您的位置: 专家智库 > >

韦丹

作品数:19 被引量:29H指数:3
供职机构:清华大学材料科学与工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部“优秀青年教师资助计划”国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 3篇化学工程
  • 3篇电气工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇计算机
  • 4篇磁记录
  • 3篇电滞回线
  • 3篇铁电
  • 3篇铁电薄膜
  • 3篇铁电存储器
  • 3篇自发极化
  • 3篇计算机模拟
  • 3篇存储器
  • 2篇有效性质
  • 2篇介质
  • 2篇巨磁电阻
  • 2篇分立
  • 2篇垂直磁记录
  • 2篇磁电
  • 2篇磁电阻
  • 2篇磁性
  • 1篇信息存储
  • 1篇信息存储技术
  • 1篇性质分析

机构

  • 19篇清华大学
  • 1篇兰州大学

作者

  • 19篇韦丹
  • 3篇任天令
  • 3篇欧阳可青
  • 2篇徐志平
  • 2篇夏强平
  • 2篇刘理天
  • 2篇袁俊
  • 1篇朱静
  • 1篇武庆兰
  • 1篇孙志英
  • 1篇魏朝刚
  • 1篇郑洋
  • 1篇白新德
  • 1篇朱钧
  • 1篇曲炳郡
  • 1篇钟海
  • 1篇魏福林
  • 1篇李健
  • 1篇王晓工
  • 1篇徐健

传媒

  • 3篇清华大学学报...
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇物理
  • 1篇力学学报
  • 1篇科学
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇金属功能材料
  • 1篇新材料产业
  • 1篇第七届"测量...
  • 1篇第三届全国磁...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 4篇2004
  • 4篇2003
  • 2篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
纳米线阵列在分立垂直磁记录中的应用
<正>目前磁存储介质的比特密度每年以60%的速度增加,传统的水平磁记录介质(图1a)正面临着越来越大的挑战。随着记录面密度的提高(Hitachi的Ultrastar系列最大面密度已超过61Gbit/in2),相邻比特间的...
袁俊朱静韦丹王晓工
超高密度计算机硬盘系统磁记录材料的噪音和差错分析
2002年
为研究计算机硬盘的信号和噪音 ,建立了硬盘系统读写过程的微磁模拟模型。在写入过程中采用了模拟的三维薄膜磁头 ,在读出过程中用的是巨磁阻 (GMR)磁头。根据模拟的结果 ,分别计算出了 0 ,1信号读出电压的概率密度分布函数 ,得到了硬盘磁记录密度在 15 .5 Mb/mm2 ,31.0Mb/mm2 ,40 .3Mb/m m2 ,46 .5 Mb/mm2 几种不同情况下的数据差错率。结果表明在颗粒大小 a L=13.5 nm时 ,非 0的差错率在密度为 40 .3Mb/mm2时开始出现。本系统中 ,磁道宽 W约为比特长度 B的 5倍 ,当比特长度与颗粒大小之比 B/a L>4时 ,平均差错率很小 ;但当 B/a L<4时 。
李健韦丹
关键词:超高密度磁记录材料差错率薄膜介质
金属颗粒磁带宏观性质的细观力学估计被引量:2
2006年
金属颗粒之间的磁场相互作用对金属颗粒磁带的高密度记录性能有显著的影响.为了有效地估计该影响,在单畴颗粒的Stoner-Wohlforth模型基础上将新近提出的细观力学相互作用直推法(Zheng & Du,J. Mech.Phys.Solid.2001)推广到非均匀磁记录材料中,得到了磁带宏观性质的率形式解析表达,能有效地计及颗粒之间的相互作用、颗粒形状的统计分布和体积分数对磁介质性能的影响.得到的理论结果与数值模拟和有关的实验观测结果相当一致.
夏强平韦丹徐志平郑泉水
关键词:复合材料有效性质磁滞回线
二维巨磁阻磁头表面场的计算
2000年
为了研究磁阻磁头的读出电压 ,有必要从理论的角度求得磁阻磁头的表面场。真实磁头用一个二维磁头近似来求解表面场及相关的磁势。磁势满足 Laplace方程 ,利用能量最低原理求得磁势及表面归一化场。根据磁头的磁记录性质确定边界条件。结果表明
孙志英韦丹
软磁Ni_(80)Fe_(20)薄膜单元中磁涡旋结构的高分辨磁力显微观察被引量:4
2009年
本文利用高分辨磁力显微技术对Ni80Fe20薄膜单元进行了直接观察,发现在双圆盘"花生形"单元中存在磁涡旋结构,并能够清晰地看到单元中心附近或亮或暗的涡旋核。实验结果表明,在包括针尖卷积效应的情况下,磁涡旋核中心轮廓线的直接测量宽度约为40 nm,这个分辨率远高于迄今为止报道的关于磁涡旋结构的MFM测量结果。
钟海黄磊王素梅韦丹袁俊朱溢眉
关键词:磁力显微镜NI80FE20
GMR硬磁偏置层加工技术被引量:1
2010年
磁控溅射是一种能够在低温条件下生长大面积优质薄膜的工艺,广泛用在磁传感器和存储等领域。本文研究了在巨磁电阻(Giant Magneto Resistance:GMR)多层膜周围溅射接触紧密的CoCrPt硬磁膜的工艺,使得硬磁膜能为GMR提供磁场偏置,以解决小尺度GMR的噪声问题。研究中采用了1:5的BHF溶液的湿法刻蚀工艺,刻蚀速率为25 A/s,实现了刻蚀深度的精确控制,解决了薄膜对准的问题。同时改进了CoCrPt薄膜溅射的种子层,使得CoCrPt能在常温下溅射得到很好的晶体结构。这种工艺为基于GMR的小尺寸器件设计提供了可能性。
郑洋刘晰曲炳郡韦丹魏福林任天令刘理天
关键词:巨磁电阻磁控溅射湿法刻蚀
亲历CUSPEA
2007年
1979年1月1日,中国和美国正式建立了外交关系。此时“文革”刚结束,中国与外界隔绝多年,国内的本科生教育得到了一定的恢复,但是研究生培养条件不足。中国现代科技教育的发展与派遣留学生是紧密相联的,但自1940年代以后,中国一直没有向西欧和美国派遣留学生。李政道教授当年去美国留学曾获得过吴大猷先生的支持,考虑到“文革”结束后青年学生到美国求学没有正规渠道,李政道教授倡导设立了中美联合招考物理研究生项目,即CUSPEA(China—US Physics Examination and Application Program),使中国学生能赴美学习物理学。此项目得到当时主管教育和科技工作的副总理邓小平亲自批准。中国科学院及各高校的很多领导和学者也都参与了这项工作。
韦丹
关键词:本科生教育留学生外交关系科技教育青年学生
几种新型的磁记录介质
2012年
目前磁记录技术的发展遇到了瓶颈,记录密度达到了极限。继续提高记录密度需要采用具有超高磁晶各向异性的记录介质材料,但这些材料的矫顽力巨大,使得数据的写入困难。为了摆脱这种困境,科研工作者提出了几种新型的磁记录介质的概念如倾斜介质、梯度介质、渗透垂直介质,并开展了相应的研究。本文综述了这几种新型的磁记录介质的研究进展。
李洪佳蔡吴鹏韦丹
关键词:磁记录
铁电存储器薄膜的计算机模拟
2003年
随着信息技术的迅速发展,对信息存储器提出了以下要求:高密度、高读写速度、低功耗和尽可能长的存储寿命。铁电薄膜材料在存储技术中的应用出现为这一切提供了可能。本文在分析铁电材料自发极化机制的基础上,建立了铁电薄膜的微观极化模型,通过计算铁电系统中的能量和有效电场,根据铁电极化的运动方程,模拟出铁电薄膜的电滞回线,为铁电薄膜材料的信息存储提供理论指导。
欧阳可青韦丹任天令刘理天
关键词:铁电薄膜自发极化电滞回线计算机模拟
磁电子学研究概述被引量:8
2003年
简要介绍了磁电子学的基本概念、研究对象和几种重要效应 ,以及基于这些效应的几种新型器件的工作原理 ,提出了磁电子学研究中的几个前瞻性课题 。
魏朝刚任天令朱钧韦丹
关键词:磁电子学自旋极化巨磁电阻自旋阀隧道效应
共2页<12>
聚类工具0