陈静
- 作品数：13 被引量：40H指数：4
- 供职机构：苏州大学机电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信冶金工程一般工业技术机械工程更多>>
- Nb和N_2在球磨过程中的固-气反应被引量：9
- 1999年
- 利用改装后可充一定压力气体的球磨罐，装入一定量的高纯金属，经抽真空后充入一定压力的氮气，在室温下进行球磨产生固－气反应制备出金属氢化物的超细微粒．以金属铌为例，用XRD和TEM分别对生成物的晶粒尺度和相结构进行了分析测量．从热力学讨论了金属氮化的形成机制，在固－气反应中氮气分子在金属清洁表面的化学吸附起着重要作用．球磨过程中产生的大量缺陷对金属－氮气的反应有重要影响．
- 吴雪梅陈静诸葛兰剑姚伟国
- 关键词：NBN2球磨化学吸附铌机械合金化
- 低剂量注水形成SOI结构与注入能量的关系研究
- 采用无质量分析器的离子注入机以低能量低剂量注水的方式代替常规的SIMOX注氧制备SOI材料.这种新技术具有注入时间短和降低成本的优点,是未来低价商用SOI材料制备可选方法之一.在剂量一定的条件下,研究不同注入能量对SOI...
- 陈静陈猛王湘董业民郑志宏张峰李炜王曦
- 关键词：SOI结构离子注入机
- 文献传递
- 低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度被引量：2
- 2001年
- 用增强化学腐蚀法研究了低剂量 SIMOX- SOI材料表层硅质量与实验参数的关系 .结果表明 ,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响 .通过对注入剂量和能量的优化 ,表层硅线缺陷密度可低于 10 4cm- 2 .在注入能量为16 0 ke V时 ,获得低线缺陷密度对应的注入剂量为 5 .5× 10 1 7cm- 2 左右 ,当注入剂量为 4.5× 10 1 7cm- 2 ,获得低线缺陷密度对应的注入能量为 130 ke
- 郑望陈猛陈静林梓鑫王曦
- 关键词：SOI缺陷密度硅集成电路
- 低剂量SIMOX圆片研究
- 用剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法和Cu-plating表征了低剂量SIMOX圆片的结构特征.结果显示,选择恰当的剂量能量窗口,低剂量SIMOX圆片表层Si单晶质量好、线缺陷密度低、埋层厚度均匀、埋层硅岛密度低...
- 陈猛陈静张峰李炜徐彦芬陈可炜王湘刘相华王曦
- 关键词：SOI材料SIMOX圆片
- 文献传递
- Ge-SiO_2薄膜的光致发光及其机制被引量：8
- 2001年
- 采用射频磁控溅射复合靶技术制备了Ge-SiO2薄膜. 薄膜在N2的保护下进行了不同温度的退火处理. 根据X射线衍射(XRD)谱估算了Ge纳米晶粒的平均尺寸. 经600～1000℃退火, Ge纳米晶粒的平均尺寸从3.9 nm增至6.1 nm. 在紫外光的激发下, 所有样品都发出很强的394 nm的紫光. 随着Ge纳米晶粒的出现, 样品有580 nm的黄光发出, 其强度随着晶粒的增大而增强. 对于经不同温度退火的样品, 这两个波段的峰位都保持不变. 根据分析结果对光致发光的机制进行了讨论.
- 董业民陈静汤乃云叶春暖吴雪梅诸葛兰剑姚伟国
- 关键词：射频磁控溅射光致发光发光机制纳米晶粒
- 锗纳米镶嵌薄膜的电致发光及其机制被引量：1
- 2001年
- 采用射频磁控溅射技术 ,在Ge纳米镶嵌薄膜的基础上制备出电致发光器件。器件的结构为半透明Au膜 /Ge纳米镶嵌薄膜 /p Si基片。当正向偏压大于 6V时 ,用肉眼可以观察到可见的电致发光 ,但在反向偏压下探测不到光发射。所测电致发光谱中只有一个发光峰 ,峰位在 5 10nm ( 2 .4eV ,绿光 ) ,并且随着正向偏压的升高 ,峰位不发生移动 ;对于不同温度退火的样品 ,峰位也保持不变。
- 董业民叶春暖汤乃云陈静吴雪梅诸葛兰剑王曦姚伟国
- 关键词：电致发光发光机制
- 喷气织机四连杆打纬机构动态响应的数值解被引量：5
- 2006年
- 采用柔性多体系统建模方法建立了喷气织机四连杆打纬机构的微分-代数动力学控制方程组,并将其转化为常微分方程组,采用传统的显式Runge-Kutta法求解,效果较理想。
- 陈静冯志华
- 关键词：四连杆打纬机构刚柔耦合RUNGE-KUTTA法喷气织机
- 低剂量SIMOX圆片线缺陷和针孔的研究被引量：3
- 2001年
- 用Secco法、Cu-plating法分别表征了低剂量SIMOX圆片顶层硅线缺陷、埋层的针孔密度。结果显示,低剂量SIMOX圆片的顶层硅缺陷密度低,但埋层质量稍差。通过注入工艺和退火过程的进一步优化,低剂量SIMOX将是一种有前途的SOI材料制备工艺。
- 郑望陈猛陈静林梓鑫王曦
- 关键词：SOISIMOX线缺陷针孔
- 球磨条件对氮化铌超细粉结构的影响被引量：4
- 1999年
- 利用特殊设计的球磨装置，经抽真空后充入一定压力的氮气，通过球磨纯金属，在室温下制备出金属氮化物的超细微粒。对不同球磨条件下制备的ＮｂＮ超细粉，采用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＤＳＣ对晶粒尺度、相结构及热稳定性进行了分析，研究不同球磨条件对ＮｂＮ超细粉结构的影响。
- 吴雪梅陈静姚伟国诸葛兰剑孙建平金宗明
- 关键词：球磨超细微粒
- Ge量子点材料的制备工艺研究被引量：1
- 1998年
- 采用射频磁控技术,用Ge、SiO_2的复合靶制备锗纳米晶镶嵌在二氧化硅中的复合薄膜.作为量子点的Ge纳米晶粒的尺寸是决定这类材料物性的关键,因而研究对镶嵌在SiO_2中的Ge晶粒尺寸调制的工艺十分重要.本文研究了制备过程中各种工艺参数与薄膜中Ge晶粒尺寸的关系.结果表明通过溅射时控制基片温度能有效地对锗晶粒尺寸进行调制.
- 陈静吴雪梅金宗明诸葛兰剑
- 关键词：锗量子点射频磁控溅射半导体
