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韩立安

作品数:36 被引量:101H指数:5
供职机构:西安科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金陕西省自然科学基金高等学校国家重点实验室和教育部重点实验室访问学者专项基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 29篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 22篇理学
  • 8篇一般工业技术
  • 5篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 19篇MNO
  • 14篇LA
  • 10篇输运
  • 9篇输运特性
  • 9篇磁电
  • 9篇磁性
  • 7篇磁电阻
  • 7篇PB
  • 6篇外延膜
  • 5篇磁电阻效应
  • 4篇电特性
  • 4篇钙钛矿
  • 4篇SR
  • 3篇自旋
  • 3篇光诱导
  • 3篇NA
  • 3篇TE
  • 3篇CMR效应
  • 3篇层状钙钛矿
  • 2篇电路

机构

  • 19篇西安科技大学
  • 18篇西北工业大学
  • 3篇兰州大学
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇空军工程大学
  • 1篇兰州城市学院
  • 1篇陕西理工大学
  • 1篇陕西能源职业...
  • 1篇渭南师范学院

作者

  • 35篇韩立安
  • 18篇陈长乐
  • 11篇高国棉
  • 5篇罗炳成
  • 4篇张涛
  • 4篇王建元
  • 4篇朱金山
  • 4篇金克新
  • 3篇陈钊
  • 3篇常琳
  • 3篇孟泉水
  • 2篇廖少俊
  • 2篇贺拥军
  • 2篇渊小春
  • 2篇牟国栋
  • 2篇王永仓
  • 1篇赵省贵
  • 1篇吴小丽
  • 1篇张秀霞
  • 1篇班丽瑛

传媒

  • 5篇物理学报
  • 5篇西安科技大学...
  • 4篇功能材料
  • 3篇稀有金属材料...
  • 3篇无机材料学报
  • 2篇河北师范大学...
  • 1篇材料导报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇宝鸡文理学院...
  • 1篇辽宁工程技术...
  • 1篇陕西师范大学...
  • 1篇空军工程大学...
  • 1篇材料导报(纳...
  • 1篇第三届全国磁...

年份

  • 4篇2019
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 9篇2008
  • 9篇2007
  • 5篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2003
  • 1篇2001
36 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
钙钛矿La_(0.7)Pb_(0.3)MnO_3的结构和磁性研究被引量:3
2006年
采用固相反应烧结法成功制备了单相多晶样品La0.7Pb0.3MnO3,用X射线衍射和超导量子干涉仪及振动样品磁强计对其结构和磁性进行了研究。结果表明,样品呈菱面相晶体结构,空间群为R-3C,居里温度Tc=348 K,在居里温度附近,发生铁磁-顺磁转变。此材料呈现出一种典型的团簇玻璃特性,其阻截温度为336 K,并且对零场冷却和场冷却曲线给出了合理的解释。室温下,其矫顽力只有40 Oe。
雒向东韩立安朱金山
关键词:MNO3钙钛矿
(La<,1-x>Nd<,x>)<,2/3>Pb<,1/3>MnO<,3>磁性及输运特性研究
近年来,人们发现钙钛矿型锰氧化物ABO<,3>不仅具有庞磁电阻效应,而且还展现出诸如金属-绝缘体转变、铁磁性-顺磁性相变等丰富的物理现象,从而使得此类氧化物又成为人们研究的热点.在该论文中,我们利用X射线衍射得到了晶体结...
韩立安
关键词:钙钛矿型锰氧化物磁性磁电阻效应输运特性
文献传递
层状钙钛矿LaSr_2Mn_(2-x)Cu_xO_7的结构、磁性及电特性被引量:3
2008年
利用固相反应烧结法制备了层状钙钛矿锰氧化物LaSr_2Mn_(2-x)Cu_xO_7多晶样品.通过X射线衍射仪、超导量子干涉仪、直流四探针法对其结构和磁性、电特性进行了研究.结果表明,样品均为Sr_3Ti_2O_7型单相多晶,属四方晶系,空间群为I4/mmm.10%Cu的替代,破坏了LaSr_2Mn_2O_7的电荷有序态,从而呈现出一种典型的自旋玻璃特性,在T=225K发生自旋冻结.电性测量表明,Cu的替代,破坏了LaSr_2Mn_2O_7的导电特性,使此材料在整个观察的温区呈现绝缘体特性,进一步影响了其输运性性.
韩立安陈长乐高国棉
关键词:层状钙钛矿磁性电特性
衬底温度对PLD法生长的Mg_(0·05)Zn_(0·95)O薄膜结构和发光特性的影响被引量:11
2008年
用脉冲激光沉积(PLD)法在不同温度的Si(111)衬底上成功制备了c轴择优取向的Mg0·05Zn0·95O薄膜.通过X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)研究了衬底温度对Mg0·05Zn0·95O薄膜结构和发光特性的影响,探讨了薄膜的结晶质量与发光特性之间的关系.结果表明,在衬底温度为450℃时生长的Mg0·05Zn0·95O薄膜具有很好的c轴取向和较强的光致发光峰.室温下分别用激发波长为240,300和325nm的氙灯作为激发光源得到不同样品的PL谱,分析表明紫外发光峰和紫峰来源于自由激子的复合辐射且发光强度与薄膜的结晶质量密切相关,蓝绿发光峰与氧空位有关.此外,探讨了衬底温度影响紫外光致发光峰红移和蓝移的可能机理.
吴小丽陈长乐韩立安罗炳成高国棉朱建华
关键词:PLD衬底温度光致发光
钙钛矿型锰氧化物相分离研究进展被引量:1
2008年
相分离作为一种物理现象,在钙钛矿结构锰氧化物中普遍存在,成为近年来此领域重要的研究课题之一。介绍了相分离的发展历史、分类,总结了相分离在钙钛矿结构锰氧化物中的实验和理论研究进展,并给出了该领域的发展趋势。
韩立安牟国栋贺拥军
关键词:钙钛矿锰氧化物
La_(0.9)Ce_(0.1)MnO_3薄膜的输运特性和光诱导效应被引量:1
2007年
用脉冲激光沉积(PLD)法制备了钙钛矿锰氧化物La_(0.9)Ce_(0.1)MnO_3(LCEMO)单晶薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿(100)方向择优生长;电阻-温度关系给出其存在金属-绝缘体相变和庞磁电阻(CMR)效应,相变温度(T_(MI))为213K;在0.1T的磁场下,其磁电阻峰值为38.5%,对应的温度为153K;其电阻在低温区满足R=R_0+R_1T^2+R_2T^(4.5),在高温区符合小极化子输运.薄膜在绿激光(532nm,40mW)作用下T_(MI)向低温方向移动;这主要是由于激光激励下体系的自旋发生了变化.且电阻与时间的变化曲线满足关系:R(t)=R_0+Aexp(—t/r),说明薄膜在激光作用下具有明显的与自旋相关的弛豫现象.
高国棉陈长乐邓小龙韩立安王永仓
关键词:光诱导输运特性
Co_3O_4纳米颗粒的制备及表征被引量:4
2005年
采用草酸盐共沉淀法成功制备了不同粒径的Co3O4纳米颗粒,用X射线衍射和透射电镜对30nm的样品进行了表征。结果表明,当烧结温度低于430℃时,产物中含有CoO杂相;430℃以上时,产物为纯相Co3O4纳米颗粒。Co3O4纳米颗粒(30 nm)为立方尖晶石结构,晶胞参数a=0.807 35 nm。颗粒形貌基本为球形,颗粒大小分布较均匀。随着烧结温度的增加,颗粒尺寸明显增加。
韩立安
关键词:CO3O4X射线衍射
层状钙钛矿La_(1.3)Sr_(1.7)Mn_(2-x)Cu_xO_7的磁性及电特性被引量:13
2008年
通过固相反应烧结法成功制备了层状钙钛矿La1.3Sr1.7Mn2-xCuxO7多晶,主要研究了其磁电特性.结果表明,样品为Sr3Ti2O7型钙钛矿结构.随着温度的降低,其磁性经历了一个很复杂的转变过程.当x=0时,在T*=231K出现二维短程铁磁有序,在TC=114K出现三维长程铁磁有序,在TN=56K出现倾斜的反铁磁转变.当x=0.05时,Cu替代使得T*,TC和TN减小.其电特性表明,La1.3Sr1.7Mn2-xCuxO7多晶呈现出双峰现象,这是由于钙钛矿结构锰氧化物共生现象造成的.虽然5%Cu替代,降低了金属—绝缘体转变温度,但是却增强了磁电阻效应.
韩立安陈长乐董慧迎王建元高国棉罗炳成
关键词:层状钙钛矿磁性电特性
La_(0.82)Te_(0.18)MnO_3薄膜的庞磁电阻效应及光诱导特性被引量:1
2007年
用脉冲激光沉积(PLD)法在LaAlO3单晶衬底上制备了VIA族非金属元素Te掺杂的La0.82Te0.18MnO3(LTMO)薄膜。X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿(012)方向择优生长;电阻-温度关系显示,该材料存在金属-绝缘体转变特性和庞磁电阻(CMR)效应;在0.7T的磁场作用下,薄膜的磁电阻最大值为30.6%,对应的温度在263K。而室温(303K)磁电阻值为4.8%;拟合分析表明,薄膜在低温区是单磁子散射,在高温区满足小极化子输运模型。在波长为532nm的绿激光作用下,在253K,光致电阻变化率达到最大值33.6%;分析认为这可能是由于光激发会改变材料中的磁有序,减弱双交换作用,进而改变电子的输运性质。
高国棉陈长乐王建元韩立安王永仓宋宙模
关键词:CMR效应
La0.75Na0.25MnO3外延膜的制备及磁电特性被引量:4
2008年
通过射频磁控溅射在单晶LaAlO_3(100)衬底上生长了膜厚为120nm的La_(0.75)Na_(0.25)MnO_3外延膜.通过X射线衍射仪、超导量子干涉仪、直流四探针法对其进行了表征.结果表明,薄膜为(100)取向外延膜.居里温度Tc=270K,在居里温度附近,发生铁磁-顺磁转变.此材料呈现出典型的自旋玻璃特性,是由于应力造成的.在室温附近,此材料在IT磁场下,其磁电阻极大值为40.3%.80K≤T≤210K时,其输运机制为电子-电子散射,电阻率满足p=p0+p1T^2+p2T^5;220K≤T≤T_(MI)时,其输运机制满足相分离渗流模型;T>T_(MI)时,其输运机制满足小极化子模型.
韩立安孟泉水常琳廖少俊陈长乐
关键词:磁性输运特性
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