利用能量为 1.7MeV、注量分别为 10 13 ~ 10 15/cm2 的电子辐照VO2 薄膜 ,采用XPS、XRD等测试手段对电子辐照前后的样品进行分析 ,并采用光透射性能和电学性能测试研究了电子辐照对样品相变过程中光电性能的影响。结果表明电子辐照在VO2 薄膜中出现变价效应 ,产生新的X射线衍射峰 ,带来薄膜化学成分的变化。电子辐照在样品中产生的这些变化对VO2
卢勇林理彬邹萍卢铁城何捷
关键词:相变性能电子辐照
MgAl_2O_4透明陶瓷电子辐照及退火效应被引量:6
2001年
用能量 1 .7Me V,束流强度 0 .7μA· cm-2 ,总注量 6 .3× 1 0 16 cm-2的电子辐照镁铝尖晶石透明陶瓷 ,并对辐照后的样品进行等时退火。利用 PAT、UV- VIS和 FI- IR测试 ,表明辐照前3 3 6 0 cm-1处有吸收峰 ,通过电子辐照样品在 2 3 7nm和 3 70 nm处产生吸收带 ,3 3 6 0 cm-1处吸收峰消失 ,主要是由 VOH-1心及辐照产生的 F心和 V型色心引起的。通过退火 ,可消除 F心及 V型色心吸收峰。
何捷林理彬王鹏卢勇邹萍
关键词:电子辐照色心
电子辐照对VO_2薄膜热致相变过程中光学性能的影响被引量:3
2001年
利用能量为 1.7MeV ,注量分别为 10 13~ 10 15/cm2 的电子束辐照二氧化钒薄膜 ,对辐照及未辐照样品进行了UV VIS、XPS参数测试 ,并测量 90 0nm处光透射性能随温度的变化。发现电子辐照导致了VO2 薄膜中的V离子价态由V4 +向V5+转变 ,薄膜热致相变前后的光透射比随注量增加变化较小 ,只在注量为 10 14 /cm2 时光透射比减小得较明显 ;相变温度点及热滞回线宽度随注量增加出现显著变化。并对有关的结果进行了讨论。
卢勇林理彬邹萍何捷卢铁城
关键词:电子辐照二氧化钒薄膜光学性能
胶束催化进展被引量:13
1996年
本文简要评述了胶束催化的进展。
曾宪诚李启麟王茜泰自明邹萍皇起中
关键词:胶束催化表面活性剂
共3页<123>
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