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郑毓峰

作品数:85 被引量:375H指数:11
供职机构:新疆大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金博士科研启动基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 66篇期刊文章
  • 12篇专利
  • 6篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 40篇理学
  • 26篇电子电信
  • 15篇一般工业技术
  • 6篇电气工程
  • 2篇化学工程

主题

  • 23篇纳米
  • 16篇水热
  • 14篇FES
  • 12篇热合成
  • 11篇热法
  • 11篇CDTE薄膜
  • 10篇CDTE
  • 9篇水热法
  • 9篇水热合成
  • 9篇半导体
  • 8篇电阻
  • 8篇铁矿
  • 8篇化合物
  • 8篇PYRITE
  • 7篇电阻加热
  • 7篇纳米晶
  • 7篇纳米线
  • 7篇精修
  • 7篇光学
  • 6篇溶剂

机构

  • 85篇新疆大学
  • 10篇中国科学院
  • 4篇喀什师范学院
  • 3篇北京航空航天...
  • 2篇新疆医科大学
  • 2篇中国科学技术...
  • 2篇新疆教育学院
  • 1篇南京大学
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇中国科学院新...

作者

  • 85篇郑毓峰
  • 53篇孙言飞
  • 33篇简基康
  • 28篇吴荣
  • 16篇李锦
  • 11篇董有忠
  • 11篇徐金宝
  • 10篇张校刚
  • 9篇马忠权
  • 8篇陈艳华
  • 6篇李冬来
  • 6篇陈树义
  • 6篇段鹤
  • 5篇蒋莉
  • 5篇杨林钰
  • 5篇杨世才
  • 4篇郭旗
  • 4篇陆妩
  • 4篇尚飞
  • 4篇徐少辉

传媒

  • 25篇新疆大学学报...
  • 6篇物理学报
  • 4篇新疆大学学报...
  • 3篇功能材料
  • 3篇人工晶体学报
  • 3篇半导体光电
  • 2篇核技术
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇物理化学学报
  • 1篇分子科学学报
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇科学通报
  • 1篇Journa...
  • 1篇化学试剂
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇机械工程材料
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇材料导报
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 12篇2010
  • 9篇2009
  • 7篇2008
  • 2篇2007
  • 6篇2006
  • 13篇2005
  • 6篇2004
  • 5篇2003
  • 5篇2002
  • 3篇2001
  • 3篇2000
  • 1篇1999
  • 3篇1998
  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 3篇1993
  • 2篇1991
85 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硫属化合物太阳电池材料的制备及性能研究
郑毓峰孙言飞徐金宝董有忠陈艳华李锦段鹤吴荣张校刚
研制了FeS2(pyrite)及CdTe薄膜,合成了粉晶FeS2,制备了FeS2和CoS2纳米晶;对各种方法制备的样品利用X射线衍射、扫描和透射电镜和红外光吸收谱对其微结构进行了研究,包括薄膜、粉晶及纳米样品的晶粒尺度、...
关键词:
关键词:硫属化合物太阳电池材料水热合成
Zn_(1-X)Cd_XS三元纳米线的制备及生长机理
2009年
本文以CdS和ZnS粉末作为前驱物,采用化学气相沉积(CVD)法在1100条件下,以金膜为催化剂在硅衬底上一步合成了Zn1-XCdXS三元纳米线.扫描电镜(SEM)测试表明合成的Zn1-XCdXS晶体具有线状的微观形貌;X射线衍射(XRD)图谱显示产物是六方铅锌矿Zn0.2Cd0.8S;X射线能量色散谱(EDX)给出了Zn和Cd和S的比例为0.1:0.7:1.产物Zn1-XCdXS纳米线的生长机理为气-液-固(VLS)机制,物相形成机制为替位式化合机制,即Zn离子取代CdS中Cd离子化合成三元物相.
邹华吴荣孙言飞郑毓峰简基康
关键词:化学气相沉积纳米线
纳米PbS的合成新方法——一步室温固相化学反应法被引量:18
1998年
纳米PbS的合成新方法———一步室温固相化学反应法俞建群1贾殿赠1张校刚1夏熙1郑毓峰2(1新疆大学化学系,乌鲁木齐,830046)(2新疆大学物理系,乌鲁木齐,830046)关键词纳米;硫化铅;固相化学反应当前,合成化学的研究热点在于合成方法的不...
俞建群贾殿赠张校刚夏熙郑毓峰
关键词:纳米硫化铅固相化学反应
近距离升华制备CdTe掺Te薄膜的结构与电性能研究被引量:7
2003年
采用近距离升华(Close-Spaced-Sublimation,CSS)技术制备CdTe及掺Te薄膜.并利用XRF、XRD、SEM及Hall系统研究了其含量、结构、表面形貌和电性能.结果表明,CSS技术制备的CdTe薄膜晶形好,晶粒度较RF方法制备的薄膜增大约100倍.Te掺入CdTe薄膜后,改变了CdTe膜的结晶特性,适当掺入Te可以促进CdTe晶格的生长,并导致Cdrre膜晶格常数变大.薄膜面电阻率降低,面载流子浓度增大,以及载流子迁移率的增大,表明掺杂Te后CdTe膜的电导性能大大改善.
李锦郑毓峰戴康徐金宝陈树义
关键词:电性能CDTE薄膜CSS技术碲化镉
纯氮气反应溅射c-轴择优取向AIN薄膜的制备及性质研究
2009年
在纯氮气气氛、衬底温度为20℃至370℃的条件下,分别在硅(100)和石英衬底上沉积氮化铝薄膜.原子力显微镜图片表明:在不同衬底温度制备的薄膜表面平滑,均方根粗糙度为2.2~13.2nm.X射线衍射图谱表明:可以在衬底温度为180°条件下沉积出具有c-轴择优取向的纤锌矿氮化铝薄膜,衬底温度的增加有利于薄膜结晶性的改善.由紫外-可见光透射谱计算得到薄膜折射率为1.80~1.85,膜厚约为1μm、光学能隙为6.1eV.
杨世才阿布都艾则孜.阿布来提简基康郑毓峰孙言飞吴荣
关键词:氮化铝磁控反应溅射
水热法合成黄铁矿型FeS_2及其结构表征被引量:2
2009年
以CS2为硫源,尿素为添加剂,利用水热法在120~180℃下,合成了黄铁矿型FeS2粉晶,采用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜进行了结构表征,比较了反应温度对于成晶的影响,并且讨论了反应机理.
蒋莉马灵灵郑毓峰
关键词:水热法XRD
近距离升华沉积CdTe掺Cd薄膜的微结构和电学、光学特性被引量:7
2008年
采用近距离升华技术制备了掺杂Cd元素的CdTe多晶薄膜.利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜表征其微结构,用霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计分析其电学、光学特性.结果显示,适量的掺杂Cd元素可改善CdTe薄膜晶形,显著提高薄膜的电导特性,由弱的p型电导转变为导电性能良好的n型电导,但对光能隙影响不大.
李茜郑毓峰周向玲孙言飞简基康
关键词:CDTE薄膜
真空热蒸发法制备CdS纳米带及其光学性质
2010年
在常规真空镀膜仪中,我们首创了一种利用真空热蒸发原理在催化剂Bi的辅助下制备一维CdS纳米带的方法.X射线衍射(XRD)和X射线能量色散谱(EDX)实验证明所得纳米带为纯的六方纤锌矿型CdS结构.扫描电子显微镜(SEM)观察到CdS纳米带在较大范围内具有非常均匀的带宽.光致发光谱发现CdS纳米带有两个发光带.经分析推测CdS纳米带的生长机理为:生长前期为气-液-固(VLS)机制占主导地位,而气-固(VS)机制在纳米带的形成过程和生长的后期起决定作用.
邹华吴荣孙言飞郑毓峰王军彭登峰简基康
关键词:CDS纳米带气-液-固气-固
晶种诱导水热合成二硫化钴CoS2粉体
在水热环境中,以EDTA作为螯合剂,加入NiSe2作为晶种,在碱性条件下合成CoS2粉体.借助X射线衍射(XRD)对所得产物的晶相组成进行表征,并用Rietveld法对样品进行结构精修,结果表明,样品为AB2型立方结构,...
张玲郑毓峰孙言飞董有忠
关键词:水热合成RIETVELD结构精修
文献传递
电沉积FeS_2(Pyrite)薄膜的制备与性能研究被引量:5
2005年
采用含铁和硫元素的水溶液电沉积制备了FeS2 薄膜,并在硫氛围中退火获得样品。研究了样品的微结构和光吸收以及电学性质。结果表明薄膜样品晶相单一,晶粒尺寸约为100nm,光吸收系数随沉积时间增加略有增大,电阻率随薄膜沉积时间的增加而减小。为防止薄膜脱落,在沉积过程中使用了阳离子表面活性剂,得到了均匀且粘附性较强的膜。
董有忠郑毓峰张校刚段鹤孙言飞陈艳华
关键词:电沉积X射线衍射
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