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陈小红

作品数：37 被引量：8H指数：2
供职机构：厦门大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金福建省农科院青年科技人才创新基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术文化科学理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 7篇学位论文
  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇文化科学
  • 2篇经济管理
  • 2篇轻工技术与工...
  • 2篇理学
  • 1篇天文地球
  • 1篇电气工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇语言文字
  • 1篇文学

主题

  • 14篇纳米
  • 10篇金属
  • 8篇纳米线
  • 8篇金属纳米
  • 6篇金属纳米线
  • 5篇探测器
  • 5篇光电
  • 4篇电机
  • 4篇电极
  • 4篇量子
  • 4篇发电机
  • 4篇发光
  • 4篇复合材料
  • 4篇复合材
  • 3篇电场
  • 3篇纳米发电机
  • 3篇晶格
  • 3篇光电探测
  • 3篇光电探测器
  • 3篇半导体

机构

  • 37篇厦门大学
  • 1篇新疆大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇厦门理工学院

作者

  • 37篇陈小红
  • 25篇蔡端俊
  • 8篇陈瀚
  • 4篇陈松岩
  • 3篇郭斌
  • 2篇赵阳
  • 2篇徐富春
  • 2篇康俊勇
  • 2篇林爱清
  • 2篇邓彩玲
  • 1篇林一清
  • 1篇陈丽蓉
  • 1篇杨祖慎
  • 1篇程翔
  • 1篇蔡加法
  • 1篇张玉清
  • 1篇陈丽容
  • 1篇高文秀
  • 1篇黄美纯
  • 1篇刘宝林

传媒

  • 4篇厦门大学学报...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2024
  • 9篇2023
  • 5篇2022
  • 4篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2007
  • 1篇2005
  • 3篇2002
  • 1篇2000
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
纳米硅量子点的自然形成及其发光特性被引量：2
2000年
用 Si H4 气体的减压 CVD法 ,在氧化硅以及石英基板上自然形成了高密度的 (～ 10 11cm-2 )纳米尺寸的半球状硅晶粒 (硅量子点 ) ,并且对其光学吸收和发光 (Photo- luminescence,PL)特性进行了评价。用表面热氧化了的硅量子点样品 ,在室温条件且在高于 1.2 e V以上的能量范围内观察到了 PL谱。随着量子点尺寸的减少 ,PL谱的光学吸收限移向高能方向。 PL谱的峰值能呈现大幅度的 (约 0 .9e V)斯塔克移动 ,并且 PL谱的强度几乎与温度无关 ,说明发光来自与局域能级相关联的发光和复合过程。
高文秀陈松岩刘宝林黄美纯陈小红杨祖慎
关键词：硅量子点纳米
保险公司估值研究——以A股上市保险公司为例的投资机会分析
关于A股上市保险公司的估值研究应该是所有上市公司估值研究中最有挑战性的课题之一。其原因有二：一是和其他传统行业相比，保险公司的估值理论抽象、方法繁琐、计算复杂;二是由于历史原因A股市场上信息披露不统一、不完善、不规范、不...
陈小红
关键词：企业估值股票市场
AlGaN量子阱陡峭界面的非对称扩散消弭（英文）
Quantum well has been one of the most important candidates constructing the active layer for optoelectronic de...
蔡端俊陈小红林娜徐富春陈航洋
文献传递
GaN材料及MSM结构紫外光电探测器的研究与制备
GaN是最有前景的直接跃迁宽带隙半导体材料之一，它具有优良的光电性质和优异的机械性能，被认为是制备短波长光电子器件的最佳材料之一。紫外光电探测器可用于科研、军事、太空、环保利其它许多工业领域中。而金属-半导体-金属/(M...
陈小红
关键词：RAMANMSM紫外探测器
文献传递
一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法
一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法，涉及一种超晶格结构。利用界面引入超薄阻挡－补偿插层方法，在金属有机物MOCVD生长的GaN/AlGaN超晶格的界面进行特殊处理，有效阻挡高温下界面金属元素扩散效应，以获得超...
蔡端俊陈小红康俊勇
Ⅲ族氮化物半导体异质结构的生长及其特性
Ⅲ族氮化物半导体因其连续可调的宽广的直接带隙及其优越的物理、化学性质，在光显示、光照明、光存储、光探测和功率电子器件等光电子器件等领域中具有极其广泛的应用潜力和良好的市场前景。Ⅲ族氮化物半导体器件中，GaN基超晶格、量子...
陈小红
关键词：第一性原理特性分析
一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法
一种陡峭界面GaN/AlGaN超晶格的制备方法，涉及一种超晶格结构。利用界面引入超薄阻挡－补偿插层方法，在金属有机物MOCVD生长的GaN/AlGaN超晶格的界面进行特殊处理，有效阻挡高温下界面金属元素扩散效应，以获得超...
蔡端俊陈小红康俊勇
文献传递
一种MXene金属纳米复合材料、制备方法及应用
本发明涉及MXene材料技术领域，特别涉及一种新型MXene金属纳米复合材料、制备方法及应用，其中，一种新型MXene金属纳米复合材料，包括若干MXene材料层；负载于所述MXene材料层间的金属纳米线；本发明提供的一种...
蔡端俊陈瀚周其程唐燕林泽锋陈小红
一种正交取向化二维复合材料、制备方法与柔性纳米发电机
本发明涉及纳米发电机领域，特别涉及一种正交取向化二维复合材料、制备方法与柔性纳米发电机。其中，一种正交取向化二维复合材料，由氮化硼纳米片与紫外固化胶混合，后经电场正交取向化，并进行紫外固化制得，所述氮化硼纳米片由氮化硼粉...
蔡端俊蔡叶杭刘国振唐燕周其程陈小红许飞雅
一种介导金属纳米线直接吸裹的导电纺织布及其制备方法
本发明涉及导电纺织物领域，特别涉及一种介导金属纳米线直接吸裹的导电纺织布及其制备方法，其中，采用该制备方法可获得高质量的导电纺织布，具体为将纺织布依次经过氧等离子处理和硅烷偶联剂改性处理获得金属介种吸附位点；纺织布置于有...
蔡端俊邱鸿伟唐燕林泽锋陈小红许飞雅
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