靳锐敏
- 作品数：17 被引量：87H指数：6
- 供职机构：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：河南省自然科学基金河南省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信动力工程及工程热物理更多>>
- 非晶硅(a-Si:H)薄膜自然衰减和中温光退火的研究
- 2005年
- 通过PECVD法,用玻璃作衬底在200,250,300,350,400,450℃下直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,并在避光状态下贮存3个月,把前后样品用拉曼光谱分析,发现非晶硅峰值480 cm-1基本消失;在石英玻璃100℃下沉积非晶硅薄膜在700℃下10 min,700℃下20 min,750℃下2 min,850℃下1 min;850℃下1 min,850℃下2 min,850℃下5 min,850℃下10 min分别用卤钨灯光照退火,发现850℃下5 min已经充分结晶.
- 靳锐敏卢景霄扬仕娥王海燕张丽伟冯团辉
- 关键词：PECVD法非晶硅薄膜自然衰减
- 常规退火与光退火固相晶化的对比被引量：5
- 2005年
- 为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-S i:H)薄膜,把沉积的样品分别在850℃下用传统炉子退火3h、用光快速热处理(RTP)5m in,然后用Ram an、XRD和SEM分析对比,发现传统炉子退火后的晶粒分布不均匀,光退火后的晶粒分布均匀。XRD分析发现两种方法晶粒尺寸均为30nm左右。
- 靳锐敏卢景霄王海燕张丽伟王生钊刘萍王红娟
- 关键词：PECVD法非晶硅薄膜晶粒大小拉曼光谱XRDSEM
- 利用快速热退火法制备多晶硅薄膜被引量：12
- 2005年
- 为了制备优质的多晶硅薄膜,该论文研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术。先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火。退火前后的薄膜利用X射线衍射(XRD)仪、Raman光谱仪及扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,利用电导率测试设备测试其暗电导率。研究表明退火温度、退火时间以及沉积时的衬底温度对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响。
- 冯团辉卢景霄张宇翔郜小勇杨仕娥李瑞靳锐敏王海燕
- 关键词：多晶硅薄膜太阳能电池晶粒
- a-Si∶H薄膜的再结晶技术发展概述被引量：6
- 2004年
- 论述了非晶硅薄膜的主要再结晶技术,包括传统的炉子退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化、快速热退火和激光晶化。着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景。
- 冯团辉卢景霄张宇翔郜小勇王海燕靳锐敏
- 关键词：激光晶化炉子快速热退火A-SI:H薄膜非晶硅薄膜
- 多晶硅薄膜制备的量子态模型
- 2006年
- 本文提出量子态模型。发现在制备多晶硅薄膜过程中沉积温度、衬底、射频功率、氢稀释比、磷掺杂等沉积参数、多晶硅薄膜晶粒大小，以及二次晶化过程符合量子态模型。
- 靳锐敏卢景霄扬仕娥张丽伟李瑞
- 关键词：PECVD法非晶硅薄膜RAMAN光谱
- 温度对非晶硅薄膜二次晶化的影响被引量：4
- 2005年
- 为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样品,在600℃和850℃下退火3h,把前后样品用拉曼光谱和扫描电镜分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850℃下退火的薄膜比600℃好。在450℃下沉积、850℃退火3h,SEM观察,表面最大晶粒尺寸为900nm左右。
- 靳锐敏卢景霄扬仕娥王海燕李瑞冯团辉段启亮
- 关键词：无机非金属材料PECVD法非晶硅薄膜多晶硅薄膜
- Raman散射和AFM对多晶硅薄结晶状况的研究被引量：5
- 2005年
- 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在普通玻璃衬底上制备了多晶硅(p-si)薄膜。利用拉曼(Raman)散射谱、原子力显微镜(AFM)研究了衬底温度、射频功率和SiH4浓度对薄膜晶化的影响,并对其结果进行分析讨论。研究结果表明,当衬底温度从200℃逐渐提高到400℃、SiH4浓度从5%降到1%,硅膜的晶化率逐渐提高,结构逐渐由非晶向多晶转变,射频功率对薄膜的晶化状况也有很大影响。
- 李瑞卢景霄陈永生杨仕娥靳锐敏王海燕张宇翔郜小勇
- 关键词：多晶硅薄膜RAMAN散射
- 磁控溅射法制备AZO薄膜的工艺研究被引量：17
- 2005年
- 用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响。结果表明:氧气和氩气的体积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);退火有利于薄膜结晶;低于400℃退火时,温度越高薄膜电阻越小,超过400℃后,真空中退火温度再升高电阻变化不大,而空气中退火温度再升高电阻反而变大。
- 张丽伟卢景霄段启亮王海燕李瑞靳锐敏王红娟张宇翔
- 关键词：无机非金属材料AZO薄膜磁控溅射法退火温度
- 多晶硅薄膜的制备参数对其结晶状况的影响
- 我们使用等离子体增强型化学气相沉积（PECVD）的方法在玻璃衬底上制备了用于太阳能电池的多晶硅薄膜。通过对其Raman谱的分析得出不同沉积条件下薄膜的结晶状况,并对其结果进行了一系列的讨论分析。
- 李瑞陈永生杨仕娥靳锐敏王海燕张宇翔卢景宵
- 关键词：多晶硅薄膜衬底温度射频功率
- 薄膜结构性能变化中的“温度临界点”被引量：8
- 2005年
- 本文先从理论角度说明了薄膜结构性能变化中存在“温度临界点”,然后借助于XRD、Ram an等测试仪器研究分析了S i薄膜、AZO薄膜在晶化过程、晶粒长大过程以及性能突变中的“温度临界点”。结果显示:薄膜结构性能变化中确实存在“温度临界点”;在“温度临界点”前后薄膜结构性能的变化规律曲线出现拐点。进而推论:薄膜的结构性能在随温度变化中“温度临界点”可能不止一个。
- 张丽伟卢景霄李瑞冯团辉靳锐敏张宇翔李维强王红娟
- 关键词：X射线衍射拉曼光谱
