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黄小丽

作品数:23 被引量:83H指数:6
供职机构:北京信息科技大学更多>>
发文基金:北京市传感器重点实验室开放课题基金资助项目北京市教委资助项目北京市优秀人才培养资助更多>>
相关领域:化学工程金属学及工艺电子电信经济管理更多>>

文献类型

  • 21篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 9篇化学工程
  • 7篇金属学及工艺
  • 2篇经济管理
  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 12篇陶瓷
  • 9篇钎焊
  • 8篇氮化
  • 8篇氮化铝
  • 7篇ZRO
  • 6篇氮化铝陶瓷
  • 6篇氧化锆
  • 6篇添加剂
  • 6篇金属
  • 4篇学成
  • 4篇倾角传感器
  • 4篇二氧化锆
  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇钎料
  • 3篇助剂
  • 3篇自然对流
  • 3篇温度场
  • 3篇接头

机构

  • 16篇北京信息工程...
  • 10篇北京科技大学
  • 5篇清华大学
  • 4篇北京邮电大学
  • 2篇北京有色金属...
  • 2篇中国科学院力...
  • 2篇北京真空电子...
  • 1篇北京信息科技...

作者

  • 23篇黄小丽
  • 9篇肖纪美
  • 7篇郑永红
  • 6篇林实
  • 5篇胡晓青
  • 4篇靳映霞
  • 3篇林实
  • 3篇马庆智
  • 3篇楚建新
  • 3篇张福学
  • 2篇刘慧卿
  • 2篇李发
  • 2篇田杨萌
  • 1篇夏颂
  • 1篇李邓化
  • 1篇彭世镠
  • 1篇彭世

传媒

  • 5篇材料科学与工...
  • 3篇兵器材料科学...
  • 2篇北京机械工业...
  • 1篇焊接学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇河北理工学院...
  • 1篇辽宁工学院学...
  • 1篇材料开发与应...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇武汉冶金科技...
  • 1篇压电与声光
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 3篇2002
  • 1篇2000
  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 6篇1996
23 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
纳米复合助剂对氮化铝陶瓷烧结特性的影响被引量:1
2010年
如何获得理想的氮化铝陶瓷是电子陶瓷材料研究领域的重要课题。本研究采用纳米复合添加剂Y2O3-La2O3,分别在1600℃、1650℃、1700℃、1750℃和1800℃下,无压烧结氮化铝陶瓷。测定并分析了AlN陶瓷的性能和微观结构。实验结果表明:烧结温度达到1750℃,就可获得致密烧结,此时AlN晶粒细小均匀,第二相Al2Y4O9、LaAlO3和Y2O3分布在AlN晶界,AlN晶粒内的氧含量很低,AlN陶瓷样品的热扩散率较高。
黄小丽田杨萌胡晓青
关键词:氮化铝纳米添加剂热扩散率
CaO-Y_2O_3添加剂对AlN陶瓷显微结构及性能的影响被引量:28
2002年
研究了掺杂CaO-Y2O3热压烧结和常压烧结AlN陶瓷的性能和显微结构.结果表明:热压烧结AlN陶瓷的第二相为Y3Al5O12,常压烧结AlN陶瓷的第二相为Y3Al5O12和Ca3Y2O6;热压烧结AlN的第二相体积百分数和晶格氧含量均低于常压烧结;热压烧结AlN陶瓷的微观结构良好,其热导率达到200W/m·K.
黄小丽马庆智李发刘慧卿
关键词:添加剂显微结构氮化铝陶瓷
晶界相和晶界对AlN陶瓷热导率的影响被引量:7
2002年
本文研究了掺杂CaO Y2 O3热压烧结和常压烧结AlN陶瓷的晶界相及其产生过程和除氧机制 ;分析了两种烧结工艺烧制的AlN陶瓷的晶界成份 ;
黄小丽马庆智郑永红李发刘慧卿
关键词:ALN陶瓷晶界相晶界电子陶瓷氮化铝陶瓷
缓冲层化学成分对钎焊连接强度的影响被引量:6
1998年
在ZrO2与40Cr钢之间分别加入缓冲层Ni、4J33、Ti和Cu进行钎焊连接。结果发现:缓冲层4J33和纯Ni的化学元素会破坏钎料对陶瓷的浸润性,从而影响了钎料与ZrO2的界面反应,导致ZrO2/40Cr钢连接失败。而缓冲层Cu和Ti不会影响钎料对陶瓷的浸润性,又能释放接头的残余应力,可提高ZrO2/40Cr钢接头强度。
黄小丽林实肖纪美
关键词:钎焊缓冲层化学成分金属陶瓷接头强度
复合助剂对氮化铝陶瓷低温烧结的影响被引量:11
2005年
为弄清添加剂对氮化铝陶瓷低温烧结性能的影响,采用4种复合添加剂Y2O3CaF2,Y2O3Dy2O3,Y2O3CaC2和Y2O3Li2O,在1650℃热压烧结AlN陶瓷;通过电子显微镜测定并分析了AlN陶瓷的性能和微观结构。结果表明:添加该4种复合助剂在低温烧结的AlN陶瓷晶格氧含量均较低,样品热导率较高。尤其是添加Y2O3和CaF2可获得热导率为192W/(m·K)的AlN陶瓷样品。
黄小丽郑永红胡晓青
关键词:氮化铝陶瓷复合助剂ALN陶瓷陶瓷样品CAF2Y2O3
氮化铝陶瓷的热导率研究进展被引量:13
2000年
本文介绍了影响 Al N陶瓷热导率的各种因素及提高热导率的措施 ;报道了最新的低温烧结研究动向。
黄小丽马庆智
关键词:热导率添加剂微观结构氮化铝陶瓷
Ag_(66)Cu_(30)Ti_4-ZrO_2界面化学反应的研究
1999年
确定了活性钎料Ag66Cu30Ti4和ZrO2之间的界面反应产物Cu2Ti4O,并计算出1203K时的反应形成能为-119kJ/mol.提出了一个模型来描述该界面化学反应,Cu2Ti4O首先在某种活性中心形核,钎料中的Cu、Ti元素和ZrO2中的O元素不断扩散到界面使Cu2Ti4O晶核得以生长,互相接触后形成了连续的反应层。分析了反应过程中界面附近Ti的浓度变化。
黄小丽林实肖纪美
关键词:活性材料钎焊氧化锆
氮化铝陶瓷的低温烧结研究被引量:6
2006年
采用了三种复合添加剂Y2O3-CaF2、Y2O3-Dy2O3和Y2O3-Li2O,在1 650℃热压烧结AlN陶瓷;测定、分析了AlN陶瓷的性能和微观结构。结果表明,添加该三种复合助剂在低温烧结的AlN陶瓷晶格氧含量均较低,样品热导率较高,尤其是添加复合助剂Y2O3-CaF2可获得热导率为192 W.m-1.K-1的AlN陶瓷样品。
黄小丽胡晓青
关键词:氮化铝添加剂陶瓷
复合助剂Y_2O_3-CaC_2对氮化铝陶瓷热导率的影响被引量:3
2005年
为研究复合助剂Y2O3-CaC2的助烧机制和效果,试验分别在1700℃和1850℃热压烧结含添加剂Y2O3-CaC2的AlN陶瓷。测定了AlN陶瓷的密度和热导率,并分析了AIN陶瓷的微观结构及微观组织与宏观性能的关系。结果表明,添加复合助剂Y2O3-CaC2在1700℃和1850℃热压烧结的AlN陶瓷的第二相均为Y3Al5O12,但在1850℃烧结的AlN陶瓷的第二相和AlN晶内氧含量更低,其热导率高达223W/(m·K)。
黄小丽郑永红胡晓青
关键词:氮化铝添加剂热导率
金属的化学成份对金属/ZrO_2连接的影响被引量:1
1996年
研究了4J33、纯Ni和40Cr钢与ZrO_2的钎焊连接。结果表明:对Ag_(66)Cu_(30)Ti_4活性钎料,4J33与ZrO_2在1183K时能形成连接,而在1103K与1133K时连接失败;纯Ni与ZrO_2在温度升至1273K仍不能形成连接。这是因为纯Ni和4J33所含的Fe、Ni、Co元素扩散到钎料中并与之发生反应形成化合物所致。40Cr钢和ZrO_2的连接钎料中未形成化合物,它们在1133K就能形成连接。
黄小丽林实肖纪美楚建新
关键词:金属钎料化学成份二氧化锆钎焊
共3页<123>
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