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陈拥军

作品数：3 被引量：7H指数：1
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：化学工程理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇碳化钽
  • 2篇晶须
  • 1篇形貌
  • 1篇氧化硅
  • 1篇氧化镁
  • 1篇氧化镁晶须
  • 1篇氰化
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米结构制备
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体结构
  • 1篇固溶
  • 1篇固溶体
  • 1篇粉料
  • 1篇TAC
  • 1篇ZRO2
  • 1篇硅
  • 1篇钛
  • 1篇不同形貌
  • 1篇TIN

机构

  • 3篇清华大学

作者

  • 3篇陈拥军
  • 2篇翟华嶂
  • 2篇李建保
  • 1篇张淑霞

传媒

  • 1篇材料工程

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇2000
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
选择性氮化法制备t-ZrO2-TiN粉料
应用热力学原理分析计算了ZrO-TiO系统的选择性的氮化条件,确定了反应温度对该系统氮化后相组成的影响。采用碳热还原法,在高纯氮气氛下制备t-ZrO-TiN复合粉料。利用X射线衍射和X射线荧光光谱对氮化后粉料的物相和氮化...
翟华嶂李建保张淑霞陈拥军
关键词：固溶体粉料
文献传递
不同形貌TaC_x晶须的制备及生长机理被引量：7
2002年
通过不同的原料体系在合适的工艺条件下成功制备出碳化钽晶须 (Ta Cx)。由 Ta2 O5- Na Cl- C- Ni和 Ta2 O5- Na F-C- C1 2 H2 2 O1 1 (蔗糖 )体系制备的晶须呈平直的纤维形态 ,其生长机理为气 -液 -固 (VL S)机制。由 Ta2 O5- KCl- C- Ni体系制备的晶须一部分通过 VL S机理生长 ,而另一部分则通过 L S机理生长 ,前者呈四方柱状 ,后者呈具有锥状柱体和之字形端部的特殊形貌。所有的原料体系均是在相近的工艺条件下进行 ,即反应温度 115 0～ 135 0℃ ,氮气气氛保护。本工作对晶须的化学成分、形貌。
陈拥军李建保魏强民翟华嶂
关键词：形貌碳化钽晶体结构
碳化钽、氧化镁晶须和硅-氧化硅纳米结构制备及生长机理的研究
陶瓷晶须以其化学杂质少，结晶相成分均一，晶体结构缺陷少，接近晶体理论强度的特性，在陶瓷、金属和高分子复合材料的增强补韧方面得到广泛的应用;某些晶须材料所具备的一些特殊的性能如碳化钽(TaC)的稳定导电温度系数、氧化镁(M...
陈拥军
关键词：碳化钽氧化镁硅氧化硅
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