麻茂生
- 作品数：20 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 光电子能谱研究Ce表面的氧化被引量：2
- 1997年
- 利用光电子能谱技术研究了室温下Ｃｅ膜表面的氧化，分析了在不同氧气暴露量下，稀土金属Ｃｅ氧化状态和样品功函数的变化。结果表明，在Ｏ２吸附的过程中，生成两种Ｃｅ的氧化物。在低的暴露量时，氧在Ｃｅ表面的吸附十分迅速，生成Ｃｅ２Ｏ３。同时，Ｃｅ２Ｏ０３中的Ｃｅ３ｄ和Ｏｌｓ谱峰随着氧气暴露量的增加向低结合能方向漂移。在高的暴露量下，氧在表面的吸附趋于缓慢，表面的Ｃｅ２Ｏ３被氧化成ＣｅＯ２。通过对样品加热，能使得四价的Ｃｅ重新转变回三价。功函数随着Ｏ２的暴露量增加先下降后上升。
- 杨宏伟麻茂生刘先明季明荣朱警生吴建新
- 关键词：光电子能谱
- 光电子能谱研究O_2和Rb在InSb（111）表面上共吸附被引量：1
- 1995年
- 本文利用光电子能谱（ＸＰＳ和ＵＰＳ）技术研究了室温ＴＯ２和Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上共吸附，分析了碱金属Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上吸附的健合状态以及对衬底的催化氢化作用。结果表明，Ｒｂ与ＩｎＳｂ表面上的Ｓｂ发生化学反应，Ｒｂ在ＩｎＳｂ表面上吸附提高了衬底表面的氧化速率，衬底表面上的Ｉｎ和Ｓｂ被氧化，分别生成锑和铟的氧化物。在Ｏ２吸附的过程中，还观察到两种Ｒｂ的氧化物，即过氧化铷（Ｒｂ２Ｏ２）和超氧化铷（ＲｂＯ２）。通过芯能级和价电子的变化，揭示了各种氧离子态（Ｏ２－，Ｏ，Ｏ）的形成。
- 吴建新麻茂生刘先明朱警生季明荣
- 关键词：光电子能谱铷半导体表面
- 氯在Cu(100)面上的吸附及其对氧共吸附的影响的电子能谱研究
- 1993年
- 利用UPS、XPS、AES、△φ和热脱附等方法,研究了室温、低分压下氯在Cu(100)面上的吸附行为以及它对氧共吸附的影响。氯解离化学吸附在铜表面上,其吸附过程包括初始快速吸附,然后缓慢增加至饱和两个步骤。吸附引起铜表面轻微氧化,但表面没有重排,即使升温氯原子也没有进一步向下扩散,热脱附的唯一产物是氯原子。室温下,氯的预吸附降低甚至完全阻止了氧的接续吸附;而预吸附氧至饱和也不会阻碍氯的接续吸附,氯的接续吸附促使氧原子进入体相和铜原子向表层扩散。
- 方文秀陈嵘嵘庄叔贤麻茂生季明荣
- 关键词：共吸附电子能谱氯铜
- Ar^+离子注入对Ge/GaAs(100)异质结能带偏离影响的XPS研究
- 1993年
- 用X光电子能谱(XPS)方法研究了界面特性和Ge/GaAs(100)异质结的能带偏离关系。实验表明,当在清洁的GaAs(100)表面生长Ge异质结时,其价带偏离(△E_v)与界面特性无关,而在Ar离子注入的GaAs(100)表面上生长的Ge异质结,其价带偏离与Ar^+离子的浓度分布有关。
- 徐世红刘先明朱警生麻茂生张裕恒徐彭寿许振嘉
- 关键词：异质结砷化镓锗离子注入
- Rb／InP（100）界面的电子能谱研究
- 1994年
- 用光电子能谱技术（ＸＰＳ和ＵＰＳ）研究了Ｒｂ／ＩｎＰ（１００）的界面形成和电子结构．实验结果表明，当Ｒｂ淀积到ＩｎＰ（１００）表面时，它首先表现为物理吸附，形成突变界面．随Ｒｂ复盖量的增加，Ｒｂ向ＩｎＰ体内扩散，Ｒｂ－Ｉｎ之间发生置换反应．此时Ｒｂ－Ｐ形成化学健．退火后，Ｒｂ一部分脱附，一部分向体内扩散．同时，Ｉｎ和Ｐ也向外扩散．在较高的温度下，更多的Ｉｎ向外偏析．
- 徐彭寿徐世红刘先明朱警生麻茂生张裕恒许振嘉
- 关键词：碱金属半导体光电子能谱
- 金属夹层对Ge/GaAs(100)能带偏离影响的研究
- 1996年
- 用光电发射的方法研究了碱金属Na和碱土金属Mg对Ge／GaAs（100）异质结形成及能带偏离的影响。实验结果表明，Na和Mg的薄夹层可使Ge／GaAs（100）的价带偏离分别增加0．19和0．18eV。通过Na，Mg和Al夹层的对比研究，可认为金属夹层对异质结能带偏离的影响与金属的电负性及其与衬底的相互作用有关。
- 徐彭寿徐世红潘海滨陆尔东朱警生刘先明麻茂生
- 关键词：半导体异质结砷化镓锗
- 铁和锰的硅化物的表面研究
- 麻茂生
- 碱金属Cs和InP(100)界面电子结构的研究
- 1994年
- 用光电子能谱技术（XPS和UPS）研究了碱金属Cs和InP（100）的界面形成和退火效应。实验结果表明，在覆盖低于0．5ML时，Cs和InP（100）形成突变界面。当覆盖度增加后，Cs－In产生置换反应，界面形成混合相，退火后，Cs一部分脱附，一部分与In产生置换反应而留在InP体内。
- 徐彭寿徐世红刘先明朱警生麻茂生张裕恒许振嘉
- 关键词：碱金属电子结构磷化铟铯
- 碱金属Cs和Na与GaAs(100)界面相互作用的光电子能谱研究
- 1994年
- 用光电子能源谱技术（XPS和UPS）研究了金属Cs和Na与GaAs（100）的界面形成。实验结果表明，Cs和Na吸附在GaAs（100）表面时，衬底As向外扩散，形成混合相。在Na吸附的表面，As扩散程度比Cs吸附的表面大。随着复盖层厚度增加，吸附层开始金属化。
- 徐彭寿徐世红刘先明朱警生麻茂生张裕恒许振嘉
- 关键词：碱金属砷化镓光电子谱
- 应用光电子能谱研究氧和碱金属在半导体表面上吸附研究
- ＜正＞获奖者应用X线电子能谱（XPS）和紫外光电子能谱（UPS）技术,在超高真空下原位研究氧和碱金属在清洁的InSb、SiC、GaSb、Si表面上共吸附。对于InSb、SiC、GaSb半导体样品,首先在清洁的表面上吸附一...
- 吴建新麻茂生季明荣朱警生刘先明杨宏伟
- 文献传递
