马德才
- 作品数：22 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中山大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术文化科学一般工业技术更多>>
- 反馈晶体生长状态的方法、晶体生长控制方法及控制系统
- 本发明涉及一种反馈晶体生长状态的方法，通过采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电动势，获得实时变化的电信号，由所述实时变化的电信号反馈晶体生长状态。本发明还涉及一种晶体生长控制方法，通过采集晶体生长过程中的晶体和熔体...
- 朱允中王彪林少鹏马德才
- 一种红色长余辉单晶体材料及其制备方法
- 本发明公开了一种红色长余辉晶体材料及其制备方法。该长余辉材料为单晶体，结构属于三方晶系，ABO<Sub>3</Sub>型，化学式为LiNbO<Sub>3</Sub>:Mg<Sup>2+</Sup>,Pr<Sup>3+</...
- 林少鹏龙思卫马德才熊宸玮王彪
- 文献传递
- 快速高精度电子元件温度特性测量仪的研制被引量：6
- 2016年
- 大多数电子元器件的性能受到工作温度的影响,其温度特性对设备稳定性和精确度的影响不容忽视;以半导体致冷器（TEC）为核心,ATMega128A单片机为控制芯片,采用PT100、高精度恒流源和AD7731数模转换器（ADC）组成温度测量模块,运用改进的PID控制算法,以脉冲宽度调制（PWM）方式驱动优化的H桥精确控制加热和制冷功率,结合优化设计的变温腔体,制作了快速、高精度电子元件温度特性测量仪;在-10~80℃之间快速、稳定控制待测元件的温度,控温精度达到±0.2℃;通过计算机控制数字万用表等测量设备,测量了电阻、电容和电感的温度特性曲线;该测量仪还可以用于IC、三极管和LED等元器件的温度特性曲线研究;在实验研究、工业生产和电子实验教学中均具备很高的实用价值。
- 王延珺李阳马德才林少鹏王彪
- 关键词：半导体致冷器单片机
- 一种快速多功能电子元器件温度特性测量仪器及测试腔体
- 本发明提供一种快速多功能电子元器件温度特性测量装置、仪器及测试腔体。可以测量多种电子元器件及材料样品的电容量、电感量、电阻值、介电系数、介电损耗、电压‑电流曲线、自发极化等参数的温度特性曲线；本发明具有体积小、重量轻、速...
- 林少鹏王延珺李阳薛聪马德才王彪
- 文献传递
- 晶体生长界面扰动的原位探测方法、控制方法及控制系统
- 本发明涉及一种晶体生长界面扰动的原位探测方法，通过采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电动势，获得实时变化的电信号数据；根据所述电信号数据的波动规律获得晶体生长界面的扰动状态。本发明还涉及一种晶体生长界面扰动的控制方...
- 朱允中王彪马德才林少鹏
- 文献传递
- 基于Ni‑B/Ti瞬时液相原位反应的陶瓷/金属连接方法
- 基于Ni‑B/Ti瞬时液相原位反应的陶瓷/金属连接方法，它涉及一种钎焊连接方法，本发明要解决现有陶瓷/金属接头强度低、稳定性差的问题。本发明陶瓷/金属连接方法如下：使用电镀或化学镀的方法在Ni箔片表面沉积Ni‑B非晶合金...
- 杨卫岐邢丽丽马德才王彪
- 文献传递
- 铟掺杂近化学计量比铌酸锂单晶的缺陷结构
- 2015年
- 为了探讨抗光损伤介质在近化学计量比铌酸锂晶体中的占位机制,采用顶部籽晶助熔剂方法（TSSG）生长了不同铟含量的近化学计量比铌酸锂（In：SLN）晶体,利用X射线衍射、差热分析,紫外-可见吸收光谱及红外光谱测试并研究了晶体中的缺陷结构变化规律。分析发现在近化学计量比铌酸锂晶体中,In2O3的阈值浓度介于1%~1.5%。缺陷结构研究表明,当In2O3掺杂量低于阈值浓度时,In^3＋离子优先取代NbLi^4＋,形成InLi^2＋离子;当In2O3掺杂浓度高于阈值浓度时,In^3＋离子开始同时占据正常的Li与Nb位,形成InLi^2＋-InNb^2-电荷自补偿结构。
- 方双全黄新马德才张贺新
- 关键词：铌酸锂晶体近化学计量比阈值铟
- 一种快速多功能电子元器件温度特性测量仪器及测试腔体
- 本发明提供一种快速多功能电子元器件温度特性测量装置、仪器及测试腔体。可以测量多种电子元器件及材料样品的电容量、电感量、电阻值、介电系数、介电损耗、电压-电流曲线、自发极化等参数的温度特性曲线；本发明具有体积小、重量轻、速...
- 林少鹏王延珺李阳薛聪马德才王彪
- 一种晶体生长装置和一种Er,Yb双掺LuAG晶体及其制备方法
- 本发明提供了一种晶体生长装置和一种Er,Yb双掺LuAG晶体及其制备方法，涉及光电子材料技术领域。本发明提供的晶体生长装置包括下保温系、上保温系统和提拉控制系统，本发明提供的晶体生长装置适合高温晶体的生长，可以有效避免高...
- 王彪权纪亮朱允中马德才杨名鸣龙思卫杨鑫
- 文献传递
- 晶体生长界面扰动的原位探测方法、控制方法及控制系统
- 本发明涉及一种晶体生长界面扰动的原位探测方法，通过采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电动势，获得实时变化的电信号数据；根据所述电信号数据的波动规律获得晶体生长界面的扰动状态。本发明还涉及一种晶体生长界面扰动的控制方...
- 朱允中王彪马德才林少鹏
