韩俊峰
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京理工大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程环境科学与工程一般工业技术更多>>
- 不同硫化温度下铜锌锡硫薄膜的微观组织结构表征
- 2019年
- 在覆盖Mo层的钠钙玻璃上采用磁控溅射沉积后续硫化处理方式制备铜锌锡硫(CZTS)薄膜.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高角环形暗场像和X射线能谱仪等表征技术,研究不同硫化温度下CZTS薄膜形成过程中微观组织结构的变化.结果表明:硫化温度升高到400℃以上形成CZTS四元结晶相组成的薄膜,在400~550℃之间,随硫化温度的升高CZTS相增多且尺寸增大,600℃硫化时,CZTS相出现分解现象.硫化温度对薄膜影响显著,近钼层颗粒尺寸较小,表层颗粒尺寸较大.温度较低时薄膜的表层中Cu和S富集形成CuS,近钼层中Zn和Sn含量较多.随着温度升高,Cu、Zn、Sn和S不断扩散,分布更加均匀,形成的CZTS相结晶性愈好,晶粒不断长大成等轴晶,且CZTS晶粒出现孪晶.
- 赵新奇范亮亮韩俊峰明文全杨修波李石勇洪悦茶丽梅
- 关键词：硫化电子显微镜孪晶
- 一种在室温合成具有宽带隙CdS的简单方法（英文）
- 2015年
- 采用简单的磁控溅射方法,在室温合成了Cd S多晶薄膜.在溅射Cd S多晶薄膜过程中,分别在Ar气中通入0%、0.88%、1.78%、2.58%和3.40%(体积分数,φ)的O2,得到不同O含量的Cd S多晶薄膜.通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪、紫外-可见光谱仪对得到的Cd S多晶薄膜进行表征.分析结果表明:O的掺入能得到结合更加致密,晶粒尺寸更小的Cd S多晶薄膜;与溅射气体中没有O2时制备的Cd S多晶薄膜的光学带隙(2.48 e V)相比,当溅射气体中O2的含量为0.88%和1.78%(φ)时,制备得到的Cd S多晶薄膜具有更大的光学带隙,分别为2.60和2.65 e V;而当溅射气体中O2的含量为2.58%和3.40%(φ)时,得到的Cd S光学带隙分别为2.50和2.49 e V,与没有掺杂O的Cd S的光学带隙(2.48 e V)相当;当溅射气体中O2的含量为0.88%(φ)时,制备的Cd S多晶薄膜具有最好的结晶质量.通过磁控溅射方法,在溅射气体中O2含量为0.88%(φ)条件下制备的Cd S多晶薄膜表面沉积了Cd Te多晶薄膜并在Cd Cl2气氛中进行了高温退火处理,对退火前后的Cd Te多晶薄膜进行了表征.表征结果显示:Cd S中掺入O能得到结合更紧密、退火后晶粒尺寸更大的Cd Te多晶薄膜.通过磁控溅射方法,在Cd S制备过程中于Ar中掺入O2,在室温就能得到具有更大光学带隙的Cd S多晶薄膜,该方法是一种简单和有效的方法,非常适用于大规模工业化生产.
- 李辉刘向鑫张玉峰杜忠明杨彪韩俊峰BESLAND Marie-Paule
- 关键词：CDS磁控溅射CDTE太阳能电池
- 非接触式激光测量真空状态下温度的方法
- 2013年
- 研究了一种利用激光干涉原理进行非接触式测温的方法,该方法能在不破坏样品表面的前提下,准确、方便、廉价地获取玻璃在真空中的真实温度。在相关实验中以Pilkington TEC系列钠钙玻璃为样品,在150~500℃之间同时对样品进行热电偶测温和激光干涉测温,实验数据表明,非接触式激光测温方法得到的温度数据与热电偶直接接触样品表面测得的温度数据在误差10℃范围内基本相同。证明了这种非接触式的方法可用于以玻璃为基底的太阳能电池生产领域。
- 黄芳刘向鑫韩俊峰王晶李辉王文静
- 关键词：热电偶测温激光干涉法温度
- 硒化温度对CIGS/Mo界面微观结构和化学成分的影响
- 2018年
- 采用磁控溅射和硒化热处理的方法在钠钙玻璃上沉积了一系列铜铟镓硒(CIGS)薄膜。利用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微术(HR-TEM)、高角环形暗场相(HAADF)和X射线能量散射光谱(EDS)元素面扫描分析等表征手段,研究了铜铟镓硒/钼(CIGS/Mo)界面特性随硒化温度的变化规律。结果表明,400℃硒化的薄膜中CIGS与Mo层之间界面清晰;当硒化温度为500℃时,CIGS/Mo界面上出现MoSe_2薄层和富Na的二次相纳米颗粒;当硒化温度升至600℃时,MoSe_2层增厚,同时富Na二次相纳米颗粒连接形成不平整的条带,CIGS/Mo界面演变为CIGS/富Na的二次相/MoSe_2/Mo多层结构。此外,MoSe_2的取向对富Na二次相的形成有一定的影响。
- 袁琦茶丽梅明文全杨修波李石勇韩俊峰
- 关键词：微观结构
