高博
- 作品数：85 被引量：65H指数：4
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学化学工程更多>>
- 一种高熵稀土铬酸盐高温型负温度系数热敏材料
- 本发明涉及一种高熵稀土铬酸盐高温型负温度系数热敏材料，属于半导体传感器领域，目的在于解决现有钙钛矿结构高温NTC材料，在高温环境下，该体系中Cr元素会以气态CrO<Sub>3</Sub>的形式挥发，表现出较差的高温老化稳...
- 高博陈肖伊孔雯雯李晓卉常爱民
- 锰、钴、镍三元系氧化物纳米粉体材料的制备方法
- 本发明涉及一种锰、钴、镍三元系氧化物纳米粉体材料的制备方法，为改良后的室温固相法合成Mn-Co-Ni三元系氧化物纳米粉体的方法，该方法首先采用锰、钴、镍、钠的硫酸盐和氢氧化钠作为原料，原料粉体经球磨、洗涤、干燥、煅烧后得...
- 高博孔雯雯常爱民蒋春萍陈龙赵鹏君
- 文献传递
- 一种无支撑微米级超薄陶瓷片的制备方法
- 本发明公开了一种无支撑微米级超薄陶瓷片的制备方法，该方法以锰、钴、镍、铜和铁金属氧化物或金属盐原料，首先制备纳米级陶瓷氧化物粉体，再制备造粒均匀的陶瓷氧化物粉体，将陶瓷氧化物粉体与分散剂混合分散均匀后烘干过筛，与有机溶剂...
- 蒋春萍孔雯雯常爱民高博陈龙赵鹏君
- p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究被引量：2
- 2011年
- 对一种非加固4007电路中p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在不同剂量率条件下的电离辐射损伤效应及高剂量率辐照后的退火效应进行了研究.通过测量不同剂量率条件下PMOSFET的亚阈I-V特性曲线,得到阈值电压漂移量随累积剂量、退火时间的变化关系.实验发现,此种型号的PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应.通过描述H+在氧化层中的输运过程,解释了界面态的形成原因,初步探讨了非加固4007电路中PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应模型.
- 高博余学峰任迪远崔江维兰博李明王义元
- 关键词：电离辐射损伤低剂量率辐射损伤增强效应
- 双极电压比较器不同条件下总剂量辐射效应被引量：3
- 2012年
- 为分析电压比较器在空间辐射环境下的损伤变化规律,对电压比较器在不同偏置和剂量率下的电离辐射效应进行了系统研究。结果表明,电压比较器的多个参数均发生较大变化,且敏感参数与辐照条件有很强的依赖关系。不同偏置的高低剂量率辐照结果显示,比较器的剂量率效应与偏置相关,不同偏置条件下,器件的辐射损伤模式略有不同。
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- 关键词：电离辐射剂量率效应
- 国产双极数模转换器不同剂量率的辐射效应
- 通过对国产双极数模转换器在Coγ射线的高低剂量率的辐照实验和室温退火实验的对比分析,发现国产数模混合电路在不同剂量率辐照下的电离辐照响应有很大差异。这种混合电路不但表现出明显的低剂量率损伤增强效应,而且表现出时间相关效应...
- 王义元陆妩任迪远郑玉展高博李鹏伟于跃
- 关键词：数模转换器ELDRS
- 文献传递
- 一种锡酸盐体系负温度系数热敏电阻材料及其制备方法
- 本发明涉及一种锡酸盐体系负温度系数热敏电阻材料，该体系热敏电阻材料是以二氧化锡、三氧化二镧、三氧化二钕、三氧化二钐和三氧化二钆为原料，将二氧化锡分别与三氧化二镧、三氧化二钕、三氧化二钐或三氧化二钆混合，经过球磨、干燥、研...
- 高博李晓卉常爱民
- 部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究
- 2012年
- 通过分析部分耗尽绝缘层附着硅互补金属氧化物半导体静态随机存储器(SRAM)在动态偏置条件下的电学参数和功能参数随累积剂量的变化规律,研究了绝缘层附着硅(SOI)工艺SRAM器件在^(60)Co-γ射线辐照后的总剂量辐射损伤效应及器件敏感参数与功能错误数之间的相关性,为进一步深入研究大规模SOI集成电路的抗总剂量辐射加固及其辐射损伤评估提供了可能的途径和方法.实验结果表明:辐射引起的场氧和埋氧漏电是功耗电流增大的主要原因;阈值电压漂移造成输出高电平下降、低电平微小上升和峰-峰值大幅降低,以及传输延迟增大;当总剂量累积到一定程度,逻辑功能因关断功能的失效而出现突变错误;传输延迟和输出高电平与逻辑功能错误之间存在一定相关性.
- 李明余学峰薛耀国卢健崔江维高博
- 关键词：静态随机存储器总剂量效应功耗电流
- 一种锆酸盐体系高温负温度系数热敏电阻材料及制备方法
- 本发明涉及一种锆酸盐体系高温负温度系数热敏电阻材料及制备方法，该热敏电阻材料是将二氧化锆分别与三氧化二钬或三氧化二镧按照化学计量比混合，经过湿法球磨、冷等静压成型、高温烧结，即可得到锆酸盐体系高温负温度系数热敏电阻材料，...
- 高博陈肖伊李晓卉康鑫常爱民
- 文献传递
- 国产VDMOS器件总剂量辐射损伤及退火效应研究
- 研究了不同辐射偏置条件下国产N沟VDMOS器件的总剂量辐射损伤及退火效应。探讨了阈值电压、击穿电压、漏电流、导通电阻等随累积剂量、退火时间的变化关系。实验表明:随着累积剂量的增加,阈值电压负向漂移,但变化在规定的范围内,...
- 高博余学峰任迪远刘刚王义元孙静文林李茂顺崔江维
- 关键词：VDMOS总剂量退火效应
- 文献传递
